垂直GAN晶体管技术发展的进步
使用双向 GaN 开关实现单级功率转换
通过自动动态开关测试研究 p-GaN HEMT 上的电应力
双向GaN功率IC有何用途?
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集成电路 p 栅极 GaN HEMT 中的栅极过压稳定性
我们能获得更好的音频放大器吗?是的,用氮化镓!
利用阻性负载增强LNA稳定性(上)
利用阻性负载增强LNA稳定性(下)
氮化镓功率技术大热,Transphorm创新HEMT结构“剑走偏锋”高压器件
基于GaN HEMT 的半桥LLC优化设计和损耗分析
AIGaN/GaNHEMT功率放大器设计
基于phemt工艺的北斗接收机前端lna的设计
一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法
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