当前位置:首页 > 闪存
  • “2020中国IC风云榜”揭晓 长江存储荣获年度技术突破奖

    “2020中国IC风云榜”揭晓 长江存储荣获年度技术突破奖

    2020年1月2日, 由中国半导体投资联盟、中国半导体行业专业媒体集微网共同举办的“2020中国IC风云榜”在2020年新年到来之际在北京正式揭晓。 在备受瞩目的“年度技术突破奖”奖项上,长江存储科技有限责任公司(以下简称长江存储)斩获殊荣。 长江存储执行董事,紫光集团联席总裁刁石京代表公司领奖 作为紫光集团芯片板块核心企业,长江存储通过闪存基础架构和制造工艺的创新,成功打造了世界首款基于Xtacking架构的64层三维闪存。此款产品自2019年9月量产以来,已经通过多项行业认证,并进入主流客户供应链,得到了市场的认可。可以说,Xtacking技术的研发成功和64层三维闪存的量产为全球存储器行业在技术创新和生态发展上注入了新的动力,也为国内存储器企业在竞争激烈的国际市场立足奠定了基石,获得年度技术突破奖可谓实至名归。 本次“IC风云榜”评选活动奖项设立了年度杰出人物奖、年度技术突破奖、年度最佳中国市场表现奖、年度最佳投资机构奖、年度最佳IDM奖、年度最佳IC设计公司奖、年度新锐公司奖共七大奖项,并以权威性、创新性、成长性、持续性为评选标准,由中国半导体投资联盟110多家会员单位及440多位半导体行业CEO共同担任评委推选而出,旨在鼓励和表彰在过去一年中,在半导体技术创新和产品设计制造、行业资本管理及运作、产业链上下游集群建设等方面,做出突出贡献、取得优异成绩的个人及企业,以期增强我国半导体产业的竞争力,推进下一个“黄金十年”的到来! 自2016年成立以来,长江存储作为集3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,一直着力提供完整的存储器解决方案,为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。 “2020中国IC风云榜——年度技术突破奖”是中国半导体集成电路权威投资机构和专业媒体对长江存储创新能力和取得成果的肯定。Xtacking技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长,未来,长江存储仍将持续投入研发资源,扩大生产能力,以通过创新的技术和可靠的质量,提高市场竞争力,更好地满足客户需求,为全球存储器市场健康发展注入新动能。

    时间:2021-04-05 关键词: 闪存 Xtacking架构

  • 慧荣科技发布全球首款支持最新SD 8.0规范的SD Express控制器解决方案

    【2021/03/31,台北及美国加州讯】全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技(NasdaqGS:SIMO),今日宣布推出最新旗舰型SM2708 SD Express控制器解决方案,该解决方案支持最新SD 8.0规范并向后兼容SD 7.1规格。SM2708 SD Express控制器解决方案采用PCIe Gen3×2接口及NVMe 1.3规范,并支持最新一代3D NAND,搭载慧荣科技独有的NANDXtend® ECC技术、数据路径保护和可编程固件,可大幅提高3D NAND的可靠性和耐用性,完美提供超高性能来满足各行业对数据存储性能要求严苛的应用需求。 “许多最新的高端相机及智能手机都已支持8K录制视频,因此需要更快的传输速率。”慧荣科技市场营销暨研发资深副总段喜亭表示:“慧荣科技的SM2708主控芯片支持SD 8.0规范,该规范将数据吞吐量(Throughput)提高了三倍以上,可以轻松实现8K视频,RAW摄影,多通道IOT设备,多处理汽车存储以及其他需要超高数据速度的应用。” “如今,存储卡已在消费电子设备中广泛使用,SD Express存储卡与目前市场上数十亿的SD主机设备兼容,让消费者与SD Express存储卡真正做到无缝衔接。”Lexar雷克沙副总经理钟孟辰表示:“慧荣科技的SM2708主控芯片具有出色的读/写速率,它将引领SD存储介质进入更高速和大容量的新时代。” “随着用户对高清影像数据存储要求的不断提升,用户需要更高性能、高容量的移动存储设备来满足其需求。”ADATA威刚产品营销处长陈志玮表示:“SM2708采用PCIe Gen3×2接口,将为使用者提供一种类似迷你固态硬盘的便携式存储设备的新选项。” SM2708设计套件现已上市,其固件具有领先业界的绝佳性能,其中包括: ▪ 高性能PCIe Gen3 x2通道,NVMe1.3规格 ▪ 支持双通道/8CE ▪ 支持最新3D NAND闪存 ▪ 支持ONFI 4.1/3.0,Toggle 3.0/2.0,最高达每秒1,200MT ▪ NANDXtend® ECC技术:高性能LDPC纠错码(ECC)引擎和RAID功能 ▪ 小于1.5mW的超低功耗 关于慧荣: 慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp.,NasdaqGS:SIMO)是全球最大的NAND闪存主控芯片供货商,我们提供的SSD主控芯片数量超过世界上任何其他公司,适用于服务器、个人计算机和其他客户端装置,同时也是eMMC/UFS主控芯片Merchant市场的领导者,适用于搭载行动嵌入式存储装置的智能型手机、物联网和其他应用。我们同时提供客制化高效能超大规模数据中心和特殊工业用及车用SSD解决方案。客户包括多数的NAND闪存大厂、存储装置模块厂及OEM领导厂商。更多慧荣相关讯息请造访www.siliconmotion.com

    时间:2021-03-31 关键词: 慧荣科技 NAND 闪存

  • 固态为什么要选择原厂颗粒?高性能SSD致钛PC005分析

    固态为什么要选择原厂颗粒?高性能SSD致钛PC005分析

    固态的组成中,最为核心的部分之一就是NAND闪存。作为长江存储的旗下的品牌——致钛,其生产的全部固态都全部采用了长江存储生产的Xtacking构架的NAND闪存。 (长江存储的专利技术Xtacking构架) 当然除了卓越的稳定性和寿命外,读写速度也是至关重要的一点,毕竟作为经常作为数据经常往来的“仓库”,光有稳定性,而“运输不畅”也难以称得上优秀。那致钛目前生产的硬盘速度表现究竟如何? 致钛目前最强的固态硬盘,当然是采用M.2接口,Nvme协议的PC005 Active了。 (致钛目前最强的消费级固态PC005 Active) 超长寿命 并且在老化的测试,致钛PC005的表现也是业内顶尖,这保障长时间运行,依然能够提供绝佳的稳定性与速度。 (蓝色为致钛所使用的长江存储颗粒) 吹的再响不如实际点来的痛快,致钛为PC005 Active提供了长达5年的质保,这个在业内也是领先水平,毕竟劣质产品肯定不敢提供长达五年的质保。 总结 当然,不断创新的致钛未来也会带来更多更有吸引力的存储产品,这点是毋庸置疑的。

