据BusinessKorea报道, 为应对日本对韩国半导体材料的出口限制,SK海力士已经开始测试从中国进口的氟化氢材料,同时三星电子最近也从西安大规模订购了高纯度氟化氢。日本的氟化氢约占韩国进口氟化氢
据重庆晨报报道,SK海力士半导体(重庆)有限公司对外协力总监姜真守透露,SK海力士重庆芯片封装项目(即二期工程)设备搬入调试完成后,将在9月前后陆续投产。姜真守表示,目前,封装和测试均在一期工程内完成
最担心的事情还是来了,自从前几天内存现货价格首次出现10个月来的涨价之后,这几天现货价格连续上涨了。尽管半导体研究中心(DRAMeXchange)上周才给内存涨价泼了一盆冷水,指出价格跌幅从之前的10
2019年2季度,SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%,主要原因是该公司增加了72层3D NAND的产量。继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后,SK海力士也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%,以放缓产能扩张速度。
韩国存储器大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况,因为受到存储器价格持续低迷,以及日韩贸易摩擦等因素的冲击,净获利较2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2存储器产线的投资之后,也宣布该公司的生产调整计划。
近日,受日本材料出口限制的影响,韩国半导体相关企业多少产生了一些波动,其中,三星电子和SK海力士是遭受日本出口限制最严重的公司。 据路透社报道,韩国存储芯片制造商三星电子和SK海力士股价周三上涨。分析
SK海力士宣布,已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度,单颗芯片集成超过36
近日,SK海力士宣布,已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存,但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4
韩国三星公司日前否认了李在镕从日本供应商那里获得了紧急供应的半导体材料,这也意味着在突破日本封锁的问题上,三星等韩国公司又回到了原点,迫切需要寻找日本之外的供应来源。此前有分析称日韩这次围绕半导体、面
SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD硬盘,不过官方并没有公布SSD硬盘的名称,只知道是NVMe标准的,基于72层堆栈的3D TLC闪存,M.2版容量最大4TB,U.2容量可达8TB。性能方面,SK
韩国媒体报道,由于DRAM内存芯片价格不断下跌,近期又有华为事件的影响,SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。中国市场是SK海力士最大的海外市场,去年中国区营收占了40
SK海力士26日正式宣布,已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前,该公司宣布了96层4D NAND芯片。
4月18日,SK海力士半导体(中国)有限公司(下简称“SK海力士”)举行主题为“芯的飞跃、芯的未来”的竣工仪式,宣布SK海力士二工厂项目竣工。为确保在全球半导体行业的领先地位,全球排名第二的DRAM半
去年IEDM(国际电子器件会议)期间的一个周日的夜晚,TechInsights举办了一场招待会,Arabinda Das和Jeongdong Choe在会上做了演讲,吸引了一屋子的与会者。Arabin
据路透社引述知情人士指出,SK海力士正在考虑收购部分逻辑芯片制造商MagnaChip(美格纳),用于扩大其8英寸晶圆生产线。
日前爆出三星供货给亚马逊的服务器DRAM出现瑕疵,据韩媒《etnews》报导,亚马逊为寻找替代产品,开始转向SK海力士订购DRAM,外界也开始关注三星DRAM瑕疵事件是否会为SK海力士带来间接利益。
1-2月,无锡外贸进出口达970亿元,较上年同期增长5.2%,高于全省增速6.4个百分点,占全省外贸进出口总值的15.1%,总量位居全省第二。
半导体业界分析,三星电子以技术领先的策略,阻止了主力商品DRAM市场恶化。随着全球客户减少数据中心的投资,DRAM价格暴跌、需求开始钝化,从今年起到2月底为止,DRAM价格已下跌将近30%。
近日,SK海力士二工厂项目35亿美元银团贷款签约仪式在无锡举行,此次贷款的银团由国开行牵头,农行、建行、中行、工行、进出口等银行参与。
SK海力士于3月4日宣布,将于2022年在其位于京畿道利川市和忠清北道清州市的半导体工厂附近建设自己的发电设施“智能能源中心”。明年将破土动工,未来三年投资总额为1.68万亿韩元(14.9亿美元)。