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  • 区块链无法解决医疗数据的互操作性问题

    区块链无法解决医疗数据的互操作性问题

    许多人认为区块链能解决世界上所有的问题,包括几十年来困扰医疗行业的问题:医疗记录和数据的互操作性。虽然区块链和医疗记录的互操作性可能具有共生关系,但区块链并没有解决医疗数据的互操作性问题。 在卫生保健领域,共享数据需要一个集中的服务器,或者在机构之间传输大量数据。根据梅奥诊所的一项研究,集中化可能会增加安全风险,而大规模数据传输可能迫使机构放弃对数据的控制。 区块链的独特之处在于,它实际上是去中心化的,并且通过一个复杂的区块系统来利用一个开放的数据分类。信任不是集中的,而是分发给网络中的参与方。实际上,区块链是一种高效、分散和安全的基础设施。 作为一家直接致力于实现分散式区块链应用程序的公司的首席执行官,我已经看到这个系统提供了一个通用的支持技术架构和基础设施。但是,它不能提供医疗记录的互操作性,因为医疗记录的要求是跨机构界限来传达临床意图。 另一方面,卫生保健行业已经开始围绕快速的卫生保健互操作性资源(FHIR)作为交换数据的新标准。卫生保健标准组织,Health Level Seven International(HL7)负责创建这种标准化的数据交换模型,它利用web应用程序编程接口(api)来提供标准接口,以便任何授权的应用程序都可以通过适当的身份验证发送和接收数据。(注释:我们的首席技术官已经加入了HL7 FHIR基金会。) 类似于开放系统互连模型(OSI模型)的层,FHIR将系统特定的数据表示转换为标准格式,以提高不同应用程序和包括移动设备在内的系统之间的数据互操作性。在区块链的背景下,数据本身可以在非链上,也可以是链上的,这取决于它是公共的还是私有的区块链。 你可能听说过像LOINC和SNOMED这样的术语。这些是在临床文档和报告中使用的系统组织的术语和代码。在提供护理时,至关重要的是,这些代码在卫生保健环境中以一致的方式被理解和解释。问题是不同的电子健康记录(EHR)系统有自己的临床定义的实现。因此,同样的健康信息有可能被许多不同的价值观所识别,因此可能会被误解。 好消息是,FHIR支持各种文档格式的信息共享,这些格式被验证以确保它们符合当前的标准。在FHIR概要文件中,对于诸如条件和生命体征之类的东西的细节级别越高,发送方和接收方系统之间的含义就越有可能被正确理解。 另一种方法是拥有一个代表代码系统和词汇表的外部术语服务器,并使用FHIR作为一种资源。术语服务器可以为最新版本的代码系统和词汇表引用,而不是将它们驻留在FHIR中。随着新版本标准的最终确定,外部术语服务器可以进行维护和更新。 无论该行业采用哪一种路径,很明显,实现真正的语义互操作性将需要大量的工作。 结合区块链,FHIR可以维护健康数据交易的安全性和完整性。尽管它们以不同的方式发挥着作用,但它们破坏传统卫生保健的潜力是深远和充满希望的。然而,涅槃是临床信息的真正语义互操作性,而区块链对这一点也没有帮助。

    时间:2020-06-30 关键词: soi 区块链 ehr

  • 格芯与环球晶圆达成12英寸SOI晶圆合作协议 将用于RF射频芯片

    格芯与环球晶圆达成12英寸SOI晶圆合作协议 将用于RF射频芯片

    日前Globalfoundries格芯宣布与全球第三大硅晶圆供应商环球晶圆签署合作备忘录,双方未来将进一步合作,由环球晶圆为格芯供应12英寸的SOI晶圆。 环球晶圆目前已经有研发、生产8英寸SOI晶圆,这次合作为双方合作开发、供应12英寸SOI晶圆铺平了道路,格芯有望获得稳定的12英寸SOI晶圆。 SOI是什么?它的全称是Silicon-On-Insulator,也就是绝缘体上硅,在硅晶圆基体与衬底之间加了绝缘层,隔离开来,最早是IBM开发的,也是IBM的特色工艺技术之一。 SOI的原理很复杂,大家只要知道SOI工艺具备性能更高、功耗更低等优点就行了,此前业内有个说法就是具备SOI技术的工艺相当于提升了半代水平。 在AMD自己制造CPU的年代里,他们也是SOI工艺的拥趸,32nm SOI工艺时代AMD的推土机处理器就实现了8核5GHz的记录,SOI工艺也是有功劳的。 格芯从AMD分离出来之后,32nm SOI工艺也用了很长时间,但是种种问题导致产能不行,AMD最终在28nm节点放弃了SOI工艺,转向传统的Bulk工艺了。 时至今日,在高性能CPU代工上,格芯依然有少量SOI工艺生产,比如IBM的Power 9及改进型处理器,使用的就是14nm SOI工艺,最新的Z15大型机上实现了12核5.2GHz的提升,说明SOI工艺还是有潜力的。 不过在格芯2018年宣布无限期搁置7nm及以下节点之后,他们的SOI工艺应该没可能在用于AMD的处理器了,这次与环球晶圆的合作也主要是用于RF射频芯片,应该是用于他们的22nm、12nm FD-SOI工艺生产线中。 根据格芯所说,他们打算将其领先的RF SOI技术,应用于环球晶圆扩产供应的12吋的SOI晶圆上,经由技术优化,为目前以及下一世代的移动设备和5G应用,提供低功耗、高效能和易整合的解决方案。

    时间:2020-04-20 关键词: 晶圆 AMD soi 格芯 环球晶圆 12英寸

  • 半导体严重衰退之年,Soitec何以实现飞速增长?

    半导体严重衰退之年,Soitec何以实现飞速增长?

    根据集邦科技发布的报告,2019年全球半导体行业产值将下滑13%,创下10年来最严重的衰退。在整个半导体行业都不太理想的大背景下,有一家企业却如一匹黑马,凭借SOI优化衬底技术一骑绝尘,实现了30%的业务增长,它就是Soitec。年末岁尾之际,Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk接受了21ic的采访,揭示其背后的成功之道,也阐释了半导体行业未来发展的热点趋势。 Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk Thomas Piliszczuk介绍说,2019年对于Soitec来说是非常向上的一年,几周之前,Soitec发布的最新财报显示2020年上半财年比2019上半财年实现了30%的增长,相比其他同行,Soitec呈现出了一种更强劲的发展势头。 至于Soitec成功背后的首要原因,Thomas Piliszczuk指出,“扩展产品组合至使用新型半导体材料的优化衬底是我们的重要战略。除了GaN、POI和复合材料如硅基铟氮化镓,Soitec还在研究碳化硅材料的机会,以满足新市场的需求。” 据了解,Soitec是全球优化衬底最大的制造商,凭借其两个核心技术Smart CutTM和Smart StackingTM,Soitec为行业提供创新的材料及优化衬底设计。在RF-SOI产品上,Soitec引领行业标准,其RF-SOI产品正应用于全球所有品牌的智能手机中,以及5G时代相关产品中,另外,Soitec的FD-SOI产品系列可将数字、模拟、射频和高压等多种功能集成到单个片上系统中(SoC),是汽车、物联网市场的理想选择。 RF-SOI和FD-SOI之外,Soitec还开发出了Power-SOI 、Photonics-SOI、 Imager-SOI等多种产品,可应用于汽车、工业系统高功率器件,数据中心光学数据收发、图像传感器等产品中。 除了硅基的SOI产品,Soitec还将这种优化衬底技术扩展到更广泛的应用领域,例如化合物半导体的氮化镓、碳化硅等材料上。 2019年5月,Soitec收购氮化镓(GaN)外延硅片供应商——EpiGaNnv,将氮化镓纳入其优化衬底产品组合。完成此次收购后,Soitec将可渗透到指向功率放大器(PA)的sub-6GHz基站市场。 Thomas Piliszczuk特别强调:“我们最大的一个突破或者最主要的成功原因是将产品应用在智能手机上,5G时代的发展是我们业务最强劲的一个驱动力”。 Thomas Piliszczuk解释说,4G手机到5G手机的转型当中,智能手机对于RF-SOI的需求,根据手机设备不同可增长20%至90%,这给Soitec的RF-SOI产品提供了一个巨大的市场。 最近,Soitec宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。Thomas Piliszczuk在介绍这方面的计划和进展时指出,该合作项目可以解决目前碳化硅在供应量、良率、成本等方面的问题。 Soitec员工手里拿着的是一片用Smart CutTM技术切割的碳化硅晶圆片 Thomas Piliszczuk透露,使用Soitec核心技术Smart CutTM将碳化硅晶圆体进行精准切割成超薄单晶碳化硅层,再将切割后的超薄单晶碳化硅层放置在其他材料之上,从而形成一个全新的结构,这种复合结构的碳化硅与纯的碳化硅材料相比具有同样甚至更好的电气性能。这样,通过切割碳化硅晶圆成10个或更多超薄单晶碳化硅层,一个碳化硅晶圆就可以制作出10个或更多碳化硅产品,大大提高了生产率,也解决了成本高的问题。 在谈及中国市场的营收表现时,Thomas Piliszczuk透露,目前Soitec在中国市场的直接业务,即Soitec直接将产品销售到中国的代工厂的营收还比较有限,但在中国的间接业务发展非常鼎盛,强大的需求主要来自中国的无晶圆厂,例如:华为海思半导体,紫光展锐、福州瑞芯微电子(RockChip)等,需求量很大。 展望2020年,Thomas Piliszczuk认为Soitec重点关注的应用领域仍然是5G、AI、电动汽车等行业,中国是重点关注的关键市场之一,Soitec会加强和注重与产业链相关的每一个客户的紧密合作。除此之外,还将加强在中国市场的推广,积极参与中国关键大型项目。  