    时间:2021-03-11 关键词: 固态硬盘 致钛 SSD 闪存

  • STM32学习笔记 | 片内FLASH读写失败问题分析

    FLASH,指Flash Memory,是一种非易失性存储器(闪存),掉电能正常保存数据。 STM32的存储器通常包含内部SRAM、内部FLASH,部分系列还包含EEPROM。其中FLASH通常用于存储代码或数据,可被读写访问。 嵌入式专栏 1 STM32 FLASH 基础内容 STM32的FLASH组织结构,可能因不同系列、型号略有不同。比如大家熟悉的STM32F1中小容量一页大小只有1K,而F1大容量一页有2K。 还比如有些系列以扇区为最小单元,有的扇区最小16K,有的128K不等。 本文主要结合F4系列来描述关于FLASH的相关内容。 1.Flash 结构 通常Flash包含几大块,这里以F40x为例: 主存储器:用来存放用户代码或数据。 系统存储器:用来存放出厂程序,一般是启动程序代码。 OTP 区域:一小段一次性可编程区域,供用户存放特定的数据。 选项字节:存放与芯片资源或属性相关的配置信息。 2.Flash 常规操作 Flash 读、写(编程)、擦除: 128 位宽数据读取 字节、半字、字和双字数据写入 扇区擦除与全部擦除 (提示:不同系列可能存在差异,比如还有字节读取,页擦除等) Flash 读、写保护:通过配置选项字节实现。 3.Flash 容量 STM32的Flash容量出厂已经决定,可根据型号得知容量大小。 4.存储器端格式 目前STM32存储器组织结构默认为小端格式:数据的低字节保存在内存的低地址。 更多内容请查阅芯片对应的参考手册。 嵌入式专栏 2 FLASH 选项字节 STM32内部Flash具有读写保护功能,想要对Flash进行读写操作,首先要去除读写保护,读写保护通过配置选项字节完成。 配置选项字节,常见两种方式:1.软件编码;2.编程工具; 1.软件编码 比如STM32F4系列标准外设库库提供函数: void FLASH_OB_Unlock(void);void FLASH_OB_Lock(void);void FLASH_OB_WRPConfig(uint32_t OB_WRP, FunctionalState NewState);void FLASH_OB_WRP1Config(uint32_t OB_WRP, FunctionalState NewState);void FLASH_OB_PCROPSelectionConfig(uint8_t OB_PcROP);void FLASH_OB_PCROPConfig(uint32_t OB_PCROP, FunctionalState NewState);void FLASH_OB_PCROP1Config(uint32_t OB_PCROP, FunctionalState NewState);void FLASH_OB_RDPConfig(uint8_t OB_RDP);void FLASH_OB_UserConfig(uint8_t OB_IWDG, uint8_t OB_STOP, uint8_t OB_STDBY);void FLASH_OB_BORConfig(uint8_t OB_BOR);void FLASH_OB_BootConfig(uint8_t OB_BOOT);FLASH_Status FLASH_OB_Launch(void);uint8_t FLASH_OB_GetUser(void);uint16_t FLASH_OB_GetWRP(void);uint16_t FLASH_OB_GetWRP1(void);uint16_t FLASH_OB_GetPCROP(void);uint16_t FLASH_OB_GetPCROP1(void);FlagStatus FLASH_OB_GetRDP(void);uint8_t FLASH_OB_GetBOR(void); 软件编码通过调用这些函数接口就可以配置选项字节。 2.编程工具 比如STM32CubeProg编程工具: 配置STM32选项字节,还可通过ST-LINK Utility、STVP等类似工具进行配置。 提示:不同型号的STM32选项字节可能略有差异。 嵌入式专栏 3 FLASH 读写擦除操作 STM32内部Flash和其他外部Flash类似,支持读、写、擦除等常规操作。对内部Flash操作之前通常需要解锁、去保护等操作。 比如: FLASH_OB_Lock();FLASH_OB_WRPConfig(OB_WRP_Sector_All, ENABLE);FLASH_OB_PCROPConfig(OB_PCROP_Sector_All, ENABLE); 1.读数据 读取内部Flash数据通常有两种方式: 通过程序(编码)读取 通过外部(编程)工具读取 程序(编码)读取: uint32_t uwData32 = 0;uint32_t uwAddress = 0x08001000;uwData32 = *(__IO uint32_t*)uwAddress; 外部编程工具读取: 读取前提:没有读保护,设置好读取地址,长度、数据宽度等。 2.写数据 往STM32内部Flash写数据和读数据类似,但写数据地址不能有数据,也就是写之前要擦除数据。 所以,相对读数据,通常写之前需要一些额外操作,比如: FLASH_Unlock();FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR); 通过工具写数据,就是我们量产时说的下载数据,正式一点说法叫编程。 3.擦除数据 擦除数据通常分擦除页、扇区、整块,擦除时间也因型号不同、速度不同有差异。 提示:该部分内容建议参考官方提供的Demo(标准外设库和HAL都有基本例程) 嵌入式专栏 4 FLASH 常见问题 STM32内部Flash主要用途是存储程序代码和数据。操作内部Flash要慎重,一旦操作不当就有可能会破坏整个程序。 问题一:编程(写数据)地址非对齐 写数据时,我们要指定写入的地址,如果写入地址为非对齐,则会出现编程对齐错误。 比如: 遵循32位(4字节)地址对齐,你的地址只能是4的倍数。0x08001000正确,0x08001001错误。 提示:不同型号对齐宽度可能不同,有的32位、有的128位等。 解决办法:通过“取余”判断地址。 问题二:编程地址数据未擦除 写数据之前需要擦除对应地址数据才能正常写入,否则会出现失败。 我们擦除数据通常是页,或扇区,写入某个地址数据,就可能影响其他地址的数据,如果直接覆盖就会出现问题。 解决办法:通常的做法是读出整页(或扇区)数据并缓存,再擦除整页,再写入。 问题三:擦除时读取数据 STM32内部Flash在进行写或擦除操作时,总线处于阻塞状态,此时读取Flash数据就会出现失败。【双BANK模式除外】 解决办法:通过标志判断写/擦除操作是否完成。 问题四:电压不稳定写入失败 处于外界干扰较大的环境,供电就有暂降的可能,而对STM32内部Flash进行操作时,如果低于特定电压就会出现编程失败。 操作Flash的最低电压既与工作频率有关,也与STM32型号有关(具体需要看数据手册)。 解决办法:通过完善硬件电路保证电压稳定。电源电压不够或不稳导致隐患往往不易觉察!! 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2021-03-09 关键词: Flash STM32 闪存

  • SD卡坏了,还能这样修复?!

    现在很多现代的NAND闪存设备都采用了一种新型的架构,将接口、控制器和存储芯片集成到一个普通的陶瓷层中。我们称之为一体结构封装。 但是,如果我们的存储卡或UFD设备是基于一体封装架构的,我们该怎么办?如何访问NAND内存芯片并从中读取数据? 在开始处理一体FLASH数据恢复之前,我们应该警告你,一体FLASH器件焊接的整个过程很复杂,需要良好的焊接技能和特殊设备。 如果您之前从未尝试过焊接一体FLASH器件,那么最好在一些数据不重要的配件在设备上尝试您的技能。 例如,您可以购买其中的几个,以测试您的准备和焊接技能。 之后,我们开始从底部擦掉陶瓷层。 这个操作需要一些时间,所以你应该非常耐心和小心。 如果你损坏了引脚层,数据恢复将是不可能的! 我们从粗砂纸(最大尺寸的砂)开始 – 1000或1200。 最后,当触点铜层变得可见时,我们应该使用最小的砂粒尺寸 – 2500。 下一步是在我们的全球解决方案中心搜索引脚。 要继续使用整块,我们需要焊接3组触点: 数据I / O触点: D0, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7; 指令触点: ALE, RE, R/B, CE, CLE, WE; 电源触点: VCC, GND. 之后,我们应该将microSD卡固定在电路板适配器上,以便更方便地焊接。 在焊接之前打印出一体FLASH器件的引脚排列方案是个好主意。 你可以把这个方案放在你的旁边,这样当你需要检查引脚数组时,它就在眼前。 在湿齿镐的帮助下,我们应将所有BGA锡球放置在引脚排列方案上标记的铜引脚触点上。 最好使用尺寸为触点直径约75%的BGA锡球。 液体助焊剂将帮助我们将BGA球固定在microSD卡表面上。 当所有的BGA锡球都放在引脚上时,我们应该使用烙铁来熔化锡。 小心!轻轻地执行所有动作! 为了熔化,请用烙铁头轻轻触碰BGA锡球。 使用热风枪,我们应该加热+ 200C的温度我们的引脚。BGA助焊剂有助于在所有BGA触点之间分配热量并小心地熔化它们。 加热后,所有触点和BGA锡将采取半球形式。 当所有触点都焊接完毕后,确保没有任何一个触点连接到GND层,所有的针脚必须非常紧固! 来源:网络 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2021-02-20 关键词: NAND SD卡 闪存

