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Intel将向美光出售合资NAND闪存厂股份
Intel同意与美光科技扩大就闪存芯片领域的合资企业合作，提高双方关系的效率和灵活性。根据双方达成的协议，美光将为Intel供货NAND闪存产品，而Intel则将向美光出售价值6亿美元的两家合资晶圆厂股份。 协议规定
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东芝联手SanDisk研发出全球最小的16GB闪存芯片
东芝周四表示，该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球最小的128Gbit（16GB）NAND闪存芯片。该闪存芯片采用19nm新工艺，大小为170平方毫米，比一枚普通硬币还小。该闪存芯片运用3-bit-per-cell存储技术。该
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东芝联手SanDisk开发全球最小128Gb闪存芯片
东芝(微博)周四表示，该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球最小的128Gbit(16GB)NAND闪存芯片。该闪存芯片采用19nm新工艺，大小为170平方毫米，比一枚普通硬币还小。该闪存芯片运用3-bit-per-cell存储技术
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东芝联手SanDisk开发全球最小128Gb闪存芯片
北京时间2月23日晚间消息，东芝周四表示，该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球最小的128Gbit(16GB)NAND闪存芯片。该闪存芯片采用19nm新工艺，大小为170平方毫米，比一枚普通硬币还小。该闪存芯片运用3-
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全球第四季度NAND闪存芯片市场环比下滑8.6%
根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技（Dramexchange Technology Inc）提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，市场份额
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全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元
据媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，
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2011年Q4全球NAND闪存市场销售收入下降8.6%
2月6日消息,据台湾地区媒体报道，据市场研究公司DRAMeXchange最新发表的数据显示，2011年第四季度全球NAND闪存市场销售收入为48.9亿美元，环比下降8.6%。三星电子仍然是这个市场最大的供应商。2011年第四季度NAND闪存
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三星新工厂空降北京 国内芯片企业迎挑战
电子科技在不断更新发展当中，尽管去年由于整体经济大环境不振影响，导致全球电子行业大环境景气不再，但随着今年各种灾祸所带来的影响逐渐消退并得到改善，电子行业也在缓慢复苏当中，之前随之陷入低迷的芯片
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三星芯片工厂将落户北京 投资规模40亿美元
1月16日凌晨消息，新浪科技获得的可靠消息显示，三星电子在中国投资规模达40亿美元的芯片工厂将落户北京。分析师认为，这一投资在给地方政府带来税收等利好的同时，对国内的半导体行业却可能是一种伤害。1月4日，韩国
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三星芯片工厂将落户北京 投资规模40亿美元
1月16日消息，三星电子在中国投资规模达40亿美元的芯片工厂将落户北京。分析师认为，这一投资在给地方政府带来税收等利好的同时，对国内的半导体行业却可能是一种伤害。1月4日，韩国政府对外宣布，已经批准三星电子在
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苹果确认收购以色列闪存控制器厂商Anobit
北京时间1月11日上午消息，苹果周二确认，已经收购了以色列闪存芯片控制器厂商Anobit。苹果官方的说法证实了上月的媒体报道。这笔交易将帮助苹果确保iPhone和iPad中关键闪存元件的供应。Anobit开发的高性能控制器可以
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东芝第三季运营利润10亿美元 维持年业绩预期
据国外媒体报道，日本最大的芯片生产商东芝周一发布了第三季度财报。财报显示，由于PC部门削减成本卓有成效，智能手机显示屏市场需求旺盛，东芝第三季度运营利润增长到约10亿美元，并维持全年业绩预期不变。财报显示
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三星在华建闪存芯片工厂计划获批 6个月内动工
三星电子公司(SamsungElectronicsCo)拟在中国大陆投资建闪存芯片厂的计划已经得到韩国知识经济部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批准，最快有望在未来六个月内动工开建。在中国大陆建闪存芯片厂将加强三星公司在中国
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韩国周三批准三星在华投建40亿美元闪存厂
北京时间1月4日消息，据国外媒体报道，周三，韩国政府宣布，已经批准三星电子在中国建设一座闪存芯片工厂。这家工厂计划投资40亿美元，是三星在海外的第二座芯片工厂。工厂将使用20纳米或以下半导体生产工艺，大规模
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三星在华建闪存芯片工厂计划获批 6个月内动工
1月4日道琼斯报道说，三星电子公司(Samsung Electronics Co)拟在中国大陆投资建闪存芯片厂的计划已经得到韩国知识经济部(Ministry of Knowledge Economy )的批准，最快有望在未来六个月内动工开建。在中国大陆建闪
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三星计划在中国设闪存芯片厂 或耗资40亿美元
三星电子今日宣称，由于智能手机和平板电脑的热销将会继续推动芯片行业的发展，该公司计划在中国设立一家闪存芯片生产厂。韩国分析师估计，三星可能会投资40亿美元左右来兴建该厂。这个生产厂，如果获得批准，将是
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三星电子宣布投资104亿美元的最新闪存生产线开始量产
全球最大内存芯片厂商三星电子日前宣布，最新1条闪存芯片（flashmemorychip）产线开始量产，将提升平板计算机和智能型手机所需芯片产能。此外，采用20纳米制程技术的先进DRAM芯片产线也已启动生产。三星斥资12兆韩元
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三星启用20纳米芯片生产线 批量生产闪存芯片
据国外媒体报道，最近忙于专利大战的三星已抽身出来，开始启用新的耗资100亿美元打造的20纳米芯片生产线，批量生产闪存芯片。这是五年来三星首次启用新的生产线，该生产线能够大大地降低芯片的成本。三星在一项声明中
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三星启用20纳米芯片生产线 批量生产闪存芯片
据国外媒体报道，最近忙于专利大战的三星已抽身出来，开始启用新的耗资100亿美元打造的20纳米芯片生产线，批量生产闪存芯片。这是五年来三星首次启用新的生产线，该生产线能够大大地降低芯片的成本。三星在一项声明中
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出货不如预期 闪存芯片价格小幅下跌
受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰，2011 部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期，及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下，8月上旬NAND Flash芯片市场买气依然疲弱，
