XFAB 0.18um高压工艺支持嵌入式闪存方案

XH018 嵌入式闪存(eFlash) 工艺为高阶系统芯片()提供业界最具性价比的高压整合方案

2011年7月5日，德国艾尔(Erfurt) – Foundries 在XH018 0.18um高压工艺上增加高可靠性的嵌入式闪存(eFlash)方案。此方案提供了业界最少的光罩版数，32层，其中包含数字、模拟、高压元件、并闪存，而闪存只要额外2层光罩。对高阶片上混合信号系统芯片()，此方案具有极高的性价比，其中的45V高压元件与嵌入式内存，、非挥发性随机内存() 、嵌入式闪存(eFlash)，更适用于高速微处理器、数字电源、和车用电子。

将于2011年7月13日举办一场免费的网络研讨会来讨论此项 ”简单且可靠的非挥发性内存(NVM) – 0.18um的嵌入式闪存(eFlash)与嵌入式非挥发性内存(eNVM)”

两种不同的内存模块 – 8K x 32-bit 和 16K x 32bit –新的XH018嵌入式闪存(eFlash)方案

易于整合、快速存取，并且比非嵌入式内存更耐用。此方案包含纠错码(ECC)的功能，允许程序在执行的同时修正错误。在1.8V或3.3V工作电压下，提供50nS快速读取，并且不受温度、工作电压和工艺漂移的影响，而且支援低功耗(/MHz) 、高温读取(摄氏175度)的特性。

总裁Rudi De Winter表示：“客户告诉我们，他们要用嵌入式闪存eFlash技术作为平台来研发整个系列的产品。有了我们XH018嵌入式闪存(eFlash)方案，客户可以非常容易地修改软件来根据应用改变产品的性能与定义。因此，客户只要有一个高可靠性与高整合性的电路架构，就

可以开发整个系列的产品。对于讲求性价比与复杂性的片上系统芯片()，XH018嵌入式闪存(eFlash)方案提供一项完美且包含高压制程的组合。”

XH018嵌入式闪存(eFlash)方案也结合已有的嵌入式非挥发性内存(NVM)，包含一次性可编程(OTP)与非挥发性随机内存()。更提供编译工具帮助工程师依据自身的需要来定义内存的使用。

XH018嵌入式非挥发性内存(NVM)的设计套件与IP已开放授权并可在X-FAB技术中心(X-TIC)下载使用，其中将于2011年第四季度开放授权。而整套的电路模块正在进行地测试以通过最后的合格验证。X-FAB计划于2012年年初提供另外不同尺寸的内存及高温的特性数据。