  • 2020全球半导体行业数据:美国公司独占一半,中国稳坐最大市场

    本文来源:智东西 美国SIA(半导体产业协会)前天宣布,2020年全球半导体行业销售额为4390亿美元,其中美国公司占了近一半。 根据SIA的数据,2020年中国仍是最大的半导体芯片市场,NAND闪存类产品销售额增长最快。 全球半导体销售4390亿美元, 美国市场提升近20%为全球第一 据SIA统计,2020年全球半导体产业销售额为4390亿美元,与2019年的4123亿美元相比增长了6.5%。其中,美国半导体公司的销售额约为2080亿美元,占全球销售额的47%。 从各季度销售情况来看,第四季度全球半导体产业的销售额增长,抵消了3、4月份的大幅下滑。 具体来说,2020年第四季度全球半导体销售额为1175亿美元,同比增长8.3%,环比增长3.5%。2020年12月,全球半导体产业销售额为392亿美元,同比增长8.3%,环比减少2.0%。 ▲世界半导体市场营收和变化(来源:WSTS) 从地区来看,2020年美国芯片市场销售额增长了19.8%达到941.5亿美元,涨幅全球第一,其中12月销售额环比降低3%。 SIA的行业数据和经济政策总监Falan Yinug称,美国芯片采购量的增长很大程度上是由数据中心等设备的高端存储芯片所推动。 尽管如此,2020年中国仍然是全球最大的芯片市场,其销售额总计1517亿美元,与2019年相比增长了5.0%,12月中国芯片销售额环比降低4.5%。 除此之外,2020年亚太其他地区和日本的市场也有所扩大,与上一年相比销售额涨幅分别为5.3%和1.0%;12月两地销售额环比增长分别为0.8%和0.1%。 但欧洲市场在2020年反而有所萎缩,2019年销售额相比上一年降低了6.0%,2020年12月销售额环比降低0.2%。 其中月销售额数据由世界半导体贸易统计(WSTS)组织汇总,为三个月的移动平均线。SIA声称统计数据覆盖了美国半导体产业98%的营收和近2/3的非美国芯片公司。 美国芯片制造能力仅占全球12%, 立法砸钱提高制造能力 SIA总裁兼首席执行官John Neuffer称,在新冠肺炎疫情和其他因素影响下,2020年全球芯片销售额涨幅较为适中。 在2020年,随着企业适应在家办公,美国的科技公司如亚马逊、微软和谷歌等都看到了云计算应用的急剧增长,这是推动芯片销售额增长的一个因素。 虽然2020年美国芯片公司销售额占全球半导体销售额的近一半,但在芯片制造能力方面,美国玩家只占据了全球芯片产能的12%。相比之下,1990年这一数据为37%。目前,大多数美国公司选择从亚洲芯片厂商那里采购芯片。 Neuffer强调,今年1月通过的《国防授权法案》(National Defense Authorization Act)中的芯片制造激励措施可能会帮助改变这一数字。 这项激励措施或能为英特尔、格芯、三星和台积电等提供资金,帮助美国本土玩家、在美建厂的国外芯片玩家降低成本,进而助力美国在全球半导体市场中获益。 逻辑芯片和存储芯片销售额最高, NAND闪存销量增长23.1% 产品类别方面,逻辑芯片和存储芯片成为全球半导体市场中最畅销的两类产品。 根据SIA数据,在2020年,逻辑芯片市场销售额约为1175亿美元,存储芯片市场销售额约为1173亿美元。 与2019年相比,逻辑芯片的年销售额增长了10.3%,而存储芯片的销售额增长了10.2%。 在存储芯片中,NAND闪存产品的年销售额涨幅最大,在2020年增长了23.1%达到495亿美元。 另外,2020年微IC领域(含微处理器)销售额增长4.8%,达到696亿美元;所有非存储芯片类产品的销售额合计增长5.2%,创下历史新高。 结语: 半导体市场火热, 芯片制造产业链需培养 半导体技术作为集成电路的基础之一,是对电子设备发展起决定作用的技术之一。其中芯片产业作为最核心的技术产业,具有资本密集性和技术密集性,门槛较高。 2020年整个半导体芯片市场的火热在一定程度上反映了市场中的供需关系,也说明产能和需求之间还存在一定的差距。 美国出台法案阻止其制造能力的下滑也证明了芯片制造产业对于一个国家的重要性,中国目前芯片制造产业在半导体材料、设备、晶圆代工等多个领域还存在比较明显的短板,需要更多的人才和资金流入,使中国的芯片产业制造链能够不受其他国家左右。  参考来源:路透社、SIA ~END~ 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2021-02-07 关键词: 半导体 芯片 闪存

  • 传长江存储计划2021年产量提高一倍,官方回应来了!

    传长江存储计划2021年产量提高一倍,官方回应来了!

    1月12日,据《日经亚洲评论》援引知情人士消息称,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)计划在2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍,达到每月10万片晶圆的产能,约占全球总产量的7%。 据悉,作为全球第一家量产3D架构NAND型快闪存储器的厂商,韩国三星电子的月产量为48万片晶圆;而美国存储器巨头美光的月产量为18万片晶圆。长江存储的产量提高一倍,将有助于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。 该报道还指出,长江存储除了计划增产之外,也在加快技术开发进程。 据知情人士透露,长江存储计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。不过,因为先进工艺的复杂性,需要时间确保量产芯片质量,这一计划有可能会被推迟到下半年。 (长江存储推出的128层QLC闪存) 值得一提的是,该报道指出,长江存储已经撼动了全球NAND闪存市场。当英特尔在2020年将旗下的NAND闪存业务出售给SK海力士的时候,一些市场观察人士认为,此举是这家美国芯片制造商为了避免可能来自长江存储的激烈竞争所做出的决定。除此之外,长江存储还是中国建立自主半导体产业链的重要推动力。 对此消息,长江存储1月13日发布声明回应称,近日发现个别境外媒体通过多种渠道刊登、散布关于我司产能建设、产品销售等不实言论;关于下一步建设计划具体情况,请以公司官方渠道为准。 (长江存储发布的声明公告) 根据官网介绍,长江存储成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储致力于为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片,以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。 2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月,长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存,拥有业界最高的IO速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前,长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心,全球共有员工6000余人,其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新,长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。

    时间:2021-01-13 关键词: 长江存储 闪存

  • Microchip推出64 Mb并行SuperFlash®闪存,丰富旗下应用于航天系统的COTS耐辐射产品阵容

    为减少开发航天器系统的时间、成本和风险,设计人员可以在初始阶段使用商用现货(COTS),随后再将其替换为具有相同引脚分布、采用塑料或陶瓷封装的宇航级等效耐辐射器件。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出一款耐辐射的64兆位(Mbit)并行接口SuperFlash闪存器件,具有卓越的总电离剂量(TID)耐受能力,可在恶劣的太空辐射环境中实现最大的可靠性和耐用性。新产品是Microchip用于航天系统的单片机(MCU)、微处理器(MPU)和现场可编程门阵列(FPGA)的理想配件,为这种可扩展的开发模型提供了构建模块。 Microchip航空航天和国防业务部副总裁Bob Vampola表示:“在使用我们的耐辐射或抗辐射微处理器和FPGA开发航天系统总体解决方案的过程中,SST38LF6401RT SuperFlash产品进一步增强了扩展性,航天系统需要配套的闪存来存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流,对数字处理的可靠性要求非常之高,新产品为这一过程提供了关键的保护。” 即使在闪存仍处于供电和运行状态时,SST38LF6401RT器件的辐射耐受能力也高达50千拉德(Krad)TID,该产品能使系统在各种空间应用中运行。在这些应用中,系统无法承受任何代码执行错误,否则可能导致严重缺陷和系统崩溃。新产品是Microchip基于SAMRH71 Arm® Cortex®-M7的抗辐射SoC处理器的理想配件,也可与RT PolarFire® FPGA配合使用,以支持航天器搭载系统的重新配置。新产品与其工业版本具有兼容的引脚分布,以便在印刷电路板(PCB)上轻松替换为宇航级的塑料或陶瓷封装版本。SST38LF6401RT的工作电压范围为3.0至3.6伏(V)。 开发工具和供货 SST38LF6401RT SuperFlash器件现在提供陶瓷封装的样品,可根据要求提供评估板和演示软件。此外,还可以根据要求提供FPGA飞行编程参考案例,演示如何将SuperFlash器件与FPGA和SAMRH71处理器通过支持软件进行集成。 Microchip从COTS到耐辐射产品的工艺 通过改进旗下成熟可靠的汽车或工业标准产品系列中相关器件的硅工艺,Microchip能为这些器件提供增强的保护,使它们免受重离子环境中的单粒子闩锁影响。通过为每个功能块提供专门的辐射报告,这些经过少量修改的器件的辐射性能得到充分的表征。这些器件被广泛应用于运载火箭、卫星组网和空间站等各种应用中。设计人员可以使用易于获取的COTS器件开始系统部署,然后再将其替换为引脚兼容的宇航级器件,这些器件采用高可靠性的塑料或陶瓷封装。 世健提供免费样品、参考设计以及技术指导,有成功案例。 原文转自Microchip微芯 关于世健 亚太区领先的元器件授权代理商 世健(Excelpoint)是完整解决方案的供应商,为亚洲电子厂商包括原设备生产商(OEM)、原设计生产商(ODM)和电子制造服务提供商(EMS)提供优质的元器件、工程设计及供应链管理服务。 世健是新加坡主板上市公司,拥有超过30年历史。世健中国区总部设于香港,目前在中国拥有十多家分公司和办事处,遍及中国主要大中型城市。凭借专业的研发团队、顶尖的现场应用支持以及丰富的市场经验,世健在中国业内享有领先地位。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-12-30 关键词: 航天系统 闪存

