继三星电子之后,日本政府批准SK海力士气体氟化氢的进口申请。韩国产业通商资源部层表示,氟化氢申请进口将近90天,日本政府却未批准许可。但据韩媒《国民日报》2日报道,SK海力士相关负责人表示,日本已于3
10月1日,韩国产业通商资源部层表示,氟化氢申请进口将近90天,日本政府却未批准许可。不过今天SK海力士相关负责人表示,日本已于9月30日批准了其有关气态氟化氢的进口申请。 日本政府7月加强对韩出口限
据韩国《中央日报》4日报道,在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后,SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。该报道还指出,三星电子
在过去几个月中,日本政府宣布对韩国进行半导体材料出口管制,并且将从出口白名单中取消,引发了对韩国科技行业尤其是半导体产业的影响,三星电子掌门人李在镕甚至紧急前往日本拜访供应商,寻求半导体材料的变通供应
说起韩国巨头SK海力士,大家肯定都知道他家的NAND闪存、DRAM内存芯片,不过其实在早些年,SK海力士还做过零售SSD产品的,只不过一直没有什么突破,就悄悄退出了,专心经营上游芯片。 现在,SK海力
7月22日消息,据国外媒体报道,上周日,韩国存储芯片生产商SK海力士(SK Hynix)首席执行官(CEO)李锡熙(Lee Seok-hee )前往日本,与日本供应商进行洽谈,以解决关键半导体原材料的
7月27日消息,据国外媒体报道,芯片制造商SK海力士计划今年将3D NAND闪存产能削减15%,以放缓产能扩张速度。这一数据高于此前计划的10%。 这家芯片制造商表示,它将削减主要内存产品的产量,专
继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后,另一家存储巨头也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%,以放缓产能扩张速度。 2019年2季度,SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%,主要原
继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后,另一家存储巨头也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%,以放缓产能扩张速度。 2019 年 2 季度,SK 海力士的 NAND 闪存出货量环比增长了
韩国SK海力士日前发布财报,Q2季度中营收6.45万亿韩元,同比下滑38%,运营利润只有6376亿韩元,同比暴跌了89%,净利润仅为5370亿韩元,约合4.6亿美元,同比暴跌了88%,创下了三年来最低
台北电脑展旗舰,AMD发布的锐龙三代平台首次为消费级市场带来了PCIe 4.0,群联和慧荣则同时公布了各自的PCIe 4.0 SSD主控方案,技嘉、影驰、海盗船、威刚、博帝等厂商成为首批PCIe 4.
韩国存储器大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况,因为受到存储器价格持续低迷,以及日韩贸易摩擦等因素的冲击,净获利较2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2存储器产线的投资之后,也宣布该公司的生产调整计划。
据BusinessKorea报道, 为应对日本对韩国半导体材料的出口限制,SK海力士已经开始测试从中国进口的氟化氢材料,同时三星电子最近也从西安大规模订购了高纯度氟化氢。日本的氟化氢约占韩国进口氟化氢
据重庆晨报报道,SK海力士半导体(重庆)有限公司对外协力总监姜真守透露,SK海力士重庆芯片封装项目(即二期工程)设备搬入调试完成后,将在9月前后陆续投产。姜真守表示,目前,封装和测试均在一期工程内完成
最担心的事情还是来了,自从前几天内存现货价格首次出现10个月来的涨价之后,这几天现货价格连续上涨了。尽管半导体研究中心(DRAMeXchange)上周才给内存涨价泼了一盆冷水,指出价格跌幅从之前的10
2019年2季度,SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%,主要原因是该公司增加了72层3D NAND的产量。继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后,SK海力士也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%,以放缓产能扩张速度。
韩国存储器大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况,因为受到存储器价格持续低迷,以及日韩贸易摩擦等因素的冲击,净获利较2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2存储器产线的投资之后,也宣布该公司的生产调整计划。
近日,受日本材料出口限制的影响,韩国半导体相关企业多少产生了一些波动,其中,三星电子和SK海力士是遭受日本出口限制最严重的公司。 据路透社报道,韩国存储芯片制造商三星电子和SK海力士股价周三上涨。分析
SK海力士宣布,已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度,单颗芯片集成超过36
近日,SK海力士宣布,已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存,但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4