CMOS
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全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，推出全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成为业界首家采用晶圆和封装形式 CMOS 振荡器提供石英晶体级性能的公司。这些集成电路满足小型化要求
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IDT推出首款封装和裸片/晶圆形式高精度全硅CMOS振荡器
致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成为业界首家采用晶圆和封装形式 CMOS
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低功耗高转换速率CMOS模拟缓冲器
提出了减小输入电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端，同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率，使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。
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基于LTC2259-16的16位模-数转换方案
LTC2259-16是 16位模-数转换器,适用于对高频宽动态范围的信号进行数字化.它的SNR为73.1dB,SFDR为88dB,单电源1.8V工作,功率89mW,具有CMOS, DDR CMOS 或DDR LVDS输出,可选择的输入范围从1VP-P 到 2VP-P,主要用于通信,蜂
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基于3GHz CMOS低噪声放大器优化设计
摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能
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世界先进首季营收年增111%
受惠于驱动IC厂积极回补库存，世界先进首季营收回升，金额达新台币35.74亿元，较上季成长约14%，更较2009年同期大幅成长111.58%，法人推估，随着晶圆出货量增加，并持续受惠来自台积电的转单，可望带动世界先进第2季
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基于LTC2259-16的16位模-数转换方案
LTC2259-16是 16位模-数转换器,适用于对高频宽动态范围的信号进行数字化.它的SNR为73.1dB,SFDR为88dB,单电源1.8V工作,功率89mW,具有CMOS, DDR CMOS 或DDR LVDS输出,可选择的输入范围从1VP-P 到 2VP-P,主要用于通信,蜂
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基于LTC2259-16的16位模-数转换方案
基于LTC2259-16的16位模-数转换方案
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5.6GHz CMOS低噪声放大器设计
摘要：分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路，采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明：在5．6GHz工作频率，电压增益约为18．5dB；噪声系数为1．78dB；增益1dB压缩点为-21．72dBm；输入参考三阶交
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CMOS探测器在射线检测中的设计应用
概述：以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术，检测精度高、温度适应性好、结构适应性强。CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列，需要在检测时进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的透照投影图像。介绍了检
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基于单晶片CMOS语音合成的ASIC设计
引言 近年语音集成电路获得迅速发展，其应范围越越广，自动售货机、ATM柜员机，部直通电话机以及玩具等方面应量语音合成芯片。该芯片部采脉宽调制，数字信号确还原成模拟信号，从而使得电路输出端不需接D/A转换；
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5.6GHz CMOS低噪声放大器设计
摘要：分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路，采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明：在5．6GHz工作频率，电压增益约为18．5dB；噪声系数为1．78dB；增益1dB压缩点为-21．72dBm；输入参考三阶交
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CMOS探测器在射线检测中的设计应用
CMOS探测器在射线检测中的设计应用
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DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计
本文设计了一种应用于DSP内嵌锁相环的低功耗、高线性CM0S压控环形振荡器。电路采用四级延迟单元能方便的获得正交输出时钟，每级采用RS触发结构来产生差分输出信号，在有效降低静态功耗的同时．具有较好的抗噪声能力。在延迟单元的设计时。综合考虑了电压控制的频率范围以及调节线性度，选择了合适的翻转点。 仿真结果表明．电路叮实现2MHz至90MHz的频率调节范围，在中心频率附近具有很高的调节线性度，可完全满足DSP芯片时钟系统的要求。
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DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计
DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计
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受量子薄膜技术获得突破，CMOS影像传感器地位受冲击
就像是“胶卷”已经几乎消失在大众视野里一样，一种新研发的量子薄膜(quantum film)可能会让数码相机里的CMOS影像传感器位置不保。 该种薄膜是以类似传统底片的材料所制成，即一种具备嵌入粒子的聚合物；不过不同于
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CMOS音频功率放大器的旁路电压控制电路
摘要：基于CSMCO．5μm CMOS工艺设计一种带滞回功能的高稳定性电压控制电路，利用迟滞比较器对旁路电压和基准电压进行比较并控制电容的充放电，提高了电压的稳定性。Cadence Spectre仿真结果表明，该电路产生的电压稳
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三维封装中的电镀和清洗技术
上海新阳半导体材料股份有限公司 Tony(巴中)副总经理 喻涵各位尊敬的领导及行业内的专家、前辈们，大家好！我是来自上海新阳的喻涵。虽然说这几年新阳一直在做传统的框架封装，但四年前开始公司开始着手进行先进封装
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GlobalFoundries德国Dresden工厂将投产22nmCMOS制程
GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab1正在启动22nmCMOS工艺的开发，并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。此前，Fab1被认为将作为45/40nm和32
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GlobalFoundries德国Dresden工厂将投产22nm CMOS制程
GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab 1正在启动22nm CMOS工艺的开发，并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。此前，Fab 1被认为将作为45/40nm和