    时间:2019-12-24 关键词: 半导体 soitec 高端访谈 soi

  • Melexis最新LIN RGB LED控制器可提供简化使用方式,提升车内氛围灯应用性能

    Melexis最新LIN RGB LED控制器可提供简化使用方式,提升车内氛围灯应用性能

    2019年12月4日,比利时泰森德洛-全球微电子工程公司Melexis宣布引入新一代LIN RGB(W)LED控制器IC产品。作为车内氛围灯解决方案的全球领导者,全新的MLX81113将支持基于LIN的RGB LED车内氛围灯应用(也称为LIN RGB)进一步发展,LIN RGB几乎已经获得全球所有OEM的认可。与广受欢迎的MLX81108相比,MLX81113具有更大的片上内存、更高的恒流源输出和更强的EMC稳定性。此外,MLX81113符合ISO 26262功能安全要求,满足ASIL-A等级。MLX81113提高了片上系统功能,配备有MLX16 FX 16位RISC微控制器、2KB RAM和32KB Flash,以及系统ROM,显著提高应用程序性能。片上EEPROM增加到576字节用于存储用户数据,如LED校准系数,从而确保汽车应用的RGB LED具有均匀平衡的亮度和色彩。四路恒流源输出支持软件编程,提供高达60mA的电流,支持使用来自不同供应商的各种RGB LED。独立的PWM控制,支持16位分辨率,可用于调节所连接RGB LED的任何色点和亮度水平。内置温度监控可确保在-40°C至125°C温度范围内色彩稳定,并允许对所有色彩通道进行温度补偿。红色、绿色和蓝色的任何温度漂移都可以得到完全补偿。我们提供完整的工具链用以支持快速的应用开发,包括PCB评估板,在线仿真器和C编译器封装。为简化客户的软件开发,我们还提供所有必需的软件部件,包括LIN驱动器、颜色混合和数学库以及IC初始化例程。“照明是未来驾驶室舱内实现个性化和差异化的关键功能之一。借助我们的最新产品,我们进一步扩展了照明产品系列以适应这一趋势。”Melexis的LIN产品线经理Michael Bender表示,“我们兼容LIN的RGB(W)驱动器可为入门级、中端和豪华车型提供卓越且经济实用的车内氛围灯应用。MLX81113采用绝缘衬底上的硅结构(SOI)技术,具有极高的EMC稳定性,因此提高了性能指标并减少了外部组件数量。此外,MLX81113按照ISO 26262等级进行设计,有助于进行系统级功能安全认证。”MLX81113包含完整的LIN系统,包括收发器和协议处理程序,用于将RGB环境模块与车辆的现有LIN网络连接。该片上系统符合LIN2.x和SAE J2602标准的要求,并支持自动寻址,可实现最小的模块尺寸和最低的物料清单(BOM)成本。MLX81113采用最新的绝缘衬底上的硅结构(SOI)技术,具有高压I/O,可在低至4V的电源电压下工作,即使车辆电源电压出现波动(例如在起停操作期间),也可提供出色的性能。安全功能包括28V助推启动、电池过压和欠压检测。MLX81113目前已投产,符合AECQ-100标准和PPAP的要求。MLX81113提供SOIC8外露式焊盘和无铅DFN10 3mm x 3mm散热增强型封装选项,可提供卓越的散热性能。

    时间:2019-12-05 关键词: 控制器 LED soi

  • Soitec发布2020财年第二季度业绩报告,收入同比增长46%

    作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司于10月15日公布了2020财年第二季度业绩(截止至2019年9月30日)。 2020财年第二季度收入1.39亿欧元,同比增长46%。据报告,2020财年第二季度收入较第一季度增长16%。 按固定汇率和边界计,较上财年同期,2020财年第二季度销售收入的有机增长超过40%。 200-mm晶圆销售量以固定汇率计,同比增长17%。 300-mm晶圆销售量以固定汇率计,同比增长68%。 2020上半年财年收入2.58亿欧元,较上财年同期增长38%,按固定汇率和边界1计增长逾30%。 2020财年财测维持不变:按固定汇率和边界1计销售额预期增长约30%,电子产品业务税息折旧及摊销前(EBITDA)[2]利润率[3]预期增长约30%。 Soitec首席执行官Paul Boudre评论道:“在2020财年第二季度,我们的销售收入实现了达40%的有机增长。这一增长显著得益于200-mm晶圆尤其是300-mm晶圆射频产品的出色表现。同时,这也体现了高级通信协议特别是5G部署对于Soitec产品需求量的推动作用。尽管当下行业仍面临着某些挑战,但根据本季度表现,我们对全财年的前景预期充满信心。” Paul Boudre继续补充道:“在本季度,Soitec增加了用于射频滤波器的POI产能,从而满足客户日益增长的需求。这是Soitec极具战略性的一步,将我们的技术从核心业务SOI扩展至更多的领域。” 200-mm晶圆销售额 200-mm晶圆主要用于生产射频与功率应用产品。200-mm晶圆销售量按固定汇率计,相比上一财年同季度增长了17%。基于RF-SOI晶圆需求量的稳定增长与Power-SOI晶圆一如既往的优良表现,200-mm晶圆销售量持续上升,同时也反映出200-mm晶圆更高产量与更优的产品组合。 与上一财年同季度相比,200-mm的销售增长主要得益于Soitec位于中国上海的合作伙伴新傲科技(Simgui)。 300-mm晶圆销售额 300-mm晶圆主要用于生产数字化与射频应用产品。300-mm晶圆销售量按固定汇率计较上财年同期实现高达68%的强劲增长。此项增长反映出RF-SOI晶圆产量的大幅度提高,进而带来更优的产品组合。法国贝宁II厂300-mm生产基地在2020财年第二季度实现了满负荷生产。 300-mm晶圆销售的大幅上涨主要得益于多个顶尖设计厂及代工厂客户对RF-SOI 300-mm晶圆需求快速增加。这些客户服务于目前仍持续增长的4G市场,以及第一代5G网络和智能手机的相关部署。5G通信标准需要更大量的射频组件,如天线开关、天线调谐器以及LNA(低噪声放大器),而RF-SOI已成为行业标准。 同时,由于可为各类应用如汽车、人工智能、物联网智能家居、工业设备及5G芯片等带来强大的价值,FD-SOI技术不断得到推广和采用。 此外,应用于硅基光收发器的Photonics-SOI晶圆也实现了销售增长。这主要得益于新一代数据中心对于提高数据传输速率和实现更具成本效益的光传输的需求。 特许权使用费及其他营业收入 2020财年第二季度的特许权使用费及其他营业收入总额达到560万欧元,2019财年第二季度为260万欧元。按固定汇率和边界1计,销售额增长了45%。 特许权使用费和知识产权营业收入保持平稳,从2019财年第二季度的160万欧元至2020财年第二季度的150万欧元。 其他营业收入——2020财年第二季度, Frec|n|sys、Dolphin Design及EpiGaN产生的其他营业收入合计达410万欧元。2019财年第二季度,该项收入为100万欧元,其中仅包含Frec|n|sys及2018年8月Dolphin Design首次合并后产生的销售额。 财年展望 Soitec维持原有预测,按固定汇率和边界1计,2020财年的销售额将增长约30%。 Soitec同时确定,以1.13欧元/美元汇率计,其电子产品业务EBITDA2利润率3可达到约30%(EBITDA2对欧元/美元汇率10%波动的影响,价值约为2千3百万欧元)。

    时间:2019-10-21 关键词: soitec 5G soi

  • 超越SOI,Soitec将优化衬底技术向GaN、SiC扩展

    超越SOI,Soitec将优化衬底技术向GaN、SiC扩展

    Soitec是全球优化衬底最大的制造商,凭借其两个核心技术-Smart Cut和Smart Stacking,Soitec为行业提供创新的材料及优化衬底设计,这些创新被用于加工晶体管,从而为智能手机、汽车、云、物联网等领域的终端产品带来性能和功能的提升。 最近,第七届SOI产业高峰论坛在上海召开,作为中国SOI生态圈的忠实伙伴,Soitec受邀参加并作了主题演讲,介绍了FD-SOI技术在5G时代的发展。同期,Soitec 全球策略执行副总裁 Thomas Piliszczuk 博士向行业媒体介绍了Soitec在硅基及第三代半导体材料的布局,超越SOI,Soitec正在将优化衬底技术向更多领域扩展。 Soitec的产品家族 其中,RF-SOI产品是Soitec的旗舰产品,由于它天生的绝缘性和信号完整性优势,使得RF-SOI特别适合LTE和5G应用中。RF-SOI主要用于手机的射频前端模块,提升通信功能。,目前基本上所有的手机上都在使用RF-SOI,像调谐器、PA(功率放大器)、调谐器开关、LNA(低噪声放大器)这些元器件都使用了Soitec的RF-SOI。从3G、4G到5G,RF-SOI的使用范围也越来越广。 FD-SOI用于非常低功耗的模拟还有数字的计算,它可以为5G网络应用带来宽带宽、 RF / 数字集成的优势;为汽车应用带来高可靠性、高压电集成;为边缘计算和AI带来可重构高性能计算;为IoT应用带来成本效率、高续航性;为手机应用带来制造能力、低泄露(能源)的优势,所以,FD-SOI的应用范围很广,从5G到汽车、物联网,还有边缘人工智能等都是FD-SOI的应用场所。 Power-SOI主要用于需要非常大的稳定性的高功率器件,用于像汽车、工业生产等应用中。Photonics-SOI用于数据中心光学数据的收发应用。Imager-SOI用于像手机的面部识别等应用中的图像传感器产品。 除了上面这些硅基的SOI产品,Soitec正在将这种优化衬底技术扩展到更广泛的应用领域,例如化合物半导体的氮化镓、碳化硅等材料上。 压电绝缘材料POI,这种衬底主要用于下一代的射频滤波器。随着4G、5G到来,频谱越来越密集,对滤波器的滤波功能提出更严格的要求,采用POI技术生产的滤波器可以满足4G、5G时代对滤波器强大功能的要求。 氮化镓材料由于天生的优势,特别适合高频率和高功耗的应用,例如:5G的基站等。为此,早在2019年5月,Soitec就收购了领先的氮化镓(GaN)外延硅片供应商——EpiGaN nv,将氮化镓纳入其优化衬底产品组合,通过此次收购,Soitec的产品可渗透到指向功率放大器(PA)的sub-6GHz基站市场。 碳化硅也是一个很有应用前景的化合物半导体,但它在生产上一直存在良率偏低的问题,Soitec目前正在着手解决这一问题,将创新的优化衬底技术引入碳化硅,帮助提升碳化硅的产量,降低成本。 另外,Soitec还在开发新的材料-硅基铟氮化镓,它主要用于MicroLED产品中,据预测,这个新材料在未来几年将会非常流行,用于生产高分辨率、低功耗的显示屏、显示器,例如智能手表、智能手机等。 根据Soitec的预测,从2019年到2024年,其在SOI产品上的增长率约为15-25%,非硅基的衬底产品如POI、EpiGaN等可服务市场将达5亿美元,而将新型化合物半导体引入衬底技术将带来更广阔的市场机遇。