  • Microchip推出 64 Mb并行SuperFlash®闪存,丰富旗下应用于航天系统的COTS耐辐射产品阵容

    Microchip推出 64 Mb并行SuperFlash®闪存,丰富旗下应用于航天系统的COTS耐辐射产品阵容

    为减少开发航天器系统的时间、成本和风险,设计人员可以在初始阶段使用商用现货(COTS),随后再将其替换为具有相同引脚分布、采用塑料或陶瓷封装的宇航级等效耐辐射器件。 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出一款耐辐射的64兆位(Mbit)并行接口SuperFlash闪存器件,具有卓越的总电离剂量(TID)耐受能力,可在恶劣的太空辐射环境中实现最大的可靠性和耐用性。新产品是Microchip用于航天系统的单片机(MCU)、微处理器(MPU)和现场可编程门阵列(FPGA)的理想配件,为这种可扩展的开发模型提供了构建模块。 Microchip航空航天和国防业务部副总裁Bob Vampola表示:“在使用我们的耐辐射或抗辐射微处理器和FPGA开发航天系统总体解决方案的过程中,SST38LF6401RT SuperFlash产品进一步增强了扩展性,航天系统需要配套的闪存来存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流,对数字处理的可靠性要求非常之高,新产品为这一过程提供了关键的保护。” 即使在闪存仍处于供电和运行状态时,SST38LF6401RT器件的辐射耐受能力也高达50千拉德(Krad)TID,该产品能使系统在各种空间应用中运行。在这些应用中,系统无法承受任何代码执行错误,否则可能导致严重缺陷和系统崩溃。新产品是Microchip基于SAMRH71 Arm® Cortex®-M7的抗辐射SoC处理器的理想配件,也可与RT PolarFire® FPGA配合使用,以支持航天器搭载系统的重新配置。新产品与其工业版本具有兼容的引脚分布,以便在印刷电路板(PCB)上轻松替换为宇航级的塑料或陶瓷封装版本。SST38LF6401RT的工作电压范围为3.0至3.6伏(V)。 开发工具和供货 SST38LF6401RT SuperFlash器件现在提供陶瓷封装的样品,可根据要求提供评估板和演示软件。此外,还可以根据要求提供FPGA飞行编程参考案例,演示如何将SuperFlash器件与FPGA和SAMRH71处理器通过支持软件进行集成。 Microchip从COTS到耐辐射产品的工艺 通过改进旗下成熟可靠的汽车或工业标准产品系列中相关器件的硅工艺,Microchip能为这些器件提供增强的保护,使它们免受重离子环境中的单粒子闩锁影响。通过为每个功能块提供专门的辐射报告,这些经过少量修改的器件的辐射性能得到充分的表征。这些器件被广泛应用于运载火箭、卫星组网和空间站等各种应用中。设计人员可以使用易于获取的COTS器件开始系统部署,然后再将其替换为引脚兼容的宇航级器件,这些器件采用高可靠性的塑料或陶瓷封装。

    时间:2020-12-16 关键词: Microchip SuperFlash 闪存

  • 176 层 TLC 4D NAND 闪存,SK 海力士给你性能!

    176 层 TLC 4D NAND 闪存,SK 海力士给你性能!

    2020年12月8日消息 在这篇文章中,小编将为大家带来SK 海力士 176 层 TLC 4D NAND 闪存的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。 SK海力士宣布,已开发出176层512Gb TLC 4D NAND,并已在上个月给主控厂商提供样品,稍晚些还将推出基于176层的1Tb容量4D NAND,预计2021年中将有基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品面世。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术,数据传输速度提高了 33%,达到 1.6 Gbps。明年年中,SK 海力士将推出最大读取速度提高 70%、最大写入速度提高 35% 的移动解决方案产品,并计划推出消费者和企业 SSD 产品,进而扩大该产品的应用市场。 SK 海力士还计划开发基于 176 层 4D NAND的 1Tb 密度的闪存,从而持续增强其在NAND闪存业务的竞争力。 4D闪存是SK海力士自己的说法,此番的176层更是被称之为第三代,每片晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。 除了容量增加35%,闪存单元的读取速度也提升了20%,使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps。 SK海力士4D NAND结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术,2019年送样第一代96层4D NAND,同年次月又推出了第二代128层4D NAND,本次成功研发出的176层NAND是第三代4D NAND产品。 SK海力士预计相关产品明年年中上市,目前主控厂商已经在测试样品,预计会在手机闪存领域首发,目标是70%的的读速提升和35%的写速提升,后续还会应用到消费级SSD和企业产品上。 根据一份CFM(中国闪存市场)的数据显示,2020年第三季度NAND Flash营收三星仍以市场份额33.3%高居第一;铠侠市场份额21.4%,排名第二,西部数据排第三;SK海力士排名第四;美光位列第五;英特尔排名第六位,长江存储市占份额已经超过1%排名第七。 在SK海力士之前,美光也发布了176层3D NAND,这是继128层之后NAND Flash新一代技术制高点。值得注意的是,在美光和SK海力士新技术进展加速推动下,2021年原厂将可能直接在176层NAND技术上展开竞争。 目前存储市场竞争非常激烈,各家厂商技技术迭代非常快,NAND颗粒的堆叠的数字也是越来越大,而且随着国产厂商的努力,市场也变的不再是那么的垄断,前面的领头厂商为了市场地位,对新技术的研发力度也会继续增大。 以上所有内容便是小编此次为大家带来的所有介绍,如果你想了解更多有关它的内容,不妨在我们网站或者百度、google进行探索哦。

    时间:2020-12-08 关键词: 海力士 NAND 闪存

  • 铠侠获得华为部分供货许可证!

    据日经新闻最新报道显示,NAND闪存解决方案商铠侠(Kioxia)已获得美国许可证,可向华为供货部分NAND Flash芯片产品。铠侠方面表示,拒绝评论与个别客户的交易。 具体来说,可以供货的NAND Flash芯片包括数据中心和服务器等应用的芯片,但很遗憾并不包括用于智能手机的NAND Flash芯片。 铠侠最初在9月14日停止对华为供货,如若消息属实,铠侠将是首个恢复对华为供货的存储厂商,目前其他存储厂商未公开是否获得供货华为的许可。不过,此前新闻显示,三星、SK海力士、美光、西部数据均在申请批准中,目前尚未清楚审批结果。 其他零部件方面,英特尔、AMD、Dialog、瑞萨电子、索尼等图像传感器供应商据悉都已获得相关许可证。 官网显示,铠侠原为东芝存储, 2017年4月,铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离,开创了先进的存储解决方案和服务,可丰富人们的生活并扩大社会的视野。东芝公司于1987年发明了NAND闪存,铠侠的3D闪存技术BiCS FLASH™,正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式,其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。 铠侠是全球存储器解决方案领导者,致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。其零售产品覆盖存储卡、闪存盘及固态硬盘等各类闪存产品。铠侠电子(中国)有限公司负责铠侠株式会社的产品在中国市场的销售和业务推广,资材采购支援、客户技术支持、外包生产技术支持。 财报显示,铠侠2020年Q2受智能手机销量大增和SSD市场影响,Flash出货量环比增长25%。 媒体评论表示,如若铠侠恢复对华为数据中心、服务器等应用的NAND Flash芯片的供货,不仅将对本季业绩带来正面的积极推动效应,也将提振公司IPO上市计划的信心。   END 版权归原作者所有,如有侵权,请联系删除。 ▍ 推荐阅读 集齐小米之家全套要69万?吴雄昂回应:ARM无权罢免我! 美国管制无影响!中芯国际偷着乐 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-12-08 关键词: 芯片 闪存

