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英飞凌赢得对英诺赛科的专利侵权诉讼
【2026年6月19日，德国慕尼黑讯】德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。
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GaNSiC高速驱动的下拉电阻优化与dVdt误触发防护
当SiC MOSFET的关断dv/dt轻松突破100V/ns，GaN HEMT更可达100000V/μs量级时，驱动电路不再是"接上就能跑"的配角——它是决定系统生死的第一道防线。而下拉电阻，这个看似最不起眼的无源元件，恰恰是抑制误触发、稳住栅极电压的最后一根锚。
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意法半导体新GaN半导体器件提升能效，主打AI服务器、机器人等高需求应用
700V PowerGaN功率器件提升能效，缩减电源设计体积，适用于AI服务器、机器人、工业设备，以及家电等高端消费类产品
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Frenetic与大瑞软件携手在亚洲提供基于人工智能的磁性和电源设计工具
使用Frenetic工具缩短开发周期
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赋能高效电源创新升级，大联大诠鼎携手ST详解高性价比GaN产品与电源应用
2026年6月1日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手全球功率半导体龙头意法半导体(ST)成功举办“ST Power & Energy高性价比GaN产品与电源应用”线上专题研讨会。本次会议聚焦氮化镓(GaN)前沿功率技术与解决方案，并深度解析材料特性、器件性能、系统架构优化及供应链升级成果，以及ST与英诺赛科合作后在产品成熟度提升、成本优化方面的突破，为消费电子、AI算力、工业控制、新能源汽车等领域客户打造高能效、高可靠、低成本的新一代电源方案，助力企业夯实技术壁垒、强化市场核心竞争力。
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英飞凌加入 NVIDIA MGX™ AI Factory 生态系统，携手推动下一代 AI 服务器机架供电架构
【2026年5月29日，德国慕尼黑讯】全球功率系统与物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布加入NVIDIA(英伟达)MGX AI 工厂 (AI Factory)生态系统，助力推动下一代 AI 数据中心的供电架构转型。英飞凌的电源管理解决方案将支持 NVIDIA 的 MGX™ 架构与 800 VDC 电源架构——这是一套开放式、模块化的参考架构，专为 Agentic AI 时代的 AI 工厂而设计。与 800 VDC MGX™ 兼容的电源机架能够帮助既有的 AI 基础设施提升 AI 计算性能与功率密度，并为迈向未来的AI 基础设施提供升级路径。
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800V AI算力时代，从“备选”变“刚需”?
AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链路的损耗、散热压力与空间占用，成为算力扩张路上绕不开的难题。
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Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈
表面贴装器件采用坚固的纳米晶磁芯和过模塑成型加固结构，在恶劣的环境中具有可靠性能
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绿色能源：基于GaN与SiC的高效电源转换系统设计
高效电源转换系统成为推动能源利用效率提升的核心技术，以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理特性，正在重塑电源转换系统的设计范式，为数据中心、电动汽车、可再生能源等领域提供突破性解决方案。
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瑞萨电子推出全新GaN充电方案，为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
基于GaN的HWLLC转换器拓扑结构，为下一代计算设备、电动工具及电动自行车树立功率密度与峰值效率新标杆
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意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术
面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器
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基于GaN器件的工业电源OVP设计，高频化与低损耗的突破
在工业电源领域，过电压保护(OVP)是保障设备安全运行的核心功能。传统硅基器件受限于材料特性，在高频化、低损耗设计上面临物理瓶颈，而氮化镓(GaN)凭借其高电子迁移率、高击穿场强等优势，正推动工业电源OVP技术向高频化、低损耗方向突破。本文将从方案架构、应用场景及技术先进性三方面展开分析。
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罗姆加强GaN功率器件供应能力
融合台积公司工艺技术，在集团内部建立一体化生产体系
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智能GaN降压控制器设计——第2部分：配置和优化
为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。为了优化导通和关断摆率与延迟，必须高度重视测量技术。精确的测量能够确保系统在实现最大功率输出的同时，将损耗降至最低，并有效避免损坏开关元件。
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智能GaN降压控制器设计——第1部分：考虑因素和测量方法
同步转换器的工作原理是交替切换控制开关和同步开关器件（通常是FET）的通断状态。这种操作的时序非常重要。如果关断一个开关与接通另一个开关之间的延迟时间过长，效率就会受到影响。如果延迟时间不够长，当大量电流流过这对开关时，就可能发生所谓的“直通”现象。这会显著降低效率，并可能损坏元器件。本文是关于智能GaN降压控制器设计的两篇文章中的第一篇，讨论了所涉及的动态特性及其正确测量方法。
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VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称"HKMC"）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2026年1月7日 /美通社/ -- 电动汽车氮化镓（Ga...
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VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia(统称“HKMC”)作为战略投资者参投
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VisIC宣布完成2,600万美元B轮融资
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2025年12月11日 /美通社...
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美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
【2025年12月3日, 德国慕尼黑讯】美国国际贸易委员会(ITC)裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司(FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY)拥有的一项氮化镓(GaN)技术专利。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中所主张的两项专利皆具有法律效力。本案的核心在于英诺赛科未经授权使用英飞凌受专利保护的GaN技术。委员会最终裁决预计将于2026年4月2日发布，若这项初步裁决最终获得确认，将导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国。
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Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计，赋能AI数据中心电源
Allegro 创新栅极驱动器助力工程师实现钛金级效率和极佳功率密度，满足严苛的 AI 和边缘计算应用需求
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