应用

抑制开关电源启动浪涌电流的方法解析

在开关电源的运行过程中，启动浪涌电流是一个不容忽视的问题。它不仅可能导致电源内部元器件损坏，还会对电网造成干扰，影响其他用电设备的正常工作。因此，深入研究抑制开关电源启动浪涌电流的方法具有重要的现实意义。

为什么碳化硅 MOSFET 特别需要米勒钳位?

在现代电力电子领域，碳化硅(SiC)MOSFET 凭借其卓越的性能，如高开关速度、低导通电阻、高耐压能力等，正逐渐成为众多应用的首选功率器件。然而，正是由于这些独特的性能特点，使得碳化硅 MOSFET 在实际应用中面临着一些特殊的挑战，其中米勒效应带来的影响尤为突出，这也使得米勒钳位对于碳化硅 MOSFET 显得特别重要。

氮化镓充电器和普通充电器的区别

在这个电子设备不离身的时代，充电器作为设备的 “能量补给站”，其重要性不言而喻。随着科技的飞速发展，氮化镓充电器逐渐走进大众视野，它与我们常见的普通充电器相比，有着诸多显著的区别。这些区别不仅体现在技术层面，更直接影响着我们的使用体验。接下来，就让我们深入探究氮化镓充电器和普通充电器的不同之处。

运算放大器电路固有噪声的分析与测量

在精密电子系统中，运算放大器(简称运放)的固有噪声是限制系统检测精度与动态范围的关键因素。尤其是在传感器信号放大、医疗电子、航空航天等低电平信号处理场景中，运放噪声可能掩盖微弱有用信号，导致系统性能劣化。因此，深入分析运放固有噪声的来源、特性及测量方法，对电路设计优化具有重要工程意义。

正激式开关电源传导电磁干扰的产生与抑制技术研究

在电力电子设备朝着高频化、小型化发展的进程中，正激式开关电源凭借其电路结构简洁、电压调整率高、带负载能力强等优势，被广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子等领域。然而，随着开关频率的不断提升，其产生的电磁干扰(EMI)问题日益突出，其中传导电磁干扰作为影响设备电磁兼容性(EMC)的关键因素，不仅会导致电源自身性能不稳定，还可能对周边电子设备造成严重的干扰，甚至引发整个电子系统的故障。因此，深入研究正激式开关电源传导电磁干扰的产生机理与抑制技术，对提升电源产品的可靠性和市场竞争力具有重要意义。

Boost 电路升压远超预期值的原因分析与解决办法

在开关电源设计领域，Boost 电路作为一种常见的升压拓扑结构，被广泛应用于电池供电设备、LED 驱动、新能源发电等场景。其核心功能是将输入的低压直流电转化为更高电压的直流电，满足后级电路的供电需求。然而，在实际应用中，时常会出现升压输出远远超出设计预期值的情况，这种异常不仅可能导致后级负载设备损坏，还可能引发电路过热、元件烧毁等安全隐患。本文将从电路原理出发，深入分析 Boost 电路升压超预期的常见原因，并提供系统性的排查与解决办法。

M估计：稳健统计框架下的异常值抗性估计方法(下)

M估计：稳健统计框架下的异常值抗性估计方法(上)

加权最小二乘(下)

加权最小二乘(中)

加权最小二乘(上)

PNP 算法：从三维到二维的相机姿态估计技术(下)

PNP 算法：从三维到二维的相机姿态估计技术(中)

PNP 算法：从三维到二维的相机姿态估计技术(上)

SLAM 技术：从单模态感知到多传感器融合的环境认知革命(中)