  • 太强了!长江存储打入华为供应链

    种种“摧残”下的华为,不得不卖出自己的荣耀,试图最后拯救荣耀这一子品牌。然而在国产化的大背景下,华为又迎来了重大的好消息21ic家获悉,日前,IC WORLD上长江存储(YMTC)首席执行官杨士宁表示,很多人反映很少看到国产内存, 实际上华为Mate 40系列手机现在也使用了长江存储的64层3D NAND闪存。他强调,与国际存储大厂6年的路程相比, 长江存储仅用了短短3年时间实现了3D NAND的32层、64层、128层的跨越。会议上, 他还展示了长江存储 先进的Xtacking技术, 他表示目前只有带有这个标签的终端产品才是真正的长存国产芯片。 他表示,Xtacking生态联盟于今年8月成立,目前已汇聚20多家厂商和100多款产品。Xtacking是什么?Xtacking®:创新架构使3D NAND能拥有更快的I/O接口速度采用Xtacking®,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。Xtacking®:创新架构使3D NAND能拥有更高的存储密度传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking®技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。Xtacking®:模组化的工艺将提升研发效率并缩短生产周期Xtacking®技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势,实现了并行的、模块化的产品设计及制造,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外,这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。“长江存储是走在国际最前沿的,技术也是非常先进的,以后可以委托给中芯国际” ,他如是说。搭载在华为Mate40系列手机的是SFS1.0闪存,容量上拥有128GB、256GB、512GB三种,实测持续读取、写入速度分别达到了1966MB/s、1280MB/s。通过测试,这个SFS1.0比UFS 3.1闪存还要快。此前手机闪存大多使用的是三星、海力士、美光等进口产品。长江存储官方网站显示,长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月,长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存,拥有业界最高的IO速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心,全球共有员工6000余人,其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新,长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。21ic家注意到,长江存储日前在市场占有率越来越高,2020年第三季度数据显示,长江存储已进入全球第七。杨士宁更是表示,近三年长江存储每年增加10倍,长江存储将借助Xtacking平台,坚持合作开放,不断深化国际国内方面的合作。Mate 40作为华为发布的最高端的产品系列,研发经费达到了37亿,也是华为的匠心之作。 除了长江存储,这款手机还使用了京东方的国产OLED屏幕。值得一提的,紫光集团下紫光展锐也迎来好消息,紫光展锐执行副总裁周晨,在近日接受采访时表示, 自研6nm 5G芯片即将在明年量产。

    时间:2020-11-22 关键词: 长江存储 闪存

  • 美光出货全球首款 176 层 NAND,实现性能密度重大突破

    2020 年 11 月 12日,中国上海 — 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,一举刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的重大提升。美光全新的 176 层工艺与先进架构共同促成了此项重大突破,使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益,实现性能上的巨大提升。 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“美光的 176 层 NAND 树立了闪存行业的新标杆,与最接近的竞争对手同类产品相比,堆叠层数多出近 40%。结合美光的 CMOS 阵列下 (CMOS-under-array) 架构,该项技术帮助美光继续在成本方面保持行业领先优势。” 该款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构,是市场上最先进的 NAND 技术节点。与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比,176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上,极大地提高了应用的性能。美光的 176 层 NAND 采用紧凑型设计,裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%,是满足小尺寸应用需求的理想解决方案。 采用突破性技术,发挥闪存巨大潜力,服务多元化市场 美光执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示:“采用美光的 176 层 NAND 后,我们的客户将实现突破性的产品创新。我们将在广泛的产品组合中部署这项技术,在 NAND 应用的各个领域中实现价值,重点把握 5G、人工智能、云和智能边缘领域的增长机会。” 美光 176 层 NAND 拥有全面设计和行业首屈一指的密度,应用广泛,在多个行业将不可或缺,包括移动设备存储、自动驾驶系统、车载信息娱乐以及客户端 (PC) 和数据中心的固态硬盘 (SSD)。 美光 176 层 NAND 的服务质量 (QoS) 进一步提升, 这对数据中心 SSD 的设计标准而言至关重要——它能更快应对数据密集型环境和工作负载,例如数据湖、人工智能 (AI) 引擎和大数据分析。对于 5G 智能手机而言,提升的 QoS 意味着多个应用程序启动和切换更加快速,带来流畅、反应迅速的移动体验,真正实现多任务处理和 5G 低延迟网络的充分利用。 在开放式 NAND 闪存接口 (ONFI) 总线上,美光第五代 3D NAND 也实现了行业领先的 1600 MT/秒最大数据传输速率,比此前提升了 33%。更快的 ONFI 速度意味着系统启动更迅速、应用程序性能更出众。在汽车应用中,这种速度将让车载系统在发动机启动后近乎即时地响应,从而为用户带来更好的体验。 美光正与业界开发者合作,将新产品快速应用到解决方案中。为了简化固件开发,美光 176 层 NAND 提供单流程 (single-pass) 写算法,使集成更为便捷,从而加快方案上市时间。 创新架构,实现出众的密度和成本优势 随着摩尔定律逐渐逼近极限,美光在 3D NAND 领域的创新对确保行业满足数据增长需求至关重要。为了实现这一目标,美光开创性地结合了堆栈式替换栅极架构、创新的电荷捕获技术和 CMOS 阵列下 (CuA)技术。美光的 3D NAND 专家团队利用专有的 CuA 技术取得了大幅进步,该技术在芯片的逻辑器件上构建了多层堆栈,将更多内存集成封装在更紧凑的空间中,极大缩小了 176 层 NAND 的裸片尺寸,提升了单片晶圆的存储容量。 同时,美光还将 NAND 单元技术从传统的浮动栅极过渡到电荷捕获,提高了未来 NAND 的可扩展性和性能。除了电荷捕获技术,美光还采用了替换栅极架构,利用其中的高导电性金属字线取代硅层,实现了出类拔萃的 3D NAND 性能。采用该技术后,美光将大幅度降低成本,继续领跑业界。 通过采用这些先进技术,美光提升了产品耐用度,这将使各种写入密集型应用特别受益,例如航空航天领域的黑匣子以及视频监控录像等。在移动设备存储中,176 层 NAND 的替换栅极架构可将混合工作负载性能提高 15%,从而支持超快速边缘计算、增强型人工智能推理以及图像显示细腻的实时多人游戏。 供应情况 美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付,包括通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。

    时间:2020-11-12 关键词: nand 美光 闪存

  • 你真的了解Flash闪存吗?Flash闪存具备哪些类型?

    你真的了解Flash闪存吗?Flash闪存具备哪些类型?

