磷化铟(InP)的高电场电子漂移速度比砷化镓(GaAs)高,适合制造高速高频器件。此外,InP的热导率、太阳能转换效率、抗辐射特性等均优于GaAs,适合制造集成电路、太阳能电池等,目前主要被用于光纤、毫米波和无线领域。是
领先业界的测量精度确保在深度分析和调试时更好地揭示真相21ic讯 是德科技公司对外公开宣布 Infiniium V系列示波器,将原本用在63GHz带宽的磷化铟半导体工艺应用到8GHz带宽,全面更新了业界的8GHz~33GHz带宽的示波器
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