    时间:2019-09-23 关键词: 半导体 soitec soi 技术专访 氮化镓

  • SOI 产业联盟上海论坛期间颁奖,颁发RF-SOI技术发展贡献奖

    SOI 产业联盟上海论坛期间颁奖,颁发RF-SOI技术发展贡献奖

    9月17日消息, SOI产业联盟(SOI微电子完整价值链的领先行业组织)今日宣布了半导体行业的两位杰出获奖者,分别是来自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事长兼首席技术官Jim Cable和中芯集成电路(宁波)有限公司的首席执行官兼总经理Herb Huang(黄河),二位为RF-SOI(一种广泛用于蜂窝通信芯片的领先技术)技术进步做出贡献而荣获此殊荣。此次SOI产业联盟在上海举办了年度RF-SOI论坛,共有来自中国和世界各地的450多位行业领袖参加,是SOI产业联盟最大规模的一次活动。会后的晚宴颁奖环节上向二位获奖者颁发了这一奖项。 “正是有了像Jim Cable和Herb Huang等人的创新、奉献和持之以恒,基于SOI的RF技术变得无处不在,”SOI产业联盟执行董事Carlos Mazure说。 “Jim Cable促进了SOI和RF开关的发展,现在每一部手机中都有SOI和RF开关;而Herb Huang一直是SOI技术的重要贡献者,也是中国SOI代工生态系统的倡导者。我们很高兴也很荣幸地看到他们为推动RF-SOI在全球的发展所做出的贡献。” Jim Cable于1996年加入pSemi(前身为Peregrine 半导体),担任过各个技术领导岗位,在2002年至2017年曾任首席执行官。Cable是SOI技术的早期开拓者,他认为SOI最终将取代RF前端中的其他技术,并促使自己的团队不断创新。 Cable是70多项半导体和技术专利的共同发明人,包括针对CMOS RF开关线性和集成中基于SOI工艺的突破,目前该技术在所有的智能手机中均得到应用,且将在5G和毫米波市场中变得更加关键。Cable拥有加州大学河滨分校的物理学学士学位和加州大学洛杉矶分校的电气工程硕士学位和博士学位。 Herb Huang是中芯集成电路(宁波)有限公司(NSI)的首席执行官,该公司位于中国宁波。作为中国RF-SOI生态系统的推动者,他的大部分职业生涯都在中国大陆最大的半导体代工企业中芯国际(SMIC)度过。 2016年,中芯国际与国家集成电路产业投资基金、宁波经济技术开发区产业发展投资有限公司以及其他的集成电路投资基金公司一同筹建了合资子公司中芯集成电路(宁波)有限公司。在Huang的领导下,中芯(宁波)优化了从中芯国际转移过来的0.13um RF-SOI技术平台的流程和模型。RF-SOI技术平台现已投入批量生产,为新一代无线电通信的IC设计和产品开发提供支持。Huang拥有明尼苏达大学材料科学与工程学博士学位以及MBA学位。 关于SOI 产业联盟 SOI 产业联盟是代表 SOI/绝缘体上硅微电子完整价值链的领先行业组织。SOI产业联盟的使命是为产业协作、思想引领和行业教育提供一个中立的战略化平台,在这里全球的行业高管与同行人士、合作伙伴及客户进行交流和创新,加速SOI产业发展。SOI产业联盟在全球范围内组织众多的活动,包括产业论坛、研讨会和培训活动。联盟目前已有33名成员,他们是整个电子行业基础设施中的引领者,包括Analog Bits、ANTAIOS、Applied Materials、Arm Limited、Cadence Design Systems、CEA-Leti、Coupling Wave Solutions、Dolphin Integration、GLOBALFOUNDRIES(格芯)、Greenwaves Technologies、IBM、 IMEC、Incize、Intento、Invecas、恩智浦、三星、Shin-Etsu Handotai、Silicon Catalyst、Silvaco、新傲Simgui、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、SITRI、Smarter Micro、Soitec、斯坦福大学,STMicroelectronics、Synopsys、芯原VeriSilicon、加州大学伯克利分校、鲁汶大学、东京大学和Xpeedic。会员资格对电子行业的所有公司和机构开放。

    时间:2019-09-18 关键词: 半导体 中芯 soi

  • Soitec参加第七届SOI产业高峰论坛,全方位助力5G发展

    Soitec参加第七届SOI产业高峰论坛,全方位助力5G发展

    作为设计和生产创新半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司于9月16日和17日出席了第七届上海FD-SOI论坛和国际RF-SOI研讨会,探讨SOI及其它优化衬底如何助力5G及AIoT快速发展。本届由SOI国际产业联盟举办的峰会聚集了众多来自世界领先的半导体公司、研究机构、投资机构和政府部门的行业专家。   Soitec参加第七届SOI产业高峰论坛 作为中国SOI生态圈的忠实伙伴,Soitec已经参与SOI产业高峰论坛多年。在本届峰会,Soitec的高管团队受邀参与圆桌讨论环节并发表演讲。Soitec首席执行官Paul Boudre在FD-SOI论坛参与了专题为"垂直行业推动FD-SOI产业发展"的圆桌讨论。而Soitec FD-SOI业务部总经理Michael Reiha则发表了题为"FD-SOI技术:毫米波技术的极速档"以及中国5G部署的主题演讲。   Soitec首席执行官Paul Boudre参与圆桌讨论环节 制定行业标准,推进5G等新兴技术发展 5G正在中国飞速发展。自今年6月5G牌照发布后不久,多家手机制造商便迅速推出了多款5G手机。据2019年3月全球移动通信系统协会(GSMA)发布的报告,至2025年中国将成为全球最大5G市场,坐拥4.6亿用户。5G不仅是频谱扩大约10倍,更是一个全新的无线电(NR)系统,它将为整个产业链带来全新机遇。   Soitec FD-SOI业务部总经理Michael Reiha发表演讲 半导体是高科技产品的基础。受半导体行业三大趋势——5G、人工智能及能源效率的推动,半导体技术不断突破终端应用内部的电子元件性能极限。Soitec致力于成为创新衬底的开发者和领导者,在创新链中发挥关键作用,并成为其四个目标市场的行业标准:智能手机、物联网(IoT)、汽车以及云计算和基础设施。 5G智能手机需要集成更多的滤波器以确保信号完整性和通信可靠性。为了满足日益增长的市场需求,Soitec于2019年9月13日宣布扩大其新型压电衬底(POI)的产能。POI优化衬底可用于打造新一代高性能表面声波(SAW)滤波器,提供内置温度补偿,并实现在单芯片上集成多个滤波器。 超越SOI,引领多种优化衬底创新 Soitec已经建立了RF-SOI的行业标准,其RF-SOI产品正应用于全球所有智能手机中。目前,Soitec也正在将这一技术和商业上的成功复制到FD-SOI产品系列。"目前,RF-SOI是射频前端模块的工业标准。由于最新一代智能手机射频复杂度更高,需要更多天线调谐器、更多开关和低噪声放大器(LNA),RF-SOI将在未来几年继续面临强劲的需求并得到快速的应用。凭借在产能、资产和SOI技术方面的持续投资和领先,Soitec的RF产品组合已准备就绪,可为全球各地5G解决方案的部署提供支持。" Soitec首席执行官PaulBoudre继续说道:"FD-SOI是一个多功能平台,可将数字、模拟、射频和高压等多种功能集成到单个片上系统中(SoC),从而服务汽车和物联网市场,并有可能渗透智能手机等其他市场,用于毫米波射频收发器。" 除了SOI之外,Soitec正在积极通过更多机会来引领创新并支持中国的半导体产业发展。2019年5月,Soitec收购了领先的氮化镓(GaN)外延硅片供应商——EpiGaNnv,将氮化镓纳入其优化衬底产品组合。完成此次收购后,Soitec将可渗透到指向功率放大器(PA)的sub-6GHz基站市场。Soitec将凭借其完善的产品组合服务5G 毫米波基站以及手机市场,满足不同工艺流程及相应系统架构的所有需求。 Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk表示:"扩展产品组合至使用新型半导体材料的优化衬底是我们的重要战略。除了GaN、POI和复合材料如InGaNOS(硅基铟氮化镓),Soitec还在研究碳化硅材料的机会,以满足新市场的需求。" 助力中国半导体产业逾十年 自2007年以来,Soitec始终是中国半导体行业的忠实合作伙伴。从与中国大学和研发机构建立合作关系伊始,逐步扩展到与本土代工厂合作,Soitec持续为中国市场提供差异化价值,推动业务发展的同时为5G、AI、物联网和汽车行业制定新的行业标准。 2019年3月,Soitec宣布在中国启动直接销售业务。目前,中国客户不仅可以和Soitec的本地团队建立直接联系并得到支持,还可获得Soitec在优化衬底尤其是SOI领域的全球技术专长与合作网络,不断扩充中国日益增长的消费电子市场。

    时间:2019-09-17 关键词: soitec 5G soi

  • 5G快车道上,优化衬底需求战已打响

    5G快车道上,优化衬底需求战已打响

    众所周知现今中国正处在由4G到5G的转变进程中,自6月初四大运营商获得工信部授予的5G商用牌照起,国内半导体行业就已打响5G的“突击战”。 由此,就引申出一个问题,企业究竟如何赢得5G相关的消费性电子系统的市场竞争力?行业与现状所得出的结论是集成度和功耗。一般来说,市场偏向从中游集成电路设计环节着手,然而半导体材料作为整套产品的“地基”,只有夯实的基础和肥沃的“土壤”,才能帮助企业孕育出更茁壮的“成果”,所以现今消费电子产品供应商均已布局优化衬底这一课题。 优化衬底作为半导体生态系统的重要组成部分, 5G对于优化衬底的需求则更大。7月11日,在“天府之国”成都举办“2019中国(成都)电子信息博览会”(CEF2019)之际,21ic中国电子网记者受邀参加Soitec主题为“优化衬底,赋能5G”的论坛宣讲和采访活动。Soitec RF-SOI高级业务发展经理Luis Andia博士、Soitec公司中国区销售总监陈文洪先生以及Soitec台湾及东南亚区域客户群经理江韵涵(Cherry Chiang)女士参与此次采访。 图1:优化衬底在产业链的地位   优化衬底与5G从来都密不可分   为了抓住5G这列“快车”,市场上200mm和300mm SOI晶圆产能都供不应求,正因智能手机中RF-SOI不可或缺,所以优化衬底有着巨大的市场需求。江韵涵表示,RF-SOI 2019年总体有效市场约170万(片/年),预计2021年有效市场将大于200万(片/年),复合年增长率高达15%。另外,FD-SOI也在众多应用诸如智能汽车、AI、物联网、智能家居、工业设备上不可或缺。 她介绍,Soitec的全系列优化衬底产品涵盖了5G及相关领域的需求,包括:射频前端模块(RF-SOI)、高功率(Power-SOI)、处理器与集成芯片的链接(FD-SOI)、硅光学(Photonics-SOI)、图像传感器(Imager-SOI)、滤波器(POI)与氮化镓(GaN)。 图2:Soitec台湾及东南亚区域客户群经理江韵涵(Cherry Chiang)女士 介绍Soitec在5G领域的衬底产品   Soitec现今拥有Smart Cut™、Smart Stacking™、Epitaxy三项核心技术。“目前公司的最主力最核心的技术是Smart Cut™,同时也是营收主要来源。在外延技术(Epitaxy)上Soitec也已深耕许久,该项技术的优势在于不同材料均可以应用Epitaxy,诸如氮化镓。”她表示,未来移动电话将越来越复杂,越来越小型化,整体空间需求会顺势增加,所以Smart Stacking™技术也将解决未来必然会讨论的课题。 Smart Cut™作为Soitec最为出名的技术,是一项非常成熟的技术。江韵涵表示,起初这项技术以硅晶圆为主,近年来在III-V族化合物材料(氮化镓)和非硅晶圆的材料上,也可优化为此类“三明治”的结构。 图3:江韵涵女士介绍Smart Cut™技术   有市场就有挑战   衬底行业在从3G/4G到5G的不断演进中,规格也不断演进,行业正趋向于对规格、均匀度等各项要求定制化、多样化,这对于优化衬底企业来说是一项挑战。Soitec作为专注优化衬底的公司,本身并不生产硅晶圆,主要材料通过供应商购买,而面对市面客户定制化需求愈来愈强,所以在整个供应链的管理上挑战则更大。 那么Soitec是如何应对这种挑战的?Luis Andia表示,在供应链的管控上,Soitec从终端客户的需求入手,比如在今年4月Soitec就已加入中国移动的研发中心,成为主要成员之一。 “可能会有人质疑衬底行业与电信行业相差甚远,跨度过大。但与供应链每个环节的厂商合作中,既了解了终端客户的需求,又可缩短在定制化方案上的实施时间,达到及时供应及时上市的效果”,他如是说。 图4:Soitec RF-SOI高级业务发展经理Luis Andia博士   本土化战略和市场   据权威数据显示,到2020年,中国半导体行业增长率将达到20%,另外,中国在5G的进程上也非常激励人心。那在帮助中国半导体行业发展上Soitec有何布局? “Soitec始终高度关注着中国半导体行业的发展。自2007年进入中国,十余年来,Soitec一直是中国忠实的战略合作伙伴,致力于用自身独特的技术、产品和服务推动中国产业生态系统的建设”,陈文洪告诉记者,目前Soitec在中国已设立专门办公室,正如上文所述,将更紧密与中国的整体供应链密切联系。 值得一提的是,Soitec在年初已成为首家加入中国移动5G联合创新中心的材料供应商。另外,Soitec也与上海新傲科技股份有限公司建立长期合作伙伴关系,可为中国客户提供高品质、及时与高产量的SOI晶圆供应。今年6月,Soitec与重要客户格芯签署长期供应协议,这些产品将用于5G、物联网等产业的发展。 图5:Soitec公司中国区销售总监陈文洪先生(左一)   据Soitec 2019财年报告显示,销售额劲增42%。据悉,Soitec现如今在细化市场的整体占比超过5成,而在RF-SOI市占率则更高。 财报数据显示,8英寸(200mm)晶圆销售额略高于12英寸(300mm)晶圆销售额。Soitec表示,自2016年起,在进行8英寸向12英寸的过渡转换,整套的可靠性测试约需2年时间,市场正逐步转向12英寸。另外值得一提的是,Soitec目前在法国贝宁、二厂及新加坡工厂在12英寸晶圆产品上的满负荷产能各约100万(片/年)。 现阶段,这家1997年成立专业进行优化衬底的公司主要以智能手机、汽车、IoT、云和基础设施四大领域为主,未来Soitec也将投身边缘计算和毫米波这一大热的话题之中,Soitec的科技蓝图将为新一代设备赋能。

