LSI 公司日前宣布面向 OEM 客户推出业界首个 6Gb/s SAS 交换机产品系列样机。该款全新的LSI™ SAS6160 与 SAS6161 交换机可将多个服务器连接至 1 个或多个独立的外部存储系统,从而能够显著扩展 SAS 在直联存储
LSI公司日前宣布面向 OEM 客户推出业界首个 6Gb/s SAS 交换机产品系列样机。该款全新的LSI SAS6160 与 SAS6161 交换机可将多个服务器连接至 1 个或多个独立的外部存储系统,从而能够显著扩展 SAS 在直联存储 (DAS) 环
1、范围本标准规定了LED显示屏的定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则以及标志包装运输贮存要求。本标准适用于LED显示屏产品。它是LED显示屏产品设计、制造、安装、使用、质量检验和制订各种技术标准、技术文件
北京时间3月14日消息,据国外媒体报道,美国市场研究公司Investor Village旗下AAPL Sanity团队对苹果平板电脑iPad接受预订情况已经进行了初步分析,预计该产品在接受预订的第一天内订单量已经达到12万台。苹果的该产
3月12日午间消息(李明)国家广电总局广播科学研究院院长马炬表示,NGB(下一代广播电视网)从科技部和国家广电总局的提出到发展已经有了一年的多的时间,NGB目前可以在线支持多个业务的共享,包括看电视、下载等,
台塑集团旗下DRAM大厂南亚科日前决定进行大扩产,原本规划将12寸晶圆厂产能从现有3万片提升至3.6万片,现在计划一举提升产能至5万片水平,因此将再增加250名员工,整体员工人数将达4,250人;总经理连日昌表示,目前1
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gb
“三网融合”将圈定新试点城市 2月22日,广电总局紧急叫停广西电信IPTV业务,尽管给“三网融合”蒙上一层阴影,但阻碍不了消费者对三网融合的热盼。 三网融合的武汉样本摆在眼前———日前,武汉市下一代广
“三网融合”将圈定新试点城市2月22日,广电总局紧急叫停广西电信IPTV业务,尽管给“三网融合”蒙上一层阴影,但阻碍不了消费者对三网融合的热盼。三网融合的武汉样本摆在眼前——&md
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps,功
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps
世上恐怕很难再找到一种像SATA标准一样具有强烈两面性的接口标准了,这种标准的接口在机箱内部应用场合占据绝对的主导地位,不过在机箱外部的外设连接场合则很少被人们使用。为此,几年前SATA联盟制订了一个名为eSAT
资深IPTV人龙奔,用一句话总结此次三网融合的未来:“让纠结者有理由继续纠结下去”。龙奔刚从目前中国最大的IPTV运营商——上海文广旗下百视通公司辞去副总裁职务。他所言的纠结在于,广电与电
爱立信 (NADAQ:ERIC) 在巴塞罗那GSMA全球移动通信大会上成功演示了LTE/4G系统,下行速率达每秒1GB,创下了世界纪录。 爱立信执行副总裁兼网络业务部主管Johan Wibergh说:“我们预计到2020年全球将有500亿个移动
Intel今天发布了第三代基于10GBase-T 10Gbps以太网标准的服务器网卡“X520-T2”,并首次配备了两个RJ-45网络接口。这块网卡基于Intel 82599EB 10Gb以太网控制器,25×25毫米576针FC-BGA封装,典型功耗
韩联社(Yonhap)引述首尔大学说法指出,1组韩国工程师已改良手机用芯片技术,可大幅提升手机性能。 首尔大学表示,该团队研发的NOR芯片,可课服过去的诸多缺点。负责人表示,尽管NOR芯片能快速回溯资料,但却因为NOR芯
安捷伦科技(Agilent Technologies Inc.)宣布推出Agilent N4876A 2:1多任务器,该产品可让Agilent J-BERT N4903B和Agilent ParBERT 81250A的数据速率延伸到28Gb/s,能准确地描述新一代串行接口的特性,以提高设计边限
NANDFlash市场未脱传统淡季,仍在等待苹果(Apple)补货效应出现,2010年1月下旬NANDFlash合约价大致持平,高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨,低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple-LevelCell)成为市场的价格
NAND Flash市场未脱传统淡季,仍在等待苹果(Apple)补货效应出现,2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平,高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨,低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple- Level Cell)成为市场
虽然三星、海力士、美光等3大厂仍未释出封测订单委外代工,但占全球DRAM产能逾4成的台湾DRAM厂及日本尔必达,封测订单却是源源不绝释出,所以台湾DRAM业者如力成、华东、福懋科、泰林等,今年来产能利用率维持95%以