英特尔投资在第12届全球年度高峰会(GlobalSummit)上宣布,锁定10家全新与计划中的亚洲企业为投资标的,总金额达4000万美元。台湾部分,系微、SNplus两家厂商入榜,但Intel发出新闻稿中,仅台湾两间公司为计划中之投
半导体行业高管近期纷纷表态,由于商家库存正出现下降迹象,半导体行业或将迎来复苏的第一缕曙光。由于经济不景气,欧洲消费者对电子产品需求相对疲软,造成半导体行业陷入低谷。在西班牙巴塞罗那举行的摩根士丹利技
采用ARM+FPGA结构给出一种高性能的便携式食用花生油质量快速分析仪的设计。将可编程片上系统应用到仪器开发中,简化系统硬件电路,提高系统设计灵活性。充分利用ARM芯片的高效控制功能结合FPGA灵活的多硬件接口模拟特性,便于携带,适合现场免化学试剂快速检测。
基于ARM+FPGA的食用花生油质量快速 检测仪的设计
intel怎样迎战ARM?2012好戏不断
晶圆代工龙头台积电(2330)研发副总经理蒋尚义昨(18)日重申,台积电已经和计算机处理器架构平台供应商安谋(ARM)完成第一个20纳米设计案,14纳米将依原订计划,在2015年量产。 蒋尚义是在ARM年度技术论坛新竹
台积电研发副总蒋尚义。(钜亨网记者尹慧中摄) 台积电(2330-TW)(TSM-US)研发副总蒋尚义今(18)日表示,台积电28奈米已获客户肯定,并与ARM完成首个20nm设计定案;14奈米部分也进度优于预期,约将在明年底可准备就
台积电(2330)资深研发副总蒋尚义今日出席ARM年度技术论坛,展示台积电20nm SoC生态系统夥伴与14nm技术发展蓝图。他对于台积电28奈米进展态度乐观,并指出,台积电已与ARM完成第一个20奈米设计定案,且部分14奈米发展
全球行动装置IP领导厂安谋(ARM)于昨(17)日在台湾展开为期2天的2011年安谋年度技术论坛,由于安谋全球市占率持续提升,今年与会人士创下历史新高,而安谋全球总裁多德布朗(TudorBrown)亦正式宣布将在新竹科学园
据最新消息:Trgra 3四核处理器日前由NVIDIA公司日前正式发布,将为智能手机提供强劲的“心”。来自国外媒体的最新消息显示,英国的芯片制造商ARM公司推出了Mali-T658图形处理器(GPU),作为最新产品它的
戴尔:软件移植成本阻碍ARM 64位处理器应用。11月15日据国外媒体报道,戴尔Data Center Services(简称DCS)营销执行董事Steve Cumings和营销经理Drew Schulke称,因软件移植成本,最新ARM 64位处理器在与英特尔、AMD两
近日,英伟达™ (NVIDIA®)在美国华盛顿州西雅图的2011 年超级计算大会上宣布,巴塞罗那超级计算中心 (BSC) 正在开发一种全新的混合型超级计算机,该机首次采用节能、低功耗的英伟达™ 图睿™ ARM
“我们虽然并不是最早采用ARM平台的单片机厂商,但从长远来看,ARM的战争才刚刚开始。”曾劲涛(飞思卡尔消费和工业微控制器(MCU)产品部亚太区经理)。业界将摩托罗拉手机采用Android平台定义为摩托系进军移
近日据悉,AMD有可能正在考虑将部分业务转进ARM领域。并在最近宣布加入ARM阵营,获得ARM许可。 加入ARM阵营,可以更有利于AMD切入平板电脑和智能手机领域,相比桌面级平台的利润率,显然前者的吸引力更大。不过,
AVR单片机是ATMEL公司研制开发的一种新型单片机,它与51单片机、PIC单片机相比运行效率高很多、芯片内部的Flsah、EEPROM、SRAM容量较大、全部支持在线编程烧写(ISP、每个IO口都可以以推换驱动的方式输出高、低电平,
不仅面临头号敌人英特尔(Intel)在既有PC战场猛烈攻势,超微(AMD)也遭遇近年崛起的ARM架构大军挑战,为提升竞争力,超微近期全力展开组织改造,同时也确立3大营运方向,包括全力研发低功耗处理器平台、深耕新兴市场及
据华尔街日报报道,ARM联合创始兼总裁都德·布朗(Tudor Brown)在公司任职21年后将于明年5月份退休。ARM的微型芯片在大多数移动设备中都能找到,包括苹果iPhone和iPad。ARM表示,布朗不会在2012年5月3日召开的
11月13日消息,据国外媒体报道,英伟达近日发布了丹佛(Denver)高性能计算处理器计划,但并未公布具体上市时间。公司首席执行官Jen-Hsun Huang在本周四的公司财务会议上指出该处理器可进行64位单线程计算,“我们致力
“我们虽然并不是最早采用ARM平台的单片机厂商,但从长远来看,ARM的战争才刚刚开始。”曾劲涛(飞思卡尔消费和工业微控制器(MCU)产品部亚太区经理)。业界将摩托罗拉手机采用Android平台定义为摩托系进军移动互联网时
11月15日消息,据国外媒体报道,IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划,打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。 由于受超薄氧化物层覆盖,采用该种芯片的设备将提