    时间:2019-07-17 关键词: soitec 5G soi 技术专访 优化衬底

  • 除了SOI,Soitec还有GaN与远方

    除了SOI,Soitec还有GaN与远方

    作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,Soitec于约两月前以3000万欧元的价格收购了氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN。通过此次收购,Soitec在其不断增长的硅基和化合物半导体产品系列中增加了GaN技术,也将借助GaN在5G中的优势,进一步扩大功率放大器市场。Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk博士表示:“EpiGaN虽然是一家初创公司,但其产品技术十分成熟。相信在我们的支持下,其GaN材料相关的产品及技术将得到迅速的发展。”收购EpiGaN——翘首以盼的机遇尽管SOI产品占Soitec业务的95%左右,但Soitec一直在计划将其业务扩展至SOI之外的相关领域。正如Piliszczuk博士所指出的那样:“SOI已不再是一个小众市场,我们的业务范围也在逐渐扩大中。因此,在过去的几年内,我们已经初步展开了SOI之外的其他业务,例如使用压电材料开发优化衬底,在与所有主要射频技术领域的公司合作的同时,逐步增加用于射频滤波器的压电绝缘体的产量。”GaN材料将在高功率和射频领域发挥重要作用此外,Soitec也精心打磨了其Smart CutTM工艺。目前,它可被用于将一层薄薄的晶体材料从GaN或InP供体衬底转移到另一个衬底,以生产出具有成本效益的化合物半导体晶圆。Piliszczuk博士还谈到:“我们与重要的微型LED制造商合作,为他们的设备提供这些衬底,这其中存在着很大的市场机遇。我们一直有关注GaN材料,如今,我们相信这项技术已经逐渐发展成熟,可以带来实际落地业务,尤其是在5G领域。”与EpiGaN共创未来EpiGaN将在Soitec发展中扮演关键角色。Soitec现有的SOI和POI产品满足了5G基站和手机架构中许多关键组件的需求,如收发器、低噪声放大器、天线开关滤波器等。然而,利用EpiGaN的硅基氮化镓(GaN-on-silicon)和碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片,Soitec如今可以在基站及手机的功率放大器市场上占有一席之地。在EpiGaN完全整合入公司后,Soitec计划在比利时哈瑟尔特的EpiGaN生产基地扩大生产规模。据Piliszczuk博士称,除此之外,Soitec将在未来几个月内购买其他程序控制和清洁工具。他说:“我们有能力购买更多工具,并且我们有自信能够充分使用这些资源。”同时,Soitec将继续把EpiGaN的外延片生产从六英寸转为八英寸。Piliszczuk博士强调:“我们想确保这一项目迅速达到成熟。长远来看,我们可能还需要一个新的生产基地。”持续扩大的业务Soitec衬底产品Soitec并未打算止步于氮化镓材料。据Piliszczuk博士所称,长时间以来,Soitec也在持续关注碳化硅的商业机会。Piliszczuk博士说:“碳化硅是一个十分具有潜力的市场,我们也一直受到终端客户的推动,他们相信Soitec可以为产业链带来很多价值。碳化硅的供应是一个巨大的挑战,但是通过Smart CutTM工艺,我们可以将碳化硅晶体切割为薄层,并将其转移到(受体)衬底上,从而产生更大的供给量。因此,Soitec十分重视碳化硅项目。”

    时间:2019-07-16 关键词: soi 射频滤波器 gan技术

  • Soitec发布2019财年报告,销售额劲增42%

    作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司于6月12日公布了2019财年的全年业绩(截至2019年3月31日)。 财务报表[1]已于当日会议上获董事会批准。 · 销售额增长:按固定汇率和边界[2]计增长42%至4.439亿欧元 · 当前营业收入增长61%至1.084亿欧元 · 电子产品业务税息折旧及摊销前(EBITDA)[3]利润率[4]为销售额的34.3%,高于18财年的29.2% · 净利润为9,020万欧元 · 电子产品业务净经营现金流为5,930万欧元 · 电子产品业务资本支出约1亿2千万欧元,主要用于产能提升 · 发行了1亿5千万欧元的无息可转换债券(2023年可转换债券/2023 OCEANE) · 20财年财测:按固定汇率和边界2计销售额预期增长约30%,电子产品业务EBITDA3利润率4预期增长约30% Soitec首席执行官Paul Boudre评论道:“在上一财年,我们实现了强劲的营业收入增长,盈利能力进一步提升。 高运营现金流和适时发行的可转换债券使我们能够为持续的产能投资提供高水平的资本支出、偿还信贷额度,并以强劲的现金状况完成本财年的工作。 此外,在建立新的研究联盟、成立战略合作伙伴关系,增强产业间联系、启动中国商业计划以及加强与主要客户的合作方面,我们也取得了丰富的成效。” 营业收入大幅增长,营业利润率又上新台阶 与18财年相比,19财年的合并销售额从3.106亿欧元增长至4.439亿欧元,增长43%(按固定汇率和边界2计增长42%)。 SOI晶圆对销售额增长贡献卓越。 - 200-mm晶圆销售额达到2.21亿欧元(占晶圆总销售额的52%),实现进一步稳定增长(按固定汇率和边界2计增长17%)。这反映了200-mm晶圆更高的产量,此项增长尤其得益于Soitec的中国合作伙伴新傲科技(Simgui)。新傲科技的产量贡献占200-mm晶圆销售总额的13%左右。此外,这也得益于更优的产品组合,新的产品组合满足移动和汽车市场对射频(RF-SOI)和电力电子应用(Power-SOI)的持续需求。 - 300-mm晶圆的销售额达2.057亿欧元(占晶圆总销售额的48%),几乎增长了两倍(按固定汇率和边界计2增长了97%)。由于产量的提升以及产品组合的优化,该项销售额实现了大幅增长。 按产品类型来看,销售额增加反映了对FD-SOI和RF-SOI 300-mm晶圆需求的强劲增长;Imager-SOI和Photonics-SOI的销量均低于18财年,但预计20财年需求将有所稳定;而传统的PD-SOI产品的销售额略有提高。 - 特许权使用费及其他营业收入合计达1,730万欧元,对比18财年的1,190万欧元增长了45%。这主要是由于收购了Dolphin Integration,一家领先的半导体设计、半导体知识产权和SoC(片上系统)解决方案供应商,为低功耗和功耗管理应用提供服务。按固定汇率和边界2计,特许权使用费和知识产权营业收入下降了43%,这主要是由于18财年的额外收入(完成技术转让以及确认一项已不再使用的许可的相关收入)。而此项减少被Dolphin Integration的营业收入合并所抵消。 19财年毛利润达到1亿6,500万欧元(占营业收入的37.2%),高于18财年的约1亿700万欧元(占收入的34.4%)。 尽管外汇不利、大宗材料价格上涨、更大批量的外包生产以及重启新加坡工厂产生更高费用,但产量提升、优化的产品组合以及性价比优势这一系列有利条件良好地吸收了额外增加的生产成本。 20财年展望 Soitec预计,按固定汇率和边界2计,20财年销售额将增长约30%。 预计RF-SOI(200-mm)和Power-SOI(200-mm)的稳定需求将使贝宁 I厂继续满负荷生产,而Soitec也将继续受益于外包产能。 同时,特别是伴随FD-SOI和300-mm RF-SOI晶圆销售额的进一步增长,预计未来Soitec的300-mm业务将持续增长。 因此,Soitec预计其贝宁 II厂产能利用率将在20财年初接近100%。 Paul Boudre说道:“展望未来,我们将继续投资法国和新加坡工厂的产能,以支持客户对300-mm FD-SOI和RF-SOI晶圆需求的长期增长。与此同时,我们将受益于海豚设计,为FD-SOI芯片设计提供节能相关的解决方案,并集成EpiGaN,将我们的优化衬底产品组合扩展至氮化镓技术领域。 最后,我们还签署了一项协议,以履行我们剥离在Touwsrivier太阳能发电厂的股权和贷款的承诺。” 注: [1] 合并账目和半年度账目已经过审计,认证报告正在制作中。 [2] 按固定汇率和可比的合并范围;范围效应涉及2017年10月收购Frec|n|sys和2018年8月收购法国海豚集成(Dolphin Integration)的资产,两者均包含在特许权使用费和其他营业收入中。 [3] EBITDA是指未计折旧、摊销、与股份支付相关的非货币项、流动资产拨备变动以及风险和应急事项拨备变动前(不包括资产处置收入)的当期经营收入(EBIT)。首次应用国际财务报告准则第15号(IFRS 15)对权益的影响包含在EBITDA中。这种替代业绩指标是非IFRS量化指标,用于衡量公司从其经营活动中产生现金的能力。EBITDA不是由IFRS标准定义的,不得视为任何其他财务指标的替代方案。 [4] 电子产品业务的EBITDA利润率=来自持续经营/销售的EBITDA。

