北京时间9月29日,据外媒报道,不具名知情人士透露,贝恩资本(以下简称“贝恩”)计划在完成2万亿日元(180亿美元)收购东芝闪存业务部门2、3年后,让该业务部门上市。上述知情人士称,东芝闪存业务IPO(首次公
Intel这几年制造工艺的推进缓慢颇受争议,而为了证明自己的技术先进性,Intel日前在北京公开展示了10nm工艺的CPU处理器、FPGA芯片,并宣称同样是10nm,自己要比对手领先一代,还透露了未来7nm、5nm、3nm工艺规划。
作为全球领先的闪存供应商,三星还把目光放在汽车领域上,这不他们要开始生产业界首款嵌入式通用闪存存储(eUFS)了。据SamMobile给出的报道称,三星正在准备的新一代eUFS闪存有64GB和128GB两个版本,主要针对移动设备
苹果是全世界市值最大的上市公司,利润率在科技公司中也名列前茅,不过许多人想不到的是,苹果的老对手三星电子,正在依靠业务多元化的优势,在利润方面赶超苹果,甚至将苹果越拉越远。据分析师的预测,三季度和四季度,三星与苹果的差距将会越拉越大。
对于许多消费类音视频产品而言,NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的
东芝出售内存事业股权花落美国私募股权基金贝恩资本阵营,群联董事长潘健成21日表示,该公司也会参与这次股权投资。群联虽然所占股权比率不多,但双方亲上加亲,代表台厂在这项全球瞩目的内存事业投资,仍占有一席之地。
你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。不过,在内存天下三分的大背景下,新一代存储技术3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音, RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。
本次峰会吸引来自全球的观众超过1200人,其中包括三星、英特尔、谷歌、微软、东芝、西部数据、SK海力士、紫光集团、长江存储、江波龙、华为、联想、中兴,腾讯等业内企业重要人士参会。CFMS2017汇集业内大咖,是一场超越行业期望的存储界盛会...
相较于前两年,今年收购已不能算作半导体行业的热门关键词了,不论是交易涉及的金额还是对于行业发展的影响,都显示半导体行业整并潮已在“退烧”。截至目前今年还没有出现能和2015、2016年发生的几起大型收购相媲美的案例,但缺少不等于没有。本周半导体行业围绕收购就发生了不少大事小情,下面且看小编为您分解一二。
据外电报道,在东芝存储芯片业务的竞购之争中,原本已被边缘化的苹果再度成为核心主角之一。消息人士周三透露,苹果此次计划出资3000亿日元(约合27.3亿美元),携手贝恩资本共同竞购东芝闪存芯片业务。
在过去的几年里,闪存与磁盘之间的争议很多,也发生了显着的变化。现在,我们已经不再讨论闪存是否可以在企业中使用了,而是更多地关注其性价比,以及它在现代化软件定义数据中心作为一个关键的构建模块的接受力度。
本月内,西部数据公司首席执行官Stephen Milligan,以及东芝掌门人Satoshi Tsunakawa以及日本经济产业省的官员将举行会谈。据悉,西部数据的一些高管已经抵达日本,并且和东芝展开了谈判。
你知道每年中国进口的商品当中,哪一项是花钱最多的吗?粮食?原油?机械设备?都不是!中国在一种体积很小的产品上花掉的钱远远超过那些大宗商品,这种产品就是——芯片。仅2016年1月份到10月份,中国在进口芯片上一共花费了1.2万亿人民币,是花费在原油进口上的两倍。2017年中国芯片市场规模达到千亿美元,占全球芯片市场50%以上。
由于财务状况恶化,日本东芝公司已经被东京股票交易所从主板摘牌,距离退市已经越来越近,但是时至今日,转让闪存芯片业务的进展却并不顺利。据外媒最新消息,面对东芝高管所表现出的领导无方,日本政府已经全面介入到这一转让交易中。
闪存作为手机与电脑的存储介质,它就像粮食一样不可或缺。近来闪存货源紧缺,让众多内存与固态价格一路高歌。而目前多数的闪存资源都掌握在国际大厂手中,让人不禁感叹:属于中国闪存的“中国芯”在哪?
人们一直期待着更快、更实惠、更可靠的存储产品,而大型数据中心则更关注与能源效率。本文要为大家介绍的,就是东芝 BiCS 3D TLC NAND 闪存所使用的硅穿孔(TSV)技术。其声称可减少存储应用的功耗,同时保障低延时、高吞吐、以及企业级 SSD 的每瓦特高 IOPS 。据外媒所述,这是当前业内首个推向市场的硅穿孔 NAND 闪存产品。
来自台湾地区的行业消息称,苹果公司(以下简称“苹果”)新一代智能手机iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND闪存芯片供应不足的问题。
问题来了,上半年即将过完,而在今年这波涨价大潮中,内存、闪存到底涨价有多狠呢?让人简直没法直视,前者价价狂涨39%,而后者也涨了21%。
自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)是一种接近“万能存储器”的新型存储器解决方案,极具应用潜力。它既具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,又具有闪存级别的容量,和类似Flash的数据断电不丢失存储特性。STT-MRAM由于其数据以磁状态存储,具有天然的抗辐照、高可靠性以及几乎无限次的读写次数,已被一些国家列为最具应用前景的下一代存储器之一。
随着游戏与视讯应用在行动装置上的普及,以及手机处理器性能的提升,eMMC的性能已经不能满足行动装置对于内存读写性能的要求,新一代的通用闪存储存(UFS)规格应运而生。在高