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2012年德国线路板市场预计增长4.2%至14亿欧元

6月4日消息，据媒体报道，德国电气电子行业协会ZVEI主席Dr.WolfgangBochtler表示，2012年德国线路板市场预计增长4.2%至14亿欧元。集成电路（IC）市场预计略降1.3%至7.12亿欧元。电子设备市场（原厂制造和EMS代工）预

消费电子
2012-06-05

线路板集成电路 GAN 太阳能
业界最高水准8吋氮化镓上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研发

LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商Bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的 8 吋氮化镓上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA电流，电压小于 3.1

显示光电
2012-05-30

芯片 LED Silicon GAN
氮化镓在射频通信中应用

氮化镓并非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体（Si LDMOS）和砷化镓（GaAs）晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。与现有技术相比，氮化镓（GaN）的优势在于更高的漏极效率、

通信技术
2012-05-28

器件氮化镓射频通信 GAN
业界最高水准8吋氮化镓上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研发

LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商Bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的 8 吋氮化镓上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA电流，电压小于 3.1

电源-LED驱动
2012-05-28

芯片 LED Silicon GAN
LED显示屏像素失控原因分析

造成LED显示屏像素失控的主要原因是LED失效,静电放电是失效最大诱因造成LED显示屏像素失控的原因很多，其中最主要的原因就是“LED失效”。LED失效的主因又可分为两个方面：一是LED自身品质不佳；二是使用方

显示光电
2012-05-21

静电放电 ESD LED显示屏 GAN
西班牙电信在马德里推出FTTP业务

5/16/2012, 西班牙电信Telefonica和马德里市政府今天宣布将合作在今年年底前为该市130万用户提供100Mbps的FTTP宽带业务。目前在马德里的多个区，包括Hortaleza, Arganzuela， Moncloa-Aravaca和Fuencarral-El Pardo等

通信技术
2012-05-17

电信 IC GIF GAN
华灿光电去年获利1.25亿元蓝绿光外延片实现自产

华灿光电2011年营业收入和净利润均保持快速增长，公司实现营业收入4.74亿元，归属于公司普通股股东的净利润为1.25亿元，公司销售收入由2009年的1亿元增长至2011年的4.74亿元;年复合增长率达到117.36%，高于市场的增长

消费电子
2012-05-17

光电蓝光 LED芯片 GAN
蜂窝网络趋势引领新工艺前景方向

业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）、碳化硅

通信技术
2012-05-16

蜂窝网络基板 SIC GAN
硅衬底，跻身主流待何时？

衬底作为半导体照明产业的核心技术，是产业发展的基石，衬底材料的选用直接决定了LED芯片的制造路线。日前，普瑞光电宣布明年将量产8英寸硅衬底的消息引起了业界的格外关注。随后，Cree也发布消息称，其白光功率型LE

显示光电
2012-05-16

LED芯片 SIC GAN
硅衬底，跻身主流待何时？

衬底作为半导体照明产业的核心技术，是产业发展的基石，衬底材料的选用直接决定了LED芯片的制造路线。日前，普瑞光电宣布明年将量产8英寸硅衬底的消息引起了业界的格外关注。随后，Cree也发布消息称，其白光功率型

消费电子
2012-05-16

LED芯片 SIC GAN
硅衬底，跻身主流待何时？

衬底作为半导体照明产业的核心技术，是产业发展的基石，衬底材料的选用直接决定了LED芯片的制造路线。日前，普瑞光电宣布明年将量产8英寸硅衬底的消息引起了业界的格外关注。随后，Cree也发布消息称，其白光功率型LE

电源-LED驱动
2012-05-13

LED芯片 SIC GAN
RFMD为功率器件产品和代工客户推出rGaN-HV工艺技术

高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，扩展其RFMD 业界领先的氮化镓工艺技术，以包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新

模拟
2012-05-09

功率器件氮化镓 RFMD GAN
日本碍子开发出可使LED发光效率提高1倍的GaN晶圆

日本碍子称，开发出了可将LED光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透明特性。日本碍子在其他研究机构的协助

电子设计自动化
2012-05-09

晶圆 LED 发光效率 GAN
丰田合成联合昭和电工组建LED芯片合资企业

4月27日，日本LED制造商丰田合成和昭和电工宣布组建合资企业，生产GaN基LED芯片，以解决高端LED芯片应用市场。丰田合成与昭和电工在2009年曾签署了一项专利交叉许可协议。新的合资公司这将使他们“结合起来，最大限

消费电子
2012-05-08

丰田 LED芯片 LIMIT GAN
璨圆光电再次订购爱思强CRIUS II-XL 及 G5 HT系统

德国爱思强股份有限公司今日宣布，长期客户璨圆光电已经签定新订单订购若干MOCVD系统。该订单包括4个19x4英寸的晶圆配置CRIUS II-XL系统及2个14x4英寸的晶圆配置G5 HT反应器，该系统将用于制造超高亮度 (Ultra-High

消费电子
2012-05-04

晶圆光电 PI GAN
LED芯片常用衬底材料选用比较

对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：1.蓝宝石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）蓝宝石衬底

显示光电
2012-05-04

电极碳化硅 LED芯片 GAN
RFMD为功率器件产品和代工客户推出rGaN-HVT工艺技术

高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，扩展其 RFMD 业界领先的氮化镓工艺技术，以包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的

消费电子
2012-05-03

功率器件 BSP RFMD GAN
丰田合成、昭和电工合组GaN蓝光LED厂

昭和电工(ShowaDenkoKK)27日发布新闻稿宣布，为了开拓需求看俏的PC、平板用高端LED市场，该公司将与全球LED大厂丰田合成(ToyotaGosei)合组一家从事LED制造、贩售的新公司「TSOptoCo.,Ltd.」。昭和电工表示，目前该公

显示光电
2012-05-03

丰田 LED 蓝光 GAN
技术讲座：用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件

与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论

模拟
2012-05-02

元件 BETA SIC GAN
LED芯片常用衬底材料选用比较

对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：1.蓝宝石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）蓝宝石衬底

数字电源
2012-05-02

电极碳化硅 LED芯片 GAN

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2012年德国线路板市场预计增长4.2%至14亿欧元

业界最高水准8吋氮化镓上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研发

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业界最高水准8吋氮化镓上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研发

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