    时间:2019-06-19 关键词: 半导体 soitec soi

  • Soitec收购EpiGaN nv,优化衬底产品整合氮化镓(GaN)优势

    法国Soitec半导体公司日前宣布,已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议,以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时,这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF(射频)、5G、电子元器件和传感器应用。预计未来五年内,GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至一百万个晶圆。 Soitec首席执行官Paul Boudre表示:“目前,GaN技术在射频和功率市场中的应用备受瞩目。GaN 外延硅片材料与Soitec目前的优化衬底产品系列将形成战略上的天作之合。收购EpiGaN进一步扩展并补充了Soitec的硅产品组合,为射频、5G和功率系统创造了新的工艺解决方案,为用户增效。” 在移动领域,实现性能、低功耗和成本的共同优化至关重要。与4G相比,5G 低于6GHz频段和毫米波的到来正在推动新一代基站的发展,它需要更高能效、更高性能、更小、更有经济效益的功率放大器(PA)。更小、更轻、更高效和更具成本效益是当今基站设计的趋势,Soitec将扩展其应用于PA的产品组合,并以GaN产品领衔这一趋势。 EpiGaN联合创始人兼首席执行官Marianne Germain博士表示,“多年来,EpiGaN在GaN技术领域备受行业认可,目前研制出并优化了一种可投入使用的技术,应用于5G宽带网络应用。我们的技术为Soitec的客户创造了绝佳的机会,可以针对新兴高增长市场快速开发产品解决方案,例如射频设备、高效电源开关设备和传感器设备。” EpiGaN总监兼基石投资公司LRM代表Katleen Vandersmissen则表示:“EpiGaN开发的GaN技术开启了许多未来机遇。我们相信作为EpiGaN的卓越合作伙伴,Soitec将充分挖掘EpiGaN的市场发展潜力。” 此外,鉴于GaN在功率晶体管设计中的应用,收购EpiGaN还将为Soitec现有的Power-SOI产品创造新的增长空间。Power-SOI和GaN均可满足智能化、节能化和高可靠的集成电路设备对于综合高压和模拟功能的要求,以便广泛应用于消费电子、数据中心、汽车和工业市场。EpiGaN将被整合成为Soitec的一个业务部门。Soitec将于2019年6月13日在巴黎举行资本市场日。

    时间:2019-05-16 关键词: 半导体 soitec soi 氮化镓

  • 携SOI技术助力半导体制造,Soitec宣布中国市场发展新战略

    携SOI技术助力半导体制造,Soitec宣布中国市场发展新战略

    作为设计和生产创新半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司日前宣布在中国开启销售渠道。这家半导体优化衬底领域的全球领导者,虽然规模并不大,全球也只有1200名员工,但去年却创造了3.11亿欧元的年销售额。最近,Soitec在中国开设销售渠道,中国团队包括销售与技术工程师,将直接面向中国客户以提供支持。 借此机会,Soitec也向国内行业媒体介绍了其最新业务进展以及对中国的市场策略及未来规划。Soitec全球战略副总裁Thomas Piliszczuk博士、Soitec全球业务部执行副总裁Bernard Aspar先生以及Soitec全球销售主管Calvin Chen陈先生接受了媒体采访。 从晶圆到芯片的生产需要众多环节和工序,Soitec在这其中起到什么作用呢?据Soitec全球战略副总裁Thomas Piliszczuk博士介绍, Soitec主要提供的是SOI衬底,Soitec提供的优化衬底可以改善晶体管的性能,而晶体管的性能好坏将直接影响最终晶圆产品的性能,可以说,Soitec优化衬底的性能将直接影响终端产品的性能。 因此,很多代工厂会使用Soitec的优化衬底来制作芯片,但实际上,很多委托代工厂生产芯片的设计企业也对Soitec的优化衬底很感兴趣,因为,这些设计企业要想在设计中提升性能,也需要有赖于Soitec的优化衬底所带来的价值和优势。 所以,除了晶圆代工厂,很多的IC设计公司也是Soitec的合作伙伴。例如,在中国,Soitec的直接客户是中芯国际、上海华虹宏力等,但同时,像华为海思半导体,像清华紫光半导体,还有阿里巴巴等都是合作伙伴。 Soitec在生产优化衬底上有个核心技术Smart Cut技术,它能够帮助实现生产非常高质量的优化衬底。Smart Cut就好像是一个纳米刀一样,能够切割非常薄、完美的硅层,并能够叠加到其他的机体之上。通过Smart Cut技术,能够实现晶体间的非常薄的叠加,也可以实现晶体和非晶体之间的叠加,从而可以生产或组合出各种不同类型的产品。 随着深入了解不同领域客户的需求,Soitec开发出了各种各样适用于不同类型应用和产品的优化衬底,来实现设备的新应用。例如:射频SOI, 功率SOI、FD-SOI、光学SOI。现在射频SOI已经是手机前端模块中标准化的产品,用于开关、低噪功率放大器、谐波器、天线的调谐器等。功率SOI可以用于一些汽车产品的功率设备。 当需要实现高性能还有低功耗的系统级芯片时,可以使用全耗尽FD-SOI,光学SOI可用于服务器和数据中心的光学通讯。此外,Soitec还开发了成像器的SOI,用于优化成像器的图像性能。 在4G时代,优化衬底得到了广泛应用,随着5G的到来,数据传输更快,新的挑战将带来对优化衬底的更大需求,例如大规模的机器连接、增强的移动带宽、高可靠性和低低延时性的要求。另外,物联网人工智能的发展,将使更多的计算推广到边缘端,从云端到边缘端的发展,将带来一系列新的挑战,例如更低的延迟、更高的稳定性、更低的能耗 以及更低的成本。FD-SOI则是非常适用于上述应用挑战的一项选择。通过应用FD-SOI的基底偏压技术,可以控制设备在性能、速度和功耗的不同表现。 从几个例子可以感受下FD-SOI技术的优势,恩智浦的i.MX RT600处理器就是基于全耗尽FD-SOI用于机器学习和人工智能的边缘应用。LATTICE基于FD-SOI的下一代持续在线的FPGA低功耗机器学习。Synaptics人机互动产品使用的是基于FD-SOI的AI环境计算。Rockchip提供基于FD-SOI的AIoT解决方案。 Calvin Chen介绍了Soitec在中国的发展。早在2007年,Soitec就已经有跟很多中国的的一些研究单位开始合作。除了为中国客户提供销售与技术支持外,Soitec通过与上海新傲科技股份有限公司建立长期合作伙伴关系,可为中国客户提供高品质、及时与高产量的SOI晶圆供应。2019年2月,Soitec与新傲科技宣布加强合作关系,扩大新傲科技位于中国上海制造工厂的200mm 绝缘硅(SOI)晶圆年产量,从年产180,000片增加至360,000片,以更好地服务全球市场对RF-SOI和Power-SOI产品的增长性需求 近日,Soitec还宣布成为首家加入中国移动5G联合创新中心的材料供应商。Soitec将为中国移动5G联合创新中心带来与无晶圆半导体公司、代工厂、系统级供应商、IDM(集成器件制造商)、研发/创新中心、大学和行业协会长期建立起来的全球合作网络。

