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罗姆加强GaN功率器件供应能力
融合台积公司工艺技术，在集团内部建立一体化生产体系
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智能GaN降压控制器设计——第2部分：配置和优化
为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。为了优化导通和关断摆率与延迟，必须高度重视测量技术。精确的测量能够确保系统在实现最大功率输出的同时，将损耗降至最低，并有效避免损坏开关元件。
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智能GaN降压控制器设计——第1部分：考虑因素和测量方法
同步转换器的工作原理是交替切换控制开关和同步开关器件（通常是FET）的通断状态。这种操作的时序非常重要。如果关断一个开关与接通另一个开关之间的延迟时间过长，效率就会受到影响。如果延迟时间不够长，当大量电流流过这对开关时，就可能发生所谓的“直通”现象。这会显著降低效率，并可能损坏元器件。本文是关于智能GaN降压控制器设计的两篇文章中的第一篇，讨论了所涉及的动态特性及其正确测量方法。
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VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称"HKMC"）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2026年1月7日 /美通社/ -- 电动汽车氮化镓（Ga...
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VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia(统称“HKMC”)作为战略投资者参投
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VisIC宣布完成2,600万美元B轮融资
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2025年12月11日 /美通社...
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美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
【2025年12月3日, 德国慕尼黑讯】美国国际贸易委员会(ITC)裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司(FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY)拥有的一项氮化镓(GaN)技术专利。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中所主张的两项专利皆具有法律效力。本案的核心在于英诺赛科未经授权使用英飞凌受专利保护的GaN技术。委员会最终裁决预计将于2026年4月2日发布，若这项初步裁决最终获得确认，将导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国。
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Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计，赋能AI数据中心电源
Allegro 创新栅极驱动器助力工程师实现钛金级效率和极佳功率密度，满足严苛的 AI 和边缘计算应用需求
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意法半导体集成化GaN反激式转换器，简化应用设计，消除可听噪声
2025年11月17日，瑞士日内瓦——意法半导体推出一系列GaN反激式转换器，帮助开发者轻松研发和生产体积紧凑的高能效USB-PD充电器、快充和辅助电源。新系列转换器在低负载条件下采用意法半导体专有技术，确保电源和充电器无声运行，为用户带来出色的使用体验。
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GAN技术在电机控制中的优势
较新的宽禁带化合物半导体材料氮化镓 (GaN) 的引入代表功率电子行业在朝着这个方向发展，并且，随着这项技术的商用程度不断提高，其应用市场正在迅猛增长。
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GaNSiC功率器件应用，高频高效电路设计与热管理挑战
在新能源汽车、5G通信、数据中心等高算力场景，功率电子器件正经历一场由传统硅基向宽禁带材料(GaN氮化镓、SiC碳化硅)的革命性转型。GaN与SiC凭借其独特的物理特性，不仅重塑了功率器件的性能边界，更对高频电路设计与热管理系统提出了全新挑战。
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功率半导体的极致演绎，英飞凌从晶圆、封装、模块、方案进行全面技术创新
从工业数字化、到电动出行、再到现在的AI革命，离不开创新的能源技术驱动，尤其是以SiC/GaN为代表的第三代功率半导体技术的发展。而英飞凌凭借在该领域的持续创新，牢牢把握这一趋势。
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GaN功率放大器测试全流程：负载牵引系统与热阻抗的协同表征方法
在5G基站、卫星通信及毫米波雷达等高频应用场景中，氮化镓(GaN)功率放大器凭借其高功率密度、高效率及宽频带特性成为核心器件。然而，其测试流程面临双重挑战：一方面需通过负载牵引系统优化大信号参数，另一方面需精准表征热阻抗以避免器件失效。本文结合行业实践案例，系统阐述负载牵引与热阻抗协同测试的全流程方法。
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GaN器件驱动芯片的选型指南：门极电荷匹配、传输延迟与抗干扰性测试
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，凭借其高电子迁移率、低导通电阻和超快开关速度，在高频、高功率密度电源领域展现出显著优势。然而，GaN器件的驱动电路设计面临独特挑战：其门极电荷特性、传输延迟要求及抗干扰能力直接影响系统效率与可靠性。本文从门极电荷匹配、传输延迟优化及抗干扰性测试三个维度，结合典型应用案例，系统阐述GaN驱动芯片的选型方法。
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快充适配器设计，GaN器件在65W PD充电器中的高频化与热应力平衡
在移动设备续航需求与充电效率矛盾日益突出，氮化镓(GaN)凭借其高频特性与热稳定性优势，成为65W PD快充适配器的核心材料。通过高频化设计提升功率密度，同时通过热应力管理保障器件可靠性，GaN技术正在重新定义快充适配器的性能边界。
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罗姆携众多先进解决方案和技术亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中国上海，2025年9月11日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于9月24日～26日参加上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(以下简称PCIM Asia Shanghai)。届时，罗姆将展示其在工业设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时，罗姆还将在现场举办技术研讨会，分享其最新的电力电子解决方案。
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GaN器件在AC-DC中的应用，高频化带来的磁元件小型化与损耗分析
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，凭借其宽禁带、高电子迁移率、高击穿场强等特性，正在重塑AC-DC转换器的技术格局。在高频化趋势下，GaN器件不仅推动了磁元件的小型化，还深刻改变了损耗分布与优化策略，为消费电子、数据中心、通信基站等领域的高效电源设计提供了关键支撑。
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PoE硬件创新趋势，氮化镓（GaN）器件在高效供电中的应用前景
在PoE(以太网供电)技术硬件创新已成为突破效率瓶颈、缩小设备体积的核心驱动力。其中，氮化镓(GaN)器件凭借其高频、高效、高耐压的特性，正逐步替代传统硅基器件，成为PoE供电模块升级的关键方向。本文结合实际案例与测试数据，系统解析GaN器件在PoE高效供电中的应用前景。
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上下管开关对称性的系统方法
摘要：半桥功率级是电力电子系统中的基本开关单元，应用于电源转换器、电机驱动器和D类功率放大器等电路设计中。本文介绍了一种系统方法，该方法利用预充电驱动电源方案和欠压锁定（UVLO）机制的控制策略，确保半桥电路中高边和低边开关的同步性。传统的基于自举电源的半桥驱动存在固有局限性，包括高边和低边驱动器之间电源的不对称性，这会破坏开关的同步性和开关管的工作特性。本文通过详细的电路设计和SPICE仿真验证了该方法在改善开关同步性和可靠性方面的有效性，特别是对于GaN和SiC晶体管这种对驱动电压范围要求比较高的驱动更有应用意义。
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GaN基紫外LED封装技术：热管理优化与出光效率提升路径
在半导体照明与光电器件领域，GaN（氮化镓）基紫外LED凭借其独特的优势，如高发光效率、长寿命、小尺寸以及环保节能等，正逐渐成为紫外光源领域的研究热点。然而，在实际应用中，GaN基紫外LED的性能表现仍受到封装技术的制约，其中热管理和出光效率是两个关键问题。深入探究GaN基紫外LED封装技术中的热管理优化与出光效率提升路径，对于推动其产业化进程具有重要意义。
