台湾台积电(TSMC)2010年2月24日在横滨举行了技术论坛“TSMC2010ExecutiveForumonLeadingEdgeTechnology”。台积电负责研发的高级副总裁蒋尚义就技术开发状况等发表了演讲。蒋尚义分别介绍了在45/40nm、32/28nm及22
台湾台积电(TSMC)2010年2月24日在横滨举行了技术论坛“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。台积电负责研发的高级副总裁蒋尚义就技术开发状况等发表了演讲。蒋尚义分别介绍了在45/40nm、32/2
近日,联合国环境规划署出炉报告指出,在中国等发展中国家,今后10年内电子垃圾将急剧增长,成为环境污染的重要源头。对此有通信业专家指出,目前废旧手机已成为增长最快的电子垃圾,而国内电子垃圾处理远未产业化,
台湾台积电(TSMC)2010年2月24日在横滨举行了技术论坛“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。台积电负责研发的高级副总裁蒋尚义就技术开发状况等发表了演讲。蒋尚义分别介绍了在45/40nm、32/2
目前市场上的台灯状况 目前市场上的台灯按其种类可分为三种:一种是普通的白炽台灯,一种是卤素台灯、另一种是荧光台灯。采用普通的白炽灯泡或卤素灯的台灯,其优点是价廉、发光的连续性能好,缺点是耗能多,尤
通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容,如何在电路中更有效地选择使用 各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。 1.滤波电容 整流后由于滤波用的电容器容量较大,故必须使用电解电容。滤
通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容,如何在电路中更有效地选择使用 各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。 1.滤波电容 整流后由于滤波用的电容器容量较大,故必须使用电解电容。滤
1月27日上午消息(李明)在今天上午举行的“2009年度工业通信业运行新闻发布会”上,工信部运行监测协调局局长辛国斌透露,2009年我国电子制造业增加值同比增长5.3%,其中生产手机6.2亿部,增长9.8%。辛国
大日本印刷开发出了可使引线键合工序中的铜线用量减至原来约1/2的金属布线膜。将于2010年6月开始面向QFP(quad flat package)销售。大日本印刷称,由于铜价上涨等因素,“订单相当多”。大日本印刷力争2010年度销售
1.1电子线路设计准则 电子线路设计者往往只考虑产品的功能,而没有将功能和电磁兼容性综合考虑,因此产品在完成其功能的同时,也产生了大量的功能性骚扰及其它骚扰。而且,不能满足敏感度要求。 电子线路的电磁
1.1电子线路设计准则 电子线路设计者往往只考虑产品的功能,而没有将功能和电磁兼容性综合考虑,因此产品在完成其功能的同时,也产生了大量的功能性骚扰及其它骚扰。而且,不能满足敏感度要求。 电子线路的电磁
肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材
特斯拉线圈的制作前的准备和注意事项及其它: 整个制作我们以变压器功率为1000w的中型特斯拉线圈为设计标准.(放电距离:>=120cm)备注:特斯拉线圈的放电距离和功率成正比. 主要材料及大概成本: 1.高压变压器---&
Skiff, LLC、Sprint Nextel 4日宣布将在2010年1月7-10日在美国拉斯维加斯所举行的消费电子展(CES)上发表业界第一款专为报纸、杂志内容设计的电子书阅读器“Skiff Reader”。Skiff Reader将是全球首款采用L
美国通用显示器公司(Universal Display)是一家磷光OLED显示器和照明技术知名开发商。10月20日,该公司宣布获得了美国陆军授予的一份小型企业创新研究(SBIR)第III阶段合同的延长合同。根据这份价值33万美元的延长
0.引言 低压断路器产品主要应用在低压配电网络中,用于分配电能和保护线路、电源及用电设 备免受过载、欠电压和短路的危害,提高了供电的可靠性。低压断路器智能测控系统是集计 算机技术、智能控制技术、检测技术
台湾芯片代工厂商联电日前在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出,联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。 据悉,
晶圆代工龙头台积电、联电,跨足LED(发光二极管)有志一同,联电昨日宣布,子公司联电新投资事业,投资山东冠铨光电八百万美元,台积电昨日则是推出模块化BCD制程,将为客户生产高电压整合发光二极管(LED)驱动
台湾芯片代工厂商联电日前在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出,联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。据悉,早
台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示,将于2010年下半年推出28纳米制程,采用高K金属栅极技术的半导体产品。腾讯科技讯12月11日讯,台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所