北京时间2月22日下午消息,据国外媒体报道,美国市场研究公司iSuppli表示,由于iPhone已经成为NAND闪存芯片的最大使用设备,因此该产品的销量增长以及容量增加将导致NAND闪存芯片在2010年的某一时期出现供货紧张。iS
继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后,韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片,这和Intel、美光首批投产的25n
英特尔和美光科技预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品,预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。 作为目前应用的最小的NAND闪存技术,25纳
华邦电子公司的总裁詹东义近日宣布,华邦公司将于年内开始40nm制程工艺的开发,不过华邦拒绝就其将于尔必达合作进行40nm制程产品制作的传言进行评论。华邦公司今年的资本支出预算为67亿新台币(约20.2915亿美元),比去
据国外媒体报道,英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品,预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。 作为目前应用的最
据Lazard 资本市场公司的分析师Daniel Amir预计,美光与Intel的合资闪存公司IM Flash将继续进行新加坡300mm闪存芯片厂的兴建计划。该公司早些时候曾宣布会在新加坡新建这家300mm芯片厂,不过后来公司宣布由于业务方面
据Lazard 资本市场公司的分析师Daniel Amir预计,美光与Intel的合资闪存公司IM Flash将继续进行新加坡300mm闪存芯片厂的兴建计划。该公司早些时候曾宣布会在新加坡新建这家300mm芯片厂,不过后来公司宣布由于业务方面
英特尔公司(Intel Corp.)和美光科技(Micron Technology Inc.)计划下周公布闪存芯片的新进展。两家公司有一个生产NAND闪存芯片的合资企业,这种芯片应用于手机,音乐播放器和其他驱动器上。2009年,两家公司表示,
据国外媒体报道,韩国公平交易委员会周三表示,未发现韩国或其他地区的NAND闪存芯片制造商涉嫌价格操纵的证据,因此针对NAND行业可能违反反垄断法将近3年的调查宣告结束。 该委员会发布公告称,所有涉及DRAM芯片、
据业者透露,韩国厂商生产的三位元型MLC NAND闪存芯片新品在稳定性和耐用性方面不如现有两位元型产品,不过消息来源不愿意透露这家韩国厂商的具体名称。据消息来源透露,这家韩国厂商首批推出 的三位元MLC NAND闪存芯
根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计,12月后半个月的MLC NAND闪存芯片价格和前半月相比持平,高密度芯片价格则将下降1-5%。其中,16Gb芯片期货价格下降2-7%,32Gb芯片价格持平或下降3%,两种芯片后半个月的平均
台湾半导体生产商期望通过转变策略来应对电脑存储芯片市场占有率下降带来的挑战,但此举可能导致它们全盘退出核心业务。 由于芯片行业从2007年起陷入有史以来最严重的滑坡,南亚科技及台湾力晶半导体股份有限公司
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术,据三星公司宣称,这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右,单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可
据业者透露,东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能,直至达到20万片的产
据业者透露,东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能,直至达到20万片的产
据业者透露,东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能,直至达到20万片的产
据报道,申请破产的闪存芯片制造商飞索半导体周一表示,作为公司重组计划的一部分,公司已经同意作价约3100万美元现金将旗下中国苏州工厂出售给台湾力成科技。 飞索半导体周一发表声明称,苏州工厂约有565名工人,是