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SK海力士4D NAND闪存正式量产：96层堆栈、速度提升30%
随着64层堆栈3DNAND闪存的大规模量产，全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存
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NAND价格下探0.1美元 三星、美光等原厂积极扩产
受惠于NAND Flash每GB价格下探0.1美元的甜蜜点，终端需求大爆发，三星、SK海力士、美光、东芝等均继续积极扩充NAND产线，此举对以量取胜的封测大厂力成与华泰来说，是一大佳音。近两年，2D NAND转向3D NAND，处于克服良率的阶段，产能自然减少，导致后段封测厂订单不理想，但近期因3D NAND良率持续提升，市场供给量增加，虽导致NAND报价快速且长时间的下滑，但也因为报价跌到市场可大量接受的甜蜜点，致使需求量快速拉升。
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SK海力士宣布量产4D TLC闪存：96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps
从SK海力士给出的资料图中可以看到，海力士4D闪存采用的是V5 512Gb TLC闪存，同时采用的是96层堆叠、I/O接口速度达到了1.2Gbps，同时SK海力士还宣布将会在第四季度量产这些芯片。
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美对晋华实施禁售令，三星、SK海力士或借机大赚？
在贸易战的中美矛盾不断激化的情况下，美国商务部周一(29日)紧急宣布，为了维护国家安全，对中国福建晋华集成电路实施紧急禁售令，将福建晋华列入美国产品、软件和技术出口的黑名单，这与之前中兴通讯受到的惩罚手法相似。
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存储器产业也将引入EUV技术，三星、SK海力士开始，最快2020年量产
根据韩国媒体的报导，不论是处理器还是存储器，现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于采不采用最先进的EUV极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说，以逻辑芯片的处理器产品来看，因为在制程节点推进到7纳米制程之后，对EUV技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进制程，未来也就越仰赖EUV技术。
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尽管芯片价格疲软，SK海力士三季度盈利大增73％！
SK海力士为全球第二大内存芯片制造商，其表示7月至9月的营业利润同比增长73%至6.5万亿韩元(57亿美元)。根据信息巨头Refinitiv的数据，第三季度的实际收益超出19位分析师的平均预测——6.3万亿韩元。与去年同期相比，SK海力士销售额增长41%，创下11.4万亿韩元的历史新高。
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三星/SK海力士推迟3D NAND闪存芯片产能扩充，需求增长乏力
内存价格已经连续上涨两年多，业内普遍预测到今年第四季度将逐步回归正常，但还没来得及兴奋，坏消息就来了。据台湾媒体援引业内消息称，三星电子、SK海力士都计划推迟工厂扩建、产能扩充计划，原因是客户需求正在
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为减少对DRAM的依赖，SK加码投资NAND！
日前有韩国媒体《Business Korea》分析，SK海力士这间M15工厂落成后，可借由扩大生产来缩小市场差距。另外根据SK海力士在第2季的财报中显示，DRAM占80%的销量，NAND Flash则仅占18%，和三星电子60：40的比重来比，SK海力士对DRAM的依赖偏高。SK海力士打算借由此次加码投资NAND Flash来减少对DRAM的依赖。
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贸易战升级！大量在华外企逃离中国
美国一旦继续对中国产品加收关税，有关企业完全可以立即撤厂。因为多数大型企业都在多个亚洲国家设有分厂，因此他们可以在不新建工厂的情况下，至少将部分生产转移至其他国家。而台湾和泰国政府则公开鼓励企业离开中国。
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内存大降价无望？三星、SK海力士等巨头都在收紧内存产能
有消息称三星、SK海力士等巨头都在刻意收缩DRAM内存颗粒、NAND闪存颗粒的性能，避免供过于求导致价格下滑太多。台湾《电子时报》旗下调研机构Digitimes Research今天又发布报告称，2018年全球DRAM、NAND产能输出的增幅预计不会超过30%，2019年更是将不到10%。
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三星DRAM延期 为价格形成有力支撑
三星原订本季完成每月增产3万片DRAM计划，决定延至今年底，为DRAM价格形成有力支撑。 随着三星新产能扩充脚步延后、供给获得节制，一般预料，DRAM价格在今年11月前都将持稳不坠，台系DRAM大厂南亚科、华邦电今年营收也将同步缴出创历史新高佳绩。
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中国为啥对三星、美光、SK海力士展开调查？
存储器厂商勾结的这种说法为什么会成立呢?比如存储器厂商之间串通一气，在看似合情合理的情况下。也不去故意设定某个价格，只是控制一下供应量，这样就自然而然的支配定价，就像石油市场一样。
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雨过天晴,东芝出售芯片业务终获中国监管部门批准 将于6月完成交易
据日本共同社消息称，日前，东芝公司宣布，中国监管部门已经批准了贝恩资本财团180亿美元收购其芯片业务部门交易。
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DRAM内存芯片降价会产生什么影响？
这两年内存价格的一路飙升让人感到刻骨铭心，而就在2017年第四季度，内存价格开始稳定并有所回落，DRAM内存芯片的行业价格也下跌了5%。
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紫光集团发布声明：与SK共同研发闪存芯片消息不属实
据报道，今天紫光集团发布声明称，有关“与SK海力士就芯片闪存技术许可进行谈判与合作”的消息纯属捕风捉影的市场传言，完全没有事实依据。
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第三季智能手机市场逐渐复苏，开始进入旺季备料阶段
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，第三季智能手机市场逐渐复苏，开始进入旺季备料阶段，对行动内存需求增加，带动价格上扬走势。整体而言，第三季行动式内存市场以缩小区域价格差异与微调高容量规格报价为主轴，报价平均涨幅落在5%以内，营收较第二季成长4.3%。单就三大主流供货商而言，以SK海力士表现最为亮眼，较前一季成长达30%。
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行动式内存价格上涨，SK海力士赚翻了
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，第三季智能手机市场逐渐复苏，开始进入旺季备料阶段，对行动内存需求增加，带动价格上扬走势。整体而言，第三季行动式内存市场以缩小区域价格差异与微调高容量规格报价为主轴，报价平均涨幅落在5%以内，营收较第二季成长4.3%。单就三大主流供货商而言，以SK海力士表现最为亮眼，较前一季成长达30%。
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三星未来再调涨DRAM报价？
DRAM供不应求短期难解，全球DRAM制造龙头南韩三星半导体通知通路商，计划明年第1季再调涨DRAM报价，涨幅3~5%， 其中以行动式DRAM涨幅较大，这也说明三星在采取节制性增产下，仍不愿放弃持续拉升DRAM获利，推升集团获利表现，有助破除让近期市场担心三星可能会扩产，打乱DRAM产业秩序的疑虑。
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内存狂涨价：台湾南亚量产DDR3/4
内存价格持续上涨，主要是源头的三星、SK海力士、美光三大家DRAM颗粒供应严重不足，而且整个2018年都不会缓和。
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东芝或与SK海力士合作 在闪存代工方面
东芝公司将可能与SK海力士在闪存代工业务方面达成合作关系，此即意味着其与西部数据公司组成的合资企业恐已走到尽头。