    对于Flash,大家应该并不陌生。但是请注意哦,这里谈及的Flash不是动画播放格式,这里的Flash指的是Flash闪存。在这篇文章中,小编将对Flash闪存的几大类型予以介绍。如果你对Flash闪存具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 Flash闪存是非易失性存储器,这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后,内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 Nor Flash常常用于存储程序,最初MP3芯片不太成熟的时,曾经有使用过Nor Flash,比如炬力ATJ2075,SunplusSPCA7530等。目前这种Flash已经使用的不多了,只有少数的读卡MP3和数码相框中还有见到,因为这种支持SD卡的产品中没有内存,芯片内的ROM不够存储程序,所以需要用到Nor Flash存储程序。 另外AG-AND Flash 是日本Renesas(瑞萨)公司的技术,良品率不是很高,而且有效容量也比较低。原厂推出的Flash,容量有88%、92%、96%,96%可以用于MP3产品中,而另外两种只能用于U盘和SD卡产品中。我个人认为其性能比较差,尽量不要使用。现在Renesas已经推出Flash的生产商行列,而AG-AND技术也转给台湾力晶公司在继续生产。 Nand Flash也有几种,根据技术方式,分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写,意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell,意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。 SLC与MLC的参数对比: 可想而知,SLC的技术存储比较稳定,SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据,这样同样大小的晶圆就可以存放更嗟氖?荩?簿褪浅杀鞠嗤?那榭鱿拢?萘靠梢宰龅母?螅?庖彩峭??萘浚琈LC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC,MLC的价格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。 为了区分SLC和MLC,我向大家介绍3个方法: 1、 看Flash的型号:根据Flash的命名规则,进行区分。 2、 格式化,看是否稳定: 目前市场上还流行黑片、白片的说法,这些都是Downgrade Flash的类型,由于Flash制程和容量的提升,内部的构成越来越复杂。而新的制程推出时,产品良率并不一定理想,那些不良的Flash有些是容量不足,有些是寿命不能达到要求,有些是测试不能通过,这些不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由厂家推向市场,比如Spectech等就是镁光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作为废品淘汰掉,但是利润驱使,这些废品也会低价被收购流入市场。一些厂家以各种方案的扫描工具(Soting Board)来检验出来哪些能够使用。这些厂家收购Flash按斤回收,通过少则数十台Soting Board,所则上千台Soting Board一同扫描,每天有上百K的产能。大部分Downgrade Flash被做成SD卡,少数用于U盘,极少数厂家用于生产MP3。Downgrade Flash的处理方式多数是降低容量出售。可是不论怎样处理,都还是存在问题隐患。但由于价格低廉,Downgrade Flash的市场正在进一步成长。 以上便是此次小编带来的“Flash”相关内容,通过本文,希望大家对Flash闪存、Flash闪存类型具备一定的认知。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2020-11-04 关键词: Flash 指数 闪存

  • QLC闪存、TLC闪存是什么?QLC闪存、TLC闪存有何区别?

    QLC闪存、TLC闪存是什么?QLC闪存、TLC闪存有何区别?

    闪存是最常用器件之一,在诸如SSD等存储设备中均存在闪存。但是,大家对闪存真的足够了解吗?为增进大家对闪存的了解和认识,本文将对QLC闪存以及TLC闪存相关内容予以介绍。如果你对闪存具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、前言 我们渴求大容量的SSD,不过超过TB大容量SSD动不动就几千元的售价,对于支付能力有限用户实际上没有意义。SSD的成本主要来源于闪存,在TLC闪存能够实现TB容量可惜价格未能降下来。只有不断开发新类型的闪存,解决容量与价格的矛盾,才能让SSD真正在大数据时代发挥应有作用。 这时,QLC 闪存就应运而生,目前,东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片,即QLC闪存,这也意味着QLC SSD将要来临。那么,它与TLC闪存又有什么区别,能否取代TLC成为SSD主流闪存之选? 二、QLC闪存颗粒 在聊QLC之前,我觉得先来聊一聊TLC会有助于大家理解它。 现在购买过SSD的朋友应该都听说过TLC闪存颗粒,因为2017年整体TLC SSD出货比重接近75%,而SSD市场所占比重更大,也就是说现在大家买到的固态硬盘,基本上都是TLC的。 QLC则是有望未来接替他成为主流的产品! 闪存颗粒的类型有以下几种:SLC、MLC 、TLC 、QLC。 参照上图解释给大家会更清晰一些 SLC单比特单元(每个Cell单元只储存1个数据,有21=2个状态,就是0和1,也就是仅有两种不同的电压状态),因为稳定,所以性能最好,寿命也最长(理论可擦写10W次),成本也最高,最早的顶级颗粒,但因为成本问题,目前已经消失在大家的视野里。 MLC双比特单元(每个Cell单元储存2个数据,有22=4个状态,00/01/10/11,因此有四种不同电压状态),也就是仅有两种不同的电压状态)性能、寿命(理论可擦写1W次)、成本在几种颗粒中算是均衡的,接替SLC的产品,在TLC之前的绝对主流颗粒,而目前主要用于高端和企业级产品。 TLC三比特单元(每个Cell单元储存3个数据,有23=8个状态,不详列,如上图,有八种不同电压状态),成本低,容量大,但寿命越来越短(理论可擦写1500次),但随着技术的成熟,目前寿命问题已经得到解决,并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。 QLC四比特单元(每个Cell单元储存4个数据,有24=16个状态,不详列,如上图,有十六种不同电压状态),成本更低,容量更大,但寿命更短(理论可擦写150次),想成为接替TLC的产品还有急需解决的问题。 注:每Cell单元存储数据越多,单位面积容量就越高,但同时导致不同电压状态越多,越难控制,所以导致颗粒稳定性越差,寿命低。利弊都有。 不得不承认,TLC闪存的出现大大提升了SSD的容量,并在一定程度上降低了SSD的价格。不过,依旧没解决SSD价格的难题,大容量SSD仍旧贵。小容量SSD+大容量HDD的存储方案,终究没有单纯大容量SSD来得好。 当QLC 闪存的诞生,也许既廉价又拥有超大容量的SSD,从理想变为现实。 三、QLC与TLC区别 1、寿命 前段时间,东芝称其QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环,打破100-150次魔咒,可以与TLC闪存颗粒寿命相媲美。如果真的达到这个标准,那么QLC SSD就能够“理直气壮”进入市场了。 1000次寿命,对于普通人来说,也没有那么可怕。一般人平均每天的写入量很少能超过10GB,那么我们就假设是10GB,120GB QLC SSD,写入寿命达到120 TB。假设写入放大系数则假定为3,甚至5,那么三年之内,很难写坏它。且QLC闪存拥有高容量,也意味着其在QLC驱动器中可通过超额配置以延长产品本身的有效寿命。 目前TLC SSD在质保期普遍达到3年,有的质保期甚至达到5年。那么QLC 寿命问题又有什么好担心? 2、稳定性 QLC闪存是存储4位电荷,有16种状态,而TLC存储3位电荷,有8种状态。这意味着QLC闪存单位存储密度更大,是TLC的2倍,单颗芯片可达到256GB甚至512GB。但是,也因如此,QLC闪存的电压更难控制,干扰更复杂,而这些问题都会影响QLC闪存的性能、可靠性及稳定性。不过TLC的这个活生生的案例在前面,解决起来会更容易一些。 3、成本 虽然QLC只是在TLC的电子单元内增加了一个比特位,但其所要求的技术含量却非常高。因为不仅要在原有的基础上增加一个比特单位,还需要双倍的精度才能保有足够高的稳定性以及性能。不过,一旦解决了所有技术上的难题,随着SSD容量的大幅增加,其所需要的单位成本也会相应降低。 4、容量 东芝的QLC的技术已经可以实现每闪存颗粒768Gb(96GB)的容量,相比之TLC颗粒的512Gb有了更大提升。如果采用16颗粒封装,那么可以实现单颗芯片封装达到1.5TB的容量,容量达到目前单颗最大。如果一块SSD采用八颗这样的新品,总容量可以达到惊人的12TB。 写在最后: 虽说目前QLC 闪存不过刚正式出现在人们的视线中,其在速度、寿命、稳定性等方面可能会比TLC差,但是更便宜的成本、更大容量的优势是无法忽视的。随着技术的不断发展和成熟,QLC就像当年TLC一样从不被接纳到广泛认可也是早晚的事情, 其实不管是TLC还是QLC,只要价格够便宜,容量够大,速度够快,寿命有保障,总会获得消费者的喜欢,赢得属于自己的市场份额。 而对于HDD来说,QLC的出现将带来更大的威胁。或许真正QLC SSD普及之时,才是HDD 跟我们Say byebye之时。 以上便是此次小编带来的“闪存”相关内容,通过本文,希望大家对QLC闪存和TLC闪存以及二者之间的区别具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2020-11-04 关键词: 指数 qlc闪存 闪存

  • Intel600亿甩卖闪存业务给海力士,赚还是赔?

    Intel600亿甩卖闪存业务给海力士,赚还是赔?

