MLCC电容涨价跟显卡玩家有关系吗?虽然它对显卡价格影响并不严重,但显卡也会使用大量MLCC电容,索泰RTX 2080 PGF OC12显卡上就使用了2000多颗MLCC电容。
随着64层堆栈3DNAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存
由于需求增幅赶不上供应量的加码,NAND Flash闪存协议在今年第四季度将出现两位数的下滑,专业存储研究机构DRAMeXchange(集邦科技)在最新分析报告中这样表示。集邦称,刚过去的10月,3D
虽然有其它不同新兴的非挥发内存技术仍然正在发展,现今发展已久的闪存技术已被证实为最适合面临这些挑战。这篇文章将说明目前闪存的创新技术如何帮助系统研发人员利用新的设计已符合工业4.0的应用。
日前,业界领先的半导体供应商兆易创新(GigaDevice)宣布与全球知名电子分销商Digi-Key Electronics合作。兆易创新的SPI NOR Flash及NAND Flash等闪存产品可通过Digi-Key实现全球即时发货,并在交货周期及产品价格上更贴近客户需求。
2016年下半年开始了新一轮存储芯片的旺季,DRAM内存及NAND闪存的价格从那时候开始疯涨,今年已经进入第三个年头了,不过情况也不一样了—;—;DRAM内存颗粒今年的涨价速度放缓到个位数,不过今年并
据了解,中国既是存储芯片最大的需求者,也是全球移动通讯、IT行业的集中生产基地。为了能在中国提高制造业竞争力,并能更加快速地应对中国市场的需求,2018年以来闪存芯片原厂在中国建厂、加码投资等动作不断。
2018中国闪存市场峰会在上海举行,群联电子董事长潘健成在论坛上发表了题为“闪存内存存储前世今生展望”的演讲。潘健成表示,群联电子成立于2000年,开发出全球第一颗USB1.1的单芯片代号1001,是国内比较独特的一家存储公司。
西部数据公司近日推出96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘(EFD)-西部数据iNAND?MC EU321,旨在加速实现人工智能(AI)、增强现实(AR)、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。
根据DRAMeXchange的调研,今年第三季度DRAM的合约价涨幅会缩小到1~2%,到了第四季度可能会下跌5%,而且不排除跌幅扩大的可能,因为下半年DRAM的市场需求疲软,新的智能手机硬件规格难以吸引换机需求,导致出货平淡,而消费级的PC市场则由于Intel方面的供货不足会受到冲击。
现在此事已经得到了深圳市龙岗区法院的宣判,据WP7吧网友放出的判决书显示,法院认为华为对于Mate9系列的闪存芯片的确是宣传不当,但不是虚假宣传,Mate9系列的闪存属于定制的,拥有大部分UFS2.1的特性,但不完整符合UFS2.1的标准,也不算是通用的UFS2.0闪存芯片。
对于一个多月前在美国圣克拉拉召开的全球闪存峰会上发布的突破性技术Xtacking,长江存储执行董事长高启全接受中国证券报记者专访表示,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。未来十年,长江存储将持续增加研发投入。
瑞萨科技公司(Renesas)近日宣布,作为带有片上闪存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7个家族30款新产品已经实现了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族适用的应用包括电源|稳压器|稳压器控制和