    时间:2019-03-20 关键词: 半导体 soitec soi 技术专访

  • SOI与FinFET技术谁更优

     1999年,胡正明教授在美国加州大学领导着一个由美国国防部高级研究计划局(DARPA)出资赞助的研究小组,当时他们的研究目标是CMOS技术如何拓展到 25nm及以下领域,显示有两种途径可以实现这种目的:一是立体型结构的FinFET晶体管,另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术 (UTB-SOI,也就是我们常说的FDSOI晶体管技术)。 体硅CMOS技术走到22nm之后,因为光刻技术所限,特征尺寸已很难继续微缩,急需革新技术来维持进一步发展。在众多的候选技术之中,FDSOI(Fully Depleted SOI,全耗尽SOI)技术极具竞争力。对于FDSOI晶体管,硅薄膜自然地限定了源漏结深,同时也限定了源漏结的耗尽区,从而可改善DIBL(Drain Induced Barrier Lowering,漏致势垒降低)等短沟道效应,改善器件的亚阈特性,降低电路的静态功耗。此外,FDSOI晶体管无需沟道掺杂,可以避免RDF(Random Dopants Fluctuation,随机掺杂涨落)等效应,从而保持稳定的阈值电压,同时还可以避免因掺杂而引起的迁移率退化。 FD-SOI技术不仅能得到FinFET全耗尽晶体管带给平面传统技术的全部好处,而且还能实现后者无法达到的先进的负偏压(back bias)技术。 FD-SOI工艺可以将工作电压降低至大约0.6V,而相比之下Bulk CMOS工艺的最小极限值一般在0.9V左右。使用FDSOI的后向偏置技术可以提供更宽动态范围的性能,因此特别适合移动和消费级多媒体应用。 FD-SOI,SOI中位于顶层的硅层厚度会减薄至5-20nm,这样器件工作时栅极下面沟道位置下方的耗尽层便可充满整个硅薄膜层,如此便可消除在PD-SOI(PD为部分耗尽)中常见的浮体效应。 在部分耗尽型SOI结构中,SOI中顶层硅层的厚度为50-90nm,因此沟道下方的硅层中仅有部分被耗尽层占据,由此可导致电荷在耗尽层以下的电中性区域中累积,造成所谓的浮体效应。 SOI工艺的优势: 1),减少寄生电容,提高器件频率,与体硅相比SOI器件的频率提高20-35% 2),由于减少寄生电容。降低漏电流,SOI器件的功耗下降35-70% 3),消除了闩锁效应(Latch up 是指CMOS晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大 4),抑制衬底的脉冲电流干涉,减少软错误的发生 5),与硅工艺相容,可减少13-20%工序 SOI现状 法国Soitec已实现FD-SOI晶园的高良率成熟量产,其300mm晶圆厂能够支持28nm、22nm及更为先进的节点上大规模采用FD-SOI技术。如今,全球有三家位于三大洲的公司能够供应FD-SOI晶圆,包括法国Soitec、日本信越半导体(SHE)、美国SunEdison。这三家公司均采用了行业标准的SOI晶园制造技术,智能剥离(Smart Cut™)。 FD-SOI技术的生态系统发展正在几个方面逐步展开。三星及格罗方德——全球四大半导体代工厂中的两家——已经宣布计划量产并采用FD-SOI晶圆进行多项试产(即tape-out,指硅芯片从设计到制造的这一步骤)。FD-SOI的设计生态系统也在持续壮大之中,并且在28nm和22nm的工艺节点上进展尤为迅猛。众多电子设计自动化(EDA)公司正积极研发与FD-SOI相关的IP。目前已有多家IC设计厂商公开表示全面拥抱这项技术,其中一些宣布将在未来的开发路线图中采用FD-SOI技术。 采用FD-SOI的功耗更低,成本更少。比如索尼新一代的智能手表中的GPS,目前市场上最优秀的GPS产品功耗大概在10mW,而使用FD-SOI技术制作的芯片功耗能达到1mW,功耗降低10倍。” 一种新的工艺技术离不开生态系统的支持,实际上,FD-SOI生态系统已经在逐渐成形,围绕FD-SOI工艺,已经形成了工艺研究、晶圆、IP、代工厂、IC设计服务公司、IC设计公司的产业链。法国Soitec,日本信越)等号称可以提供每月超过10万片SOI晶圆的产能,除FDSOI已在意法半导体量产外,Global Foundries已与意法半导体签约有意导入FD-SOI工艺。 其中ARM的支持显得格外重要,因为ARM大多情况下都是在场边观战等待最终定局,业界认为“只要ARM出声,表示晶片已经就绪了。 ARM认为,22nm FD-SOI可让你的性能提高一倍,并改善10倍的漏电问题。很显然地,这相当具有说服力。”ARM实体设计部门总经理Will Abbey表示,“ARM的Cortex A32与A35核心具备低功率与高效能懮势,能够适当地为功率敏感的IoT应用进行反向闸极偏置,显然是FD-SOI的理想方案。” FDSOI可以广泛应用在超低功耗要求领域,移动通讯、CPU、ADC、RFIC及超低电压数字电路等。 FD SOI与FinFET最更优 比较FD SOI及FinFET可能是困难的,它们缺乏比较的基线。然而目前在先进工艺制程中FinFET技术占优也不用怀疑,因为英特尔,台积电,包括三星都在采用FinFET技术,己经进入10纳米量产,台积电己声称7纳米今年试产,确保明年量产。而三星更为积极,声称它的7纳米处理器芯片今年底有可能提前量产。业界老大英特尔始终不慌忙,声称2018年它的10纳米PC处理器芯片量产,并声称它的10纳米水平相等于台积电,三星的7纳米。而目前见到的FD SOI技术,仅STMicron开始产出22纳米的FD SOI芯片。 为什么会出现这样的情况,能否表示FD SOI技术的不足?答案可能是不一样。 任何一项技术的釆用是由市场决定的,如分析FD SOI技术在高频,低功耗,抗静电等方面有明显的优势,为什么fabless不采用它?。 由于SOI硅片的成本太高,目前8英寸的SOI硅片每片要300-400美元,而通常的体硅片每片才30-40美元,相差十倍。因此估计SOI代工硅片价格应该在每片1000美元左右,而统计中国的代工厂,它们的8英寸硅片平均代工价格在每片约400美元。因此,只有如RFIC等特定用途才会采用SOI代工。另一方面是代工硅片的数量越多,价格才能降下来,再有由于FinFET技术广泛被采用,它的产业链完善,如IP,第三方IP技术等,而相对SOI的产业链尚在逐步完善之中,被fabless采用,它的使用不如FinFET方便。 尽管见到IBS公司有分析FD SOI与FinFET的成本报告,计算下来FD SOI成本可能更低,但是目前SOI技术关键是缺乏如同FinFET一样,有一个同等数量的市场。 所以,FDSOI与FinFET技术是各有各的应用场合,那些确有低功耗等需要的应用,采用FD SOI技术也是合乎情理。所以FD SOI技术需要有一个市场的培育过程。 业界有人认为未来可能是40-28纳米的FD SOI技术与14,纳米及10纳米的FinFET技术会共存一段相当长时间。最终在7纳米及以下时SOI也将从2D发展到3D,即发展为SOI FinFET工艺。表明SOI与FinFET技术可谓殊途同归!所以两种工艺并非是完全对立的技术。 中国需要SOI技术 中国半导体业处在一个特殊的环境中,为了自强自立,显然也需要发展SOI技术,这一点是无疑的。 中国半导体业界经常议论“要实现弯道超车”,然而“弯道”在那里?可能有时并不太清楚。而FDSOI技术可能是其中最为靠谱的技术之一。 但是中国半导体业要涉足FDSOI,必须跨过三座大山,面临的困难也不少。 分析FDSOI技术的现状,中国要进入SOI领域必须要跨过SOI晶园的自制,而且价格一定要降,IC设计公司的采用,以及代工厂的加工,并且三个方面必须能联动起来,逐步把SOI的生态产业链完善。 其中十分重要的是它不可能仅用钱解决一切,必须要扎扎实实地解决SOI产业链中的每一个环节,并下功夫去突破,这可能是最困难的问题所在。显然现阶段市场的需求量可能是个关键因素,仅是RF前端IC等采用。所以对于SOI产业链的发展首先需要政府部门牵头,制定规划,并引导与资金支持,目前阶段尚不可能单纯依靠市场能解决所有问题。 目前中国的FDSOI技术尚没有实现规模化量产阶段,国内的IC设计公司可能尚处在多任务硅片MPW的设计验证阶段。据传中芯国际,及华虹宏力的SOI代工能力都己具备。因此国内自主生产SOI硅片及让更多的fabless公司采用SOI技术是个首要任务。 2016年3月上海硅产业投资有限公司和Soitec推进合作,并投资入股14.5%。据透露,在合作达成之后,中方的IC设计厂商能够通过格罗方德和三星的代工厂来获得使用FD-SOI技术,同时Soitec承诺如果未来中国大规模采用了这个技术,需要多少晶圆都可以提供。“除了销售产品的合作,在研发和生态系统建设方面也将展开合作。” 中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后,如何踏实去干,去解决一个一个难题。任何进步没有捷径,其中骨干企业的责任尤为重要。

    时间:2017-02-13 关键词: finfet soi 技术前沿

  • Qorvo推出适合宽带通信系统的新型高性能绝缘硅片(SOI)器件

    21ic讯 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)日前宣布推出适合宽带通信系统的新型高性能绝缘硅片(SOI)器件。这种高集成度器件可显著减少无线基础设施、测试与测量设备、国防与航空航天应用中的外部器件,降低成本和功耗,并减轻其重量。 Qorvo无线基础设施业务部总经理Sumit Tomar表示:“这些新型SOI器件拥有我们客户所期望的Qorvo产品宽带性能。出色的线性度、稳健的功率处理能力以及无需外部器件的特点,使该系列产品在样片申请阶段便非常抢手。” Qorvo现可提供如下RF开关、温度补偿衰减器(TCA)、数字步进衰减器(DSA)和可编程电容阵列(PAC)。 • RFSW60x2系列5-6,000 MHz多掷开关具有业界领先的插入损耗、线性度和隔离特性组合。提供3到6掷,采用超小型2x2 mm QFN封装。Qorvo还推出了一款高隔离度(60 dB) SOI开关RFSW6024,其已被多家蜂窝基站制造商的重要设计所采用。这些宽带开关不需要外部阻塞电容。 • RFSA4033是一款新型5-6,000 MHz模拟TCA,在其整个增益控制范围内都具有出色的线性度。该TCA可补偿RF产品的增益随温度降低,而无需闭环反馈。25°C下的8个可选比例式衰减斜率和8个可选衰减值产生总计64种可能的温度系数组合,从而为RF产品提供灵活的解决方案。 • 数款新型5-6000MHz高性能DSA RFSA3xxx提供4位到7位控制以及新颖的无过冲开关架构。这种设计消除了在不同衰减状态之间切换时令人棘手的瞬变毛刺问题。这些DSA支持单个控制器最多控制8个器件。 • RFAC3612是一款用于可调谐RF应用的6位、64状态PAC,提供高功率处理能力、高Q和出色的线性度,非常适合可调谐RF移相器、滤波器、放大器匹配网络和天线调谐网络。RFAC3612采用超小型2x2.5mm、10引脚封装。 这些器件还有ESD保护和低直流电源特性,非常适合宽带高性能通信系统。生产样片可通过Qorvo当地销售渠道获得。

    时间:2015-08-17 关键词: 通信系统 soi qorvo 绝缘硅片

  •  Peregrine UltraCMOS推进RF SOI性能新进化

    Peregrine UltraCMOS推进RF SOI性能新进化

    Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进的射频解决方案的领先公司。在去年年底村田制作所完成对Peregrine的收购之后,双方开展了基于Peregrine先进技术UltraCMOS和合作。 Peregrine产品营销总监Kinana Hussian(左) Peregrine产品营销总监Kinana Hussian表示:“为什么村田制作所要收购Peregrine呢?原因是Peregrine具有包含衬底和工艺、建模与仿真、RF电路设计的全方位RF专业知识,同时具有完整的半导体供应链。尤其是我们推出的UltraCMOS,采用高绝缘的衬底(蓝宝石或者SOI),采用标准化的CMOS工艺,可以集成RF、数字与模拟电路,在不降低射频性能的情况下综合各种要求,从而进行更高水平的整合,简化客户设计,实现智能整合。” 为了方便移动设备制造商,村田制作所和Peregrine共同推出了可重构射频(RF)前端系统UltraCMOS Global 1,在2015年双方的合作将进一步提速。 Kinana Hussian介绍说:“UltraCMOS Global 1为整个无线生态系统带来很多益处,对于LTE设备制造商而言,它的一个最大优点是容易调谐。在UltraCMOS Global 1出现之前,射频工程师必须通过一个称为离散双工匹配的工艺,用手工的方法焊接和调整射频前端。这个手工工艺过程需要两个星期至一个月的时间来完成,因而推迟了设备投放市场的时间。UltraCMOS Global 1用一个谐匹配网络取代离散双工器的匹配,在整个频带上对功率放大器(PA)的匹配进行了优化。利用UltraCMOS Global 1及其配套软件,工程师可以简单地插上射频前端,使用这个软件来调节射频前端,在几个小时之内就可以完成调节。此外,该器件仍然可以重构,并且可以调整到其他频率或频段,以满足市场的需要。” UltraCMOS Global 1 PE56500是一个完全集成的、可重构3G / 4G蜂窝射频前端(RFFE)解决方案,其中包含多模式、多频段(MMMB)功率放大器,功放调谐,功放后置开关和天线开关,全部装在一个封装中。它有三个单片MMMB线性功率放大器,分为低频、中频、高频三路,其频段分别是690-915兆赫,1710-2100兆赫和2300-2700 MHz。这三路中的每一路都包含一个级间调谐匹配网络和最终调谐匹配网络。全CMOS 射频前端解决方案提供了在各个模式和频段都易于使用的数字控制调整,高隔离度,解决了互操作性问题和可扩展性,从而可以轻而易举地支持更多数量的频段,而且可以调谐,开关损耗小。 此外,Peregrine最近还发布了新系列UltraCMOS®单片相位和幅度控制器(MPAC)。 Kinana Hussian表示:“Peregrine的MPAC系列产品的推出,为射频系统设计人员带来了灵活性和精确控制相位和幅度所需要的性能。与同类解决方案不同,MPAC在一块单一的芯片上集成了多个元件──这是GaAs技术难以实现的。” MPAC产品中集成了一个90度混合分离器、移相器、数字步进衰减器以及一个数字SPI接口,全部做在一块芯片上。与多芯片的砷化镓(GaAs)解决方案比较,这种单片射频控制器的线性度高,隔离性能好,能够控制很大的功率,相位调谐灵活性极强,对于两路动态负载调制放大器结构,例如多尔蒂(Doherty)功率放大器,是理想的射频控制方案。