    存储芯片业务可以算是Intel的六大支柱技术之一,就在近日,突然宣布将闪存业务卖给了SK海力士,让外界颇感意外,毕竟这几年都是Intel收购别的芯片业务。 根据协议,SK海力士将收购包括IntelNAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务,以及Intel在中国大连的NAND闪存制造工厂。 在获取相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从Intel收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。 剩下的20亿美元要等到2025年完成最终交割时才会支付,届时SK海力士将从Intel收购其余相关资产,包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。 回头看看,这笔交易似乎是双赢的局面,SK海力士借着收购Intel闪存一跃成为全球第二大闪存供应商,仅次于三星,超过恺侠、西数公司。 Intel这边呢,闪存业务虽然很重要,但是一直不能盈利,6月份的季度中倒是首次盈利了,但是长期来看并不乐观,闪存市场的低价竞争日趋激烈,特别是中国厂商也杀入市场了。 不光两家公司对收购一事感到高兴,就连华尔街分析师都觉得这事太好了,甚至来得太晚了,应该早点就卖掉闪存业务的。 雷蒙德·詹姆斯(Raymond James)分析师奇斯·卡索(Chis Caso)直言不讳表达了这事对Intel的利好,认为甩掉包袱之后,Intel每年的现金流可以增加20亿美元,约合133亿元。 这笔钱可以用来投资价值更高的业务,比如自动驾驶、AI芯片甚至自己的CPU芯片业务,总之是个大利好。 不过Intel的股价在收购案宣布之后并没有上涨,昨天还微跌了0.2%。所以还需要时间来看。

    时间:2020-10-22 关键词: Intel 海力士 闪存

  • 慧荣科技推出最新款PCIe 4.0 NVMe 1.4主控芯片,为消费级SSD带来极致的性能体验

    慧荣科技推出最新款PCIe 4.0 NVMe 1.4主控芯片,为消费级SSD带来极致的性能体验

    【2020/10/21,台北及美国加州讯】全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技(NasdaqGS:SIMO)(“Silicon Motion”)当天宣布推出一系列最新款超高性能、低功耗的PCIe 4.0 NVMe 1.4主控芯片解决方案,以满足全方位巿场需求,包括专为高端旗舰型Client SSD设计的SM2264、为主流SSD市场开发的SM2267,以及适用于入门级新型小尺寸应用的SM2267XT DRAM-Less主控芯片。 慧荣科技最新款SSD主控芯片解决方案符合PCIe 4.0 NVMe 1.4规范,完美展现Gen4的超高性能和低功耗特性,结合慧荣独家的错误码纠错(ECC)技术、数据路径和EMI保护,提供完整、稳定的数据保护,满足存储设备所需的高效稳定需求。全球已有10家重量级客户,包括NAND大厂和SSD OEM采用慧荣科技的Gen 4主控芯片搭载3D TLC或QLC NAND推出新品。 市调公司TrendFocus副总裁Don Jeanette表示:“众所皆知,慧荣科技长期以来一直是SSD主控芯片技术的领导者。在Gen 4规格日渐受到市场重视的同时,该公司于此时推出新品正好抓住最好的时机,而未来几年Gen 4势必成为PC、游戏机及其他消费级设备的标准规格。” 慧荣科技总经理苟嘉章表示:“PCIe Gen4将SSD的性能往上推升到另一个层次。我们最新款的PCIe 4.0 SSD主控芯片为消费级SSD应用提供一套完整的解决方案,能满足全球PC OEM和SSD模块领导厂商的长远需求。目前,多家OEM大厂客户已开始导入我们最新款的Gen 4 SSD主控芯片在他们的新品开发中,其中已搭载SM2267主控芯片的SSD已进入量产阶段。” 针对高性能和车用等级的PCIe Gen 4解决方案:SM2264支持Gen4×4通道、8个NAND通道设计 SM2264主要瞄准高性能和车用级SSD应用,搭载四核心ARM® Cortex®-R8 CPU,内含四个16Gb/s PCIe数据总线,并支持八个NAND通道,每个通道最高可达每秒1,600 MT。SM2264的先进架构采用12nm制程,能够大幅提升数据传输速率、降低功耗并提供更严密的数据保护,连续读写性能最高可达7,400MBs/6,800 MBs,随机读写速度最高达1,000K IOPS,提供使用者前所未有的超高性能体验。ARM® Cortex®-R8架构提供高速多线程处理能力,可满足新一代存储应用所需的混合工作负载作业需求。SM2264搭载慧荣科技最新第7代NANDXtend®技术,结合慧荣科技专利的最新高性能4KB LDPC纠错码(ECC)引擎和RAID功能,为最新一代的3D TLC和QLC NAND提供极佳的错误纠错能力。内建SR-IOV功能的SM2264也是车用级存储装置的理想选择,最多可同时为八台虚拟机(VM)提供直接的高速PCIe接口。SM2264目前进入客户送样阶段。 针对主流和入门级PCIe Gen 4的解决方案:SM2267支持Gen4×4通道、4个NAND通道设计;SM2267XT支持Gen4×4通道、4个NAND通道、DRAM-less 慧荣科技的SM2267和SM2267XT满足主流消费级和高性价比SSD应用需求,具备四个16Gb/s通道的PCIe和四个NAND通道,每个通道的最高速度为1,200MT/s,而连续读写性能更可高达每秒3,900/3,500MB。SM2267包含DRAM接口,而SM2267XT DRAM-less主控芯片可在不影响性能的前提下,满足小尺寸的产品设计需求。两者均搭载NANDXtend® ECC技术,并支持最新一代3D TLC和QLC NAND,提供高性能、高可靠性,最符合经济效益的PCIe NVMe SSD解决方案。SM2267和SM2267XT已进入量产阶段。 更多SSD主控芯片解决方案相关信息,请登录慧荣官网:www.siliconmotion.com。 关于慧荣 慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp.,NasdaqGS:SIMO)是全球最大的NAND闪存主控芯片供货商,同时也是SSD主控芯片的市场领导者。公司拥有最多的主控芯片解决方案及相关技术专利,主要使用于智能手机、个人计算机、消费性和工业级应用的SSD及eMMC+UFS等嵌入式存储装置。在过去十年,累绩出货量超过60亿颗,居业界之冠。公司同时提供大型数据中心企业级SSD与工业级SSD解决方案。客户包括多数的NAND闪存大厂、存储装置模块厂及OEM领导厂商。慧荣于2005年在美国NASDAQ上市。更多慧荣相关讯息,请造访:www.siliconmotion.com。

