在功率半导体这条线上，耐压每往上走一个台阶，真正的难点就会从芯片内部挪到芯片外面。3.3 kV 以上的碳化硅 MOSFET 已经被业界视为下一代中压变换的首选器件，可是到今天为止，这一档产品依然停留在工程样品阶段，没有被商业应用接住。挡住它的不是外延生长，也不是栅氧工艺，而是把这些芯片装进一个能稳定工作的壳里。
AI 基础设施正在进入一个新的功率阶段。模型能力提升、推理需求增长，加速器被部署得越来越密、耦合越来越紧，结果是单机架的功率需求持续抬高。