    时间:2015-04-22 关键词: rf soi 技术专访 peregrine ultracmos

  • 利用200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本

    CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源,CCFL是传统的背光方式,而LED作为LCD背光的后起之秀,正在迅速抢占LCD背光市场。 电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶电视,原因在于全球各国的耗电量规定以及其环保因素(不含汞等重金属),再加上其轻、巧、薄等特点。LED作为电视背光关注度大幅提升,同时大大改善了LCD的性能,不少厂家甚至直接称使用LED背光的LCD电视为“LED电视”,可见LED在显示领域发挥着相当重要的作用。现在LED背光已被提到了一个相当重要的高度,因为它是节能降耗的关键,也是提升清晰度的关键,同时也因其价值不菲成为控制成本的关键。CCFL大势已去,LED背光迅猛的增长速度已无可阻挡。 LED取代CCFL势如破竹,发展速度超乎人们的预想。DisplaySearch的调研结果显示,2010年全球使用LED背光的液晶电视机达三千七百万台,约占LCD电视市场的20%份额。这个预测大大超过了之前的估计,以至于引起部分原材料短缺,比如导光板及其生产材料树脂、光学板、半导体和电源用变压器等部件的供应紧缺,否则2010年的LED电视市场规模还会更大。即便如此,2010年的LED液晶电视仍是2009年的10倍以上。 液晶电视的LED背光模式 液晶面板中LED背光的设置方式,主要有两种:侧投式和直投式。人们普遍认为直投式LED背光电视的画面感更强。在直投式电视里,要用到数千个LED作为背光并被均匀地排列在整个显示屏的背后。它们在明亮的图像区域发出更强的光亮,并且在暗色彩区完全变暗,节约能源并最大限度提升图像对比度,在图片上产生强烈的对比效果,色彩分明。这种方案的不足之处在于:使用大量LED灯的同时还需要更多符合要求的LED驱动芯片,因此造成直投背光模式成本很高。鉴于该方案的高成本和高复杂度,如今的直投背光模式只应用在高端LED电视方面。 另一种更常用的背光方式是侧投式。侧投式背光是将灯沿着液晶面板四周边缘排列,与导光板结合均匀地将光线照射在整个面板上。由于侧投式显示所需要单独控制的LED数量、组数比直投式少,所以在构建LED驱动方式时更有灵活性;无论高/低电压均可使用,使得系统工程师能够专注于性能和可行性方案的成本方面。由于具有成本低、性能优异以及机身较薄的优势,目前侧投式LED背光已占据了市场主导地位。表1简单总结了这两种背光模式的差异和优缺点。 200V SOI工艺技术 工程师选择LED背光驱动芯片时,会发现市场上已经有众多的供应商,但绝大多数供应商的产品都集中在40V~60V电压等级范围内,其原因在于40V的半导体工艺门槛比较低。这给OEM设计师在对系统构架选择时带来重大影响。使用40V的LED驱动芯片可以有两个主要的设计方案:1)每路串联不超过10颗灯;2)一些设计方案中串联10颗灯以上。通常情况下,后一种方案会牺牲一定的可靠性,包括在故障条件下的保护功能,诸如发光二极管LED内部短路故障或过电压击穿,所以那些对可靠性和品质要求都很高的液晶电视厂家并不接受这种方案。 为有效降低LED TV背光驱动方案的成本,芯凯电子科技有限公司(Kinetic Technologies)针对 LED背光和照明开发了全新的200V的SOI晶圆技术。与CMOS或BiCMOS工艺相比,SOI降低了寄生电容从而可以允许更高的速度和更低的功耗,同时也降低了噪音,没有闭锁问题。同时SOI在制造流程上与现有的CMOS工艺兼容,因此生产成本得到有效的控制。   图1 40V LED驱动方案和200V LED驱动方案的背光结构   图2 高压 SOI和高压BCD工艺的比较 芯凯电子的200V SOI器件是制作于薄硅层上的二氧化硅(SiO2)绝缘层;其200V SOI工艺的晶体管器件被掩埋的氧化绝缘层和沟道隔离层所环绕。因为绝缘层将NMOS井和PMOS井隔离开,从而避免了常见的高压闭锁问题。同样,掩埋的氧化绝缘层作为介质阻挡,防止基板漏电,并减少基板噪声。 将典型的高电压BCDMOS和芯凯的200V SOI对比可发现,用于高电压BCDMOS芯片需要很厚的保护环,这会使其芯片面积增加,达到芯凯同等电压SOI芯片面积的三倍以上,如图2所示。一个直观的例子是,通常BCDMOS工艺里的LDMOS间的间距需要18um,而 SOI只有1.4um。 SOI工艺的另一个优点是可以与低电压器件兼容保存而没有明显的成本和大小差距。相反地,典型的BCDMOS工艺由于需要与低压元件有很大间距,因而使得高低压兼容的芯片成本大幅提高。当然SOI衬底材料成本相较于一般的CMOS或BCDMOS硅片更高,这无疑将被视为劣势。然而,SOI里元件实现以及单芯片中高/低压元件的有机结合,相比于典型的高压栅极隔离工艺,SOI芯片会更小,因此SOI芯片的成本反而相当合理。 基于200V SOI工艺的LED驱动方案 根据LED驱动芯片的电压等级和背光的要求,LED背光架构可分为少路多串联和多路少串联两种。从电器特性来讲,系统设计者可以选择一路串联很多个LED或者一串很少LED的结构。 作为一个极端的例子,如果一个电视机里全部背光LED都串联在一起,那就只需要一个单路的LED驱动芯片,LED的亮度会完美匹配。但是通常一个普通尺寸的液晶电视需要上百颗乃至数百上千的LED,驱动这样一串LED所需的驱动电压将达数百伏(>300V)甚至上千伏,这对家用电器的安全性和效率是一个很大的挑战。另外,该方式无法对不同的LED进行调光,因此只能用于侧投式的驱动架构。 相应地,也可以采用很多通道但每个通道只有很少的LED串联的方式,比如说,每路仅有十颗或更少LED串联。这样,同样一个电视背光方案就需要几十路甚至上百路的LED通道,需要可支持很多路LED驱动的芯片或芯片组,这样以来,芯片成本的增加在所难免。当然,这种方式的好处是芯片选择余地比较广,设计安规达标不难。也有人认为,采用这种方式应该在功率转换效率上有些优势。但实际上由于LED的正向电压降都不一致,有时在任意两颗灯之间可能会有10%左右的电压差别,用一颗驱动芯片去驱动很多路LED不一定在工作效率上会占有优势。 总体来讲,这个控制架构会比前一种方式的系统成本高。不过,如果是直投式的话,因为点阵调光的需要,就必需使用很多路的LED通道,因而只能使用相对低压的多路LED驱动芯片。从实际应用而言,为了成本和安规的缘故,更多的时候是使用折中方案,即几路、每路几十颗LED灯的控制方式。芯凯电子新近自主研发的LED驱动芯片KTD360,在这些方面取得了突破。 KTD360是一颗高达200V的LED驱动芯片,可同时驱动6路并联、每路60颗LED串联、每颗LED电流可达150毫安。之所以选用200伏的SOI工艺,是因为很多系统厂商可以提高200V以下的高压电源,也可以顺利通过电视等安规的要求,从而在不牺牲效率的前提下大幅节省驱动成本。 表2将芯凯200V驱动芯片与市场上常见的40V驱动芯片的成本进行了比较。从比较可见,200V的LED驱动芯片不仅可以大幅降低成本,还能减少驱动电路板的面积并简化版图布线。 除了降低成本和简化布线,KTD360还集成了一个与提供高压驱动电源互动的反馈信号(FBO)来有效调节电压,使得驱动电源电压接近负载LED 的正向压降,从而保证90%以上的效率。如图3所示的37英寸电视背光方案,一颗KTD360可以驱动42x6 = 252颗(150mA)LED。其中驱动LED的高压电源由KTC351升压电源提供,但KTD360可以与其它任何一种带有反馈接口的电源有效配合来驱动LED背光模组。 图3 基于KTD360的37英寸电视背光范例 这个案例每路驱动42颗功率LED 总共达900mA的LED的驱动电流。由于KTD360的智能反馈设计,整个驱动及电源系统包括KTD360 驱动电路、 KTC351升压电路及所以得外围元器件的总体效率在整个工作范围(每路50mA到150mA)内都在90%以上,并在每路130mA(总共780mA)电流附近接近96%的高效率。如此的高效率是很多低压方案都难以达到的。   图4 KTD360+KTD351驱动方案的效率与每路LED电流(共6路)的关系。 本文小结 LED电视将会随着厂家新品牌的不断推出而进一步高速发展,新的系统架构和元器件也将随之大批涌现,电视厂家因此会有更多的选择空间。但是由于市场价格的不断降低,电视厂家的成本压力也会变得越来越大。LED背光架构和驱动系统的选择将会对电视的最终成本和品质产生巨大影响。与40V~60V的驱动芯片相比,使用100V到200V范围的驱动芯片将会有效地降低LED驱动成本。 表1 侧投式与直投式背光的优劣对比   表2 40V驱动芯片和200V驱动芯片的比较.  

