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直接跪了，这样的电脑风道箱我们也来做个？
当风冷达到冷却极限的时候怎么办？普通的用户通常是换更大的风扇来提升冷却效能，但是作为极客的麦克却专门为电脑做了一个风道箱。他用盒装风扇，中等强度的纤维板以及铝管为电脑打造了专用的风冷通道箱
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或于CES2013发布 索尼Odin定名Xperia X
字母X对于人们来说总有一种期待在里面，这个字母向来代表了神秘、未知以及某种程度上的惊喜，而这一次相信也不会例外。有传言称，曝光以久的索尼C650X Odin将定名为Xperia X。 传索尼Odin定名为Xperia X(
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怎么看电脑内存条好坏？
电脑内存怎么看，怎么看电脑内存?查看电脑内存其实方法很多也非常简单，大家只需要进入“我的电脑”--空白区域内 --右键单击鼠标，选择 -- 属性 -- 常规选项 中就可以看到电脑内存信息了。如下图：从中我们
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10GbE以太网难落实 成本成关键问题
2013年越来越不可能成为10Gb/秒以太网(10GbE)获得广泛采用的一年。当然，我们将被告知说这一年会是10Gb/秒以太网大发展的一年，就像我们过去几年来被反复告知的那样。原因?不是因为技术能力——10Gb/秒以太
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东芝发布CF存储卡：150MB/S写入速度问鼎全球
日前东芝宣布正式进军CF存储卡市场，并同期发布了三款容量为16GB/32GB/64GB的EXCERIA PRO CF卡，读写速度均到到150MB/s。 作为业内知名闪存制造上，东芝的NAND闪存芯片NAND闪存芯片被广泛应用在各种设
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展望2013年存储行业：创新不断焕发正能量
DDR3内存给行业注入正能量 2012年是近年内存行业最为辉煌的一年，内存颗粒制造工艺全面推荐到30nm，DDR3内存提高频率到1600MHz，同时8GB DDR3内存进入普及。不但厂家从里面获利，广大网友们也乐在其中，形成真正的双
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Intel消费级SSD将全面导入20nm制程
Intel 确认会在第一季释出335 系列的180GB 和80GB之后，在消费端的布局究竟会如何，实在让人好奇。 SSD作为目前高速的储存媒介，是不少玩家以及使用者的最爱，作为全球最大的半导体制造商与设计商，In
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Intel消费级SSD将全面转入20nm制程
Intel确认会在第一季释出335系列的180GB和80GB之後，在消费端的布局究竟会如何，实在让人好奇。SSD作为目前高速的储存媒介，是不少玩家以及使用者的最爱，作为全球最大的半导体制造商与设计商，Intel在这块市场也投入
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Intel消费级SSD将全面导入20nm制程
Intel 确认会在第一季释出335 系列的180GB 和80GB之后，在消费端的布局究竟会如何，实在让人好奇。 SSD作为目前高速的储存媒介，是不少玩家以及使用者的最爱，作为全球最大的半导体制造商与设计商，Intel 在这块市场
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宽带中国战略预计将带来1.6万亿基础设施投资
2012年3月30日工信部正式抛出宽带中国战略，很多受益者已尝到了 “头啖汤”。从2011年中国电信和中国联通分别提出“光网城市” 计划，两大运营商在一线城市的宽带升级已经在加速，仅仅中国电信2
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详解闪盘分区格式中NTFS和exFAT的差异
U盘分区格式相信大家都知道一些了，比较常见的有FAT、FAT32、NTFS和exFAT，FAT已经慢慢被淘汰了，由于单个文件越来越大(如高清电影，大型游戏安装包)，超过4G的文件，FAT32格式又不支持，所以NTFS或exFAT格式是U盘比
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苹果笔电明年出货恐现零增长
市场传出，苹果2013年对笔电的出货量预估即将出炉，但业内人士认为，由于苹果笔电价格高昂，明年出货量成长幅度仍恐约在10%左右，甚至可能零成长。法人指出，苹果明年度笔电出货展望，与台厂关连性密切，包括组装厂广
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Intel SSD 330系列240GB将停产
随着SSD 335系列开卖，Intel前一代的SSD 330系列也将陆续发布停产通知。Intel在第三季发布了20nm制程的SSD 335系列，看似欲取代25nm制程的SSD 355系列，但在价格还是偏高的情况下，似乎无法获得消费者的青睐。同样是
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移动终端引领存储器需求，NOR和DRAM各有困扰
这两年，移动存储器市场增长的主要动力来自手机、平板等移动终端，NAND与NOR闪存市场格局变化迅速，越来越先进的手机扮演主导角色，左右着该产业的趋势，并决定供应商的成败。DRAM在PC市场需求的下滑，在移动市场找到
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泰克推出新32 Gb/s多通道高速码型发生器和误码测试仪
21ic讯 克公司日前宣布推出新系列高速码型发生器--- PPG3000和误差检测仪--- PED3000来支持32 Gb/s光和串行数据通信测试。新的PPG3000系列码型发生器和PED3000系列误码检测仪支持多通道图形发生并带有通道专属数据编
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12月上旬DRAM模块价止跌反弹
市调机构集邦科技旗下DRAMeXchange调查显示，继11月下旬DRAM合约价格小跌3.17%，受到现货价格的激励，12月上旬的模块价格亦同步呈现上扬走势。目前4GB均价回到15.5美元水位，小涨1.64%；2GB模块均价同样受惠，回到美
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DRAM现货价站上1美元 波段涨幅2成
本周DRAM现货价持续走扬，DDR3 2Gb颗粒现货均价突破1美元大关，波段涨幅逾二成。今早DDR3 2Gb颗粒现货持稳于1美元以上，有利于本月合约价止跌回稳。随着供应商减产效应发酵，加上市场库存水位回复正常，需求逐步回温
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手机空间不够用？把SSD“塞”进去
最近很多国产旗舰智能机都不支持SD卡扩展了，虽然16/32GB的空间用来存储日常应用、照片什么的已经是足够了，但如果存上一两部高清电影的话，那么存储空间就会捉襟见肘了。 为了解决这一困难，金士顿推出
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NAND合约价续跌1%至2%
12月上旬储存型闪存(NAND Flash)合约价持续滑落，较11月下旬下跌1%至2%。根据集邦科技调查，12月上旬32Gb MLC合约均价为2.47美元，较11月下旬下跌1.98%；64Gb MLC合约均价为4.98美元，与11月下旬持平。12月上旬32Gb
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标准内存可获低价平板采用
研调机构集邦科技表示，低价平板计算机在成本考虑下，标准型内存可望获高比例采用。集邦科技指出，1GB行动内存报价约10美元，标准型内存价格仅3.5美元，两者价差达65%；以低价平板计算机价格100美元估，行动内存占成
