采用Xfab O.35μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5 V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40~+120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15 ppm/℃;电源电压在2~4 V范围内变化时,基准电压摆动小于O.06 mV;低频下具有-102.6 dB的PSRR,40
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王洪阳
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西小莫
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