    时间:2020-10-21 关键词: 芯片 慧荣科技 闪存

  • SK海力士收购英特尔NAND闪存业务

    新闻概要: ● SK海力士将支付90亿美元收购英特尔NAND闪存及存储业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务、以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。 ● SK海力士作为全球半导体领头企业之一,旨在强化其NAND闪存解决方案相关竞争力,发展存储器生态系统,进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。 ●英特尔将保留英特尔®傲腾TM(OptaneTM)业务,并计划将本次交易获得的资金投入具备长期成长潜力的重点业务。   韩国首尔,美国加利福尼亚州圣克拉拉,2020年10月20日 – SK海力士和英特尔在韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议,根据协议约定,SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。 本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务,以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔®傲腾TM业务。   SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。此后,预计在2025年3月份最终交割时,SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关资产,包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。根据协议,英特尔将继续在大连闪存制造工厂制造NAND晶圆,并保留制造和设计NAND闪存晶圆相关的知识产权(IP),直至最终交割日。 通过本次收购,SK海力士旨在急速成长的NAND闪存领域中提升包括企业级SSD在内的存储解决方案相关竞争力,进一步跃升为行业领先的全球半导体企业之一。SK海力士期待这项交易将令SK海力士发展存储器生态系统,进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。 英特尔作为世界半导体行业的领先者,拥有业界领先的NAND SSD技术以及4阶储存单元(quadruple level cell,QLC)NAND闪存产品线。截止2020年6月27日,英特尔的NAND业务在今年上半年为英特尔非易失性存储器解决方案事业部(Non-volatile Memory Solutions Group, NSG)创下了约28亿美元的营收,以及约6亿美元的营业利润。 SK海力士于2018年成功开发了全球首款基于电荷撷取闪存(Charge Trap Flash,CTF)的96层4D NAND闪存,并于2019年开发了128层4D NAND闪存。SK海力士将结合英特尔的存储解决方案相关技术及生产能力,打造包括企业级SSD在内的具有高附加值的一系列3D NAND解决方案。 英特尔计划将本次交易获得的资金用于开发业界领先的产品和加强其具有长期成长潜力的业务重点,包括人工智能(AI)、5G网络与智能、自动驾驶相关边缘设备。   英特尔与SK海力士将共同合作以确保为客户、供应商以及全体员工提供无缝衔接的顺利过渡。两家公司将维持包括DDR5相关领域合作在内的两者间紧密的合作关系,以满足日益增长的基于存储器的半导体生态系统的需求。 SK海力士 CEO李锡熙表示:“很高兴看到引领NAND闪存技术创新的SK海力士及英特尔NAND部门将共同创造崭新的未来。通过发挥双方的技术和优势,SK海力士将主动响应客户的各种需求,并优化本公司的企业结构,进而在NAND闪存领域也树立与DRAM业务同等水准的创新的产品群。” 英特尔 CEO 司睿博强调:“我为我们所建立的NAND闪存业务感到自豪,并相信与SK海力士的结合将有助于存储器生态系统的发展,给客户、合作伙伴、全体员工带来更多利益。对于英特尔来说,这次交易能让我们更加专注于投资具有差异化特点的技术,从而令我们在客户的成功中扮演更重要的角色,并且为我们的投资者产出可观的回报。” 咨询机构 SK海力士:财务顾问 Citi / 法务顾问 Skadden, Arps, Slate, Meagher & Flom LLP, K&C, Fangda Partners 英特尔:财务顾问 Bofa(Bank of America)Securities / 法务顾问 Munger, Tolles & Olson LLP, Wilmer Cutler Pickering Hale and Dorr LLP, Linklaters LLP, Bae, Kim & Lee LLC -END- 来源 | 知IN | 整理文章为传播相关技术,版权归原作者所有 | | 如有侵权,请联系删除 | 【1】后摩尔定律时代的新救星?芯原戴伟民详解Chiplet新技术 【2】敢坐吗?无人驾驶出租车惊现北京街头! 【3】摩尔定律引发的技术革命下,中国半导体产业的机会 【4】从荷兰进口DUV光刻机需要许可证吗?ASML如是解释 【5】最新消息!日本TDK已申请恢复对华为供货 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-10-21 关键词: 英特尔 闪存

  • 官宣!SK海力士90亿美元收购英特尔闪存芯片业务

    官宣!SK海力士90亿美元收购英特尔闪存芯片业务

    北京时间10月20日消息,全球第二大存储芯片制造商SK海力士今天宣布,公司将收购英特尔旗下NAND闪存芯片业务。这笔交易将全部使用现金,总价值大约10.3万亿韩元(约合90亿美元)。 SK海力士将收购所有英特尔NAND闪存业务,包括固态硬盘业务、NAND闪存芯片产品和晶圆业务、英特尔位于中国大连的生产工厂,但不包含英特尔Optane存储部门。对于英特尔来说,剥离非核心业务将有助于其解决芯片技术困境。 SK海力士称,其中70亿美元很有可能在2021年晚些时候的第一个截止日期前支付,另外20亿美元将在2025年3月的第二个截止日期前支付。 这笔交易将使得SK海力士成为全球第二大NAND闪存芯片制造商。市场研究公司TrendForce的数据显示,SK海力士此前是全球第四大NAND闪存芯片制造商,今年第二季度按收入计算的市场占有率为11.7%。英特尔排在第六,收入份额为11.5%。三星电子以31.4%的收入份额位居第一,日本Kioxia排在第二,收入份额为17.2%。 SK海力士还是全球第二大DRAM芯片制造商,一直希望提升公司在NAND闪存芯片市场的竞争力。去年,SK海力士开始量产业界首颗128层1Tb堆叠TLC 4D NAND闪存芯片。 SK海力士和英特尔在先进芯片开发商保持密切合作,双方近期在DDR5内存规范制定上展开合作。

    时间:2020-10-20 关键词: 英特尔 sk海力士 闪存

  • 一个公式得知固态硬盘使用寿命

    一个公式得知固态硬盘使用寿命

    固态硬盘的发展越来越快,现在的电脑基本都会选择固态+机械的硬盘组合,但是你知道自己的固态硬盘使用寿命吗? 很多朋友在购买SSD的时候,总是会去研究它们的耐久度,毕竟固态一旦挂了,里面的数据基本是找不回来了。 一、固态硬盘寿命=闪存寿命? 老实讲,对固态硬盘进行寿命的预测,只存在理论上的可能性! 很多人会把SSD寿命和闪存联系起来,其实这和闪存的工作原理有关,简单来说,就是固态颗粒的擦写P/E次数是有限制的,次数到了,固态也就废了。 而不同类型的闪存颗粒,擦写P/E次数也不同,传统的2D SLC闪存P/E次数可达100,000次,而2D MLC则有3000-5000次,企业级的可达10000次,2D TLC则是1000-1500次比较常见。 所以,通过闪存的P/E次数和SSD的容量,总结出1条公式可以计算出理想情况下SSD的最大寿命! 二、SSD寿命=(闪存P/E × SSD闪存容量)÷(写入放大系数 × 年数据写入量) 举个例子,240GB的3D TLC SSD! 那么,闪存3000P/E,闪存容量240GB,而它的年数据写入量,这里假设为2000GB,每个人的使用习惯不一样,这个写入量已经挺大的了。 那么公式计算就是:(3000×240)÷(5×2000)=72年 所以,这个固态硬盘真的可以用72年?不要天真了!这是理论上的最大寿命,计算环境都是以最理想的情况来计算的,然而世事哪有这么理想! 三、固态硬盘质保和TBW! 相反,固态硬盘的最小值才是我们值得参考的数据,这个数据一般可以参考厂商的SSD质保,大多是3、5年。 而厂商给出了这个质保时间,其实就说明这款SSD固态,在这段时间内大概率是不会坏掉的,毕竟名声还是要保住的。 另外,还有厂商会公布SSD的寿命周期写入量TBW的数据,这个数据是指SSD写入操作的正常使用范畴! 简单解释一下这个算法数据:512GB的SSD的DWPD是1,则表示说明它每天可以写入自身一次的数据,也就是512GB。如果质保期是5年,那么TBW就是512GB × 365 × 5 ÷ 1024=912.5。 而这个数据,对于我们判断寿命有一定的意义,你可以把它看作固态SSD写入耐久度的最小值。而你的SSD固态实际寿命,一般都在TBW值和闪存的理论写入最大值之间。 四、固态真实使用寿命! 虽然上面介绍了固态寿命的计算公式,但是固态因为闪存寿命耗尽而废掉的情况,少之又少! 大部分的固态,都是因为内在零件问题挂掉的,比如说主控烧了,或者是其他供电元件坏了,都会导致整个SSD瘫痪。 需要注意的是,如果你的固态闪存/主控挂了,那你的数据就真的无力回天了!而这些故障的出现,真的是看“命”! 所以,固态的真实使用寿命往往是说不准的,运气不好就会挂掉! 在这里,大白菜表示,与其计算SSD的寿命,还不如选一个品牌好、性能好、质保长的SSD升级电脑,用的开心,也放心! 至少SSD在质保期内挂掉的可能性还是比较小的!另外,电脑加装固态硬盘之后,一定要记得将Windows系统重装安装在固态硬盘中,才可以发挥出电脑的性能,提升运行速度! 如果你觉得系统重装后,后续的软件程序操作设置很麻烦,也可以选择或将Windows系统迁移,也就是将机械硬盘中的所有数据、指令以及设置等等,全部转移到固态硬盘中。 五、迁移系统操作步骤: 制作u盘启动盘,设置u盘启动,进入u盘winpe系统,打开分区助手!点击迁移系统到固态硬盘,根据提示操作即可,Windows系统迁移过程中,请勿进行其他操作,耐心等待!

    时间:2020-10-18 关键词: ssd 固态硬盘 闪存

首页  上一页  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一页 尾页
发布文章

技术子站

更多

项目外包