    时间:2012-03-12 关键词: LED 工艺 soi 200v

  • 利用200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本

    CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源,CCFL是传统的背光方式,而LED作为LCD背光的后起之秀,正在迅速抢占LCD背光市场。 电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶电视,原因在于全球各国的耗电量规定以及其环保因素(不含汞等重金属),再加上其轻、巧、薄等特点。LED作为电视背光关注度大幅提升,同时大大改善了LCD的性能,不少厂家甚至直接称使用LED背光的LCD电视为“LED电视”,可见LED在显示领域发挥着相当重要的作用。现在LED背光已被提到了一个相当重要的高度,因为它是节能降耗的关键,也是提升清晰度的关键,同时也因其价值不菲成为控制成本的关键。CCFL大势已去,LED背光迅猛的增长速度已无可阻挡。 LED取代CCFL势如破竹,发展速度超乎人们的预想。DisplaySearch的调研结果显示,2010年全球使用LED背光的液晶电视机达三千七百万台,约占LCD电视市场的20%份额。这个预测大大超过了之前的估计,以至于引起部分原材料短缺,比如导光板及其生产材料树脂、光学板、半导体和电源用变压器等部件的供应紧缺,否则2010年的LED电视市场规模还会更大。即便如此,2010年的LED液晶电视仍是2009年的10倍以上。 液晶电视的LED背光模式 液晶面板中LED背光的设置方式,主要有两种:侧投式和直投式。人们普遍认为直投式LED背光电视的画面感更强。在直投式电视里,要用到数千个LED作为背光并被均匀地排列在整个显示屏的背后。它们在明亮的图像区域发出更强的光亮,并且在暗色彩区完全变暗,节约能源并最大限度提升图像对比度,在图片上产生强烈的对比效果,色彩分明。这种方案的不足之处在于:使用大量LED灯的同时还需要更多符合要求的LED驱动芯片,因此造成直投背光模式成本很高。鉴于该方案的高成本和高复杂度,如今的直投背光模式只应用在高端LED电视方面。 另一种更常用的背光方式是侧投式。侧投式背光是将灯沿着液晶面板四周边缘排列,与导光板结合均匀地将光线照射在整个面板上。由于侧投式显示所需要单独控制的LED数量、组数比直投式少,所以在构建LED驱动方式时更有灵活性;无论高/低电压均可使用,使得系统工程师能够专注于性能和可行性方案的成本方面。由于具有成本低、性能优异以及机身较薄的优势,目前侧投式LED背光已占据了市场主导地位。表1简单总结了这两种背光模式的差异和优缺点。 200V SOI工艺技术 工程师选择LED背光驱动芯片时,会发现市场上已经有众多的供应商,但绝大多数供应商的产品都集中在40V~60V电压等级范围内,其原因在于40V的半导体工艺门槛比较低。这给OEM设计师在对系统构架选择时带来重大影响。使用40V的LED驱动芯片可以有两个主要的设计方案:1)每路串联不超过10颗灯;2)一些设计方案中串联10颗灯以上。通常情况下,后一种方案会牺牲一定的可靠性,包括在故障条件下的保护功能,诸如发光二极管LED内部短路故障或过电压击穿,所以那些对可靠性和品质要求都很高的液晶电视厂家并不接受这种方案。 为有效降低LED TV背光驱动方案的成本,芯凯电子科技有限公司(Kinetic Technologies)针对 LED背光和照明开发了全新的200V的SOI晶圆技术。与CMOS或BiCMOS工艺相比,SOI降低了寄生电容从而可以允许更高的速度和更低的功耗,同时也降低了噪音,没有闭锁问题。同时SOI在制造流程上与现有的CMOS工艺兼容,因此生产成本得到有效的控制。   图1 40V LED驱动方案和200V LED驱动方案的背光结构   图2 高压 SOI和高压BCD工艺的比较 芯凯电子的200V SOI器件是制作于薄硅层上的二氧化硅(SiO2)绝缘层;其200V SOI工艺的晶体管器件被掩埋的氧化绝缘层和沟道隔离层所环绕。因为绝缘层将NMOS井和PMOS井隔离开,从而避免了常见的高压闭锁问题。同样,掩埋的氧化绝缘层作为介质阻挡,防止基板漏电,并减少基板噪声。 将典型的高电压BCDMOS和芯凯的200V SOI对比可发现,用于高电压BCDMOS芯片需要很厚的保护环,这会使其芯片面积增加,达到芯凯同等电压SOI芯片面积的三倍以上,如图2所示。一个直观的例子是,通常BCDMOS工艺里的LDMOS间的间距需要18um,而 SOI只有1.4um。 SOI工艺的另一个优点是可以与低电压器件兼容保存而没有明显的成本和大小差距。相反地,典型的BCDMOS工艺由于需要与低压元件有很大间距,因而使得高低压兼容的芯片成本大幅提高。当然SOI衬底材料成本相较于一般的CMOS或BCDMOS硅片更高,这无疑将被视为劣势。然而,SOI里元件实现以及单芯片中高/低压元件的有机结合,相比于典型的高压栅极隔离工艺,SOI芯片会更小,因此SOI芯片的成本反而相当合理。 基于200V SOI工艺的LED驱动方案 根据LED驱动芯片的电压等级和背光的要求,LED背光架构可分为少路多串联和多路少串联两种。从电器特性来讲,系统设计者可以选择一路串联很多个LED或者一串很少LED的结构。 作为一个极端的例子,如果一个电视机里全部背光LED都串联在一起,那就只需要一个单路的LED驱动芯片,LED的亮度会完美匹配。但是通常一个普通尺寸的液晶电视需要上百颗乃至数百上千的LED,驱动这样一串LED所需的驱动电压将达数百伏(>300V)甚至上千伏,这对家用电器的安全性和效率是一个很大的挑战。另外,该方式无法对不同的LED进行调光,因此只能用于侧投式的驱动架构。[!--empirenews.page--] 相应地,也可以采用很多通道但每个通道只有很少的LED串联的方式,比如说,每路仅有十颗或更少LED串联。这样,同样一个电视背光方案就需要几十路甚至上百路的LED通道,需要可支持很多路LED驱动的芯片或芯片组,这样以来,芯片成本的增加在所难免。当然,这种方式的好处是芯片选择余地比较广,设计安规达标不难。也有人认为,采用这种方式应该在功率转换效率上有些优势。但实际上由于LED的正向电压降都不一致,有时在任意两颗灯之间可能会有10%左右的电压差别,用一颗驱动芯片去驱动很多路LED不一定在工作效率上会占有优势。 总体来讲,这个控制架构会比前一种方式的系统成本高。不过,如果是直投式的话,因为点阵调光的需要,就必需使用很多路的LED通道,因而只能使用相对低压的多路LED驱动芯片。从实际应用而言,为了成本和安规的缘故,更多的时候是使用折中方案,即几路、每路几十颗LED灯的控制方式。芯凯电子新近自主研发的LED驱动芯片KTD360,在这些方面取得了突破。 KTD360是一颗高达200V的LED驱动芯片,可同时驱动6路并联、每路60颗LED串联、每颗LED电流可达150毫安。之所以选用200伏的SOI工艺,是因为很多系统厂商可以提高200V以下的高压电源,也可以顺利通过电视等安规的要求,从而在不牺牲效率的前提下大幅节省驱动成本。 表2将芯凯200V驱动芯片与市场上常见的40V驱动芯片的成本进行了比较。从比较可见,200V的LED驱动芯片不仅可以大幅降低成本,还能减少驱动电路板的面积并简化版图布线。 除了降低成本和简化布线,KTD360还集成了一个与提供高压驱动电源互动的反馈信号(FBO)来有效调节电压,使得驱动电源电压接近负载LED 的正向压降,从而保证90%以上的效率。如图3所示的37英寸电视背光方案,一颗KTD360可以驱动42x6 = 252颗(150mA)LED。其中驱动LED的高压电源由KTC351升压电源提供,但KTD360可以与其它任何一种带有反馈接口的电源有效配合来驱动LED背光模组。 图3 基于KTD360的37英寸电视背光范例 这个案例每路驱动42颗功率LED 总共达900mA的LED的驱动电流。由于KTD360的智能反馈设计,整个驱动及电源系统包括KTD360 驱动电路、 KTC351升压电路及所以得外围元器件的总体效率在整个工作范围(每路50mA到150mA)内都在90%以上,并在每路130mA(总共780mA)电流附近接近96%的高效率。如此的高效率是很多低压方案都难以达到的。   图4 KTD360+KTD351驱动方案的效率与每路LED电流(共6路)的关系。 本文小结 LED电视将会随着厂家新品牌的不断推出而进一步高速发展,新的系统架构和元器件也将随之大批涌现,电视厂家因此会有更多的选择空间。但是由于市场价格的不断降低,电视厂家的成本压力也会变得越来越大。LED背光架构和驱动系统的选择将会对电视的最终成本和品质产生巨大影响。与40V~60V的驱动芯片相比,使用100V到200V范围的驱动芯片将会有效地降低LED驱动成本。 表1 侧投式与直投式背光的优劣对比   表2 40V驱动芯片和200V驱动芯片的比较.  

    时间:2012-03-10 关键词: 方案 LED 背光 tv 工艺 成本 电源技术解析 降低 soi 利用 有效 200v

  • SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

    不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示,采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比,性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要SOI晶圆供应商表示,他们已经为超薄衬底的SOI晶圆的规模化生产做好了准备。这些绝缘层上硅的厚度只有不到10纳米,而且均匀性控制在艾米量级SOI晶圆对生产合格的全耗尽型晶体管是至关重要的。 SOI晶圆供应联盟的一位官员称,SOI晶圆最终的生产成本和体硅晶圆相比还要低6%,这和英特尔资深研究人员Mark Bohr的评论相左。Mark Bohr在5月份英特尔推出22纳米3-D 三栅极晶体管技术时表示,超薄衬底的SOI晶圆非常昂贵而且很难找到货源。Mark Bohr称,如果英特尔采用超薄衬底的SOI晶圆来实现3-D 三栅极晶体管,其晶圆的成本将增加10%。 目前IBM、 STMicro、 GlobalFoundries、 Renesas和 Toshiba等芯片制造商是采用SOI晶圆制造下一代集成电路的主要推手。 研制高效的、成本合理的太阳能电池是全球共同面临的巨大挑战。萨金特说:“全球都需要转化效率超过10%的太阳能电池,并希望能显著降低现有光伏组件的零售价。最新进展提供了一条切实可行的道路,其能最大限度地捕捉太阳发出的各种光线,有望提高转化率并降低成本。” 萨金特希望,在5年内,将这款新的分级重组层太阳能电池整合入建筑材料、手机和汽车零件中。  

    时间:2011-06-29 关键词: 制造 晶体管 晶圆 soi

  • ARM发布45纳米SOI测试芯片结果

    ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator,SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明,相较于采用传统的体效应工艺(bulk process)进行芯片制造,该测试芯片显示出最高可达40%的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于ARM1176™ 处理器,能够在SOI和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。此次发布的结果证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时,SOI是一项取代传统体效应工艺的可行技术。 ARM和Soitec联合制造了这款测试芯片,在采用了一个著名的、行业标准的内核的实际芯片实施中显示出功耗节省的可能性。其目的是对用于同一产品的45纳米SOI高性能技术和体效应CMOS 45纳米低功耗技术作出比较。 ARM公司物理IP部门副总裁Tom Lantzsch表示:“作为物理IP和处理器技术领域的领导者,ARM一直以来都积极倡导SOI可能会给我们客户的产品带来的益处。通过对体效应和SOI的比较投入资源,我们得以提供有用的数据来验证之前的推测论断,证明SOI的确能够在提供性能的同时实现功耗节省。”这一芯片测试结果显示,与以同样速度运行的体效应CMOS低功耗技术相比,45纳米高性能SOI技术能够提供高达40%的功耗节省以及7%的电路面积减小。在某些特定的测试应用中,该芯片测试结果还显示,当以比体效应技术高出20%的运行频率工作时,该芯片能够实现30%的整体功耗节省。 IBM公司半导体产品和服务部门副总裁Mark Ireland表示:“这一由ARM和Soitec共同完成的评测标尺清楚地显示了我们的第六代45纳米SOI技术能够带来的性能功耗比方面的益处。该技术目前已可向ASIC和代工厂客户提供。采用一个行业标准的ARM处理器来验证SOI的功耗优势,表明了数字消费电子产品领域采用SOI的可能性。”SOI Industry Consortium执行董事Horacio Mendez表示:“作为SOI Consortium的成员,这两家公司共同为SOI技术可能为采用电池供电的应用所带来的功耗效率提升提供了一个实证,这对于整个行业而言是一项重要的成就。许多公司在针对其技术做制造决定时,都能够从这一数据获益。”该实施采用了ARM和IBM的标准SOI库和领先的EDA工具。对于采用基于IBM 45纳米SOI技术的ARM和IBM库的设计,也可获得IP生态系统和制造解决方案的支持。

    时间:2009-10-12 关键词: 发布 ARM soi 45纳米

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