器件采用PowerPAK®SO-8单体封装，导通电阻降至2.35mW，栅极电荷为55nC，COSS为614pF
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 mΩ，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF。
2 A和3 A器件反向电压从45 V到200 V，正向压降低至0.36 V
器件适用于消费类和工业应用
这款通孔器件采用铁粉磁芯技术，直流电阻低，有助于减少功耗，提高效率
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
器件节省空间，高度仅为1.0 mm，适用于计算机和电信应用
VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01入围 “年度最佳模拟半导体产品”
汽车级金属化聚丙烯薄膜器件工作温度高达+125 °C，适用于混合动力和电动汽车
器件节省空间，工作温度达+125°C，高度仅为1.0mm，适用于计算机和通信应用
235 EDLC双层电容器经过1500小时85°C/相对湿度85%带电测试，使用寿命长达2000小时，适用于恶劣、高湿环境
器件符合AEC-Q200标准，适用于发动机舱，工作温度达+155 °C，高度仅为1.0 mm
器件尺寸60 mm，精度大于13位，分辨率达19位，重复精度大于16位。
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