在实际的应用中，电子系统会遇到一些超低压差的BOOST变换器，如基于USB供电的系统，由于考虑到USB线上的压降，会采用一个升压的BOOST变换器，将电压升到5V以上，如5.15V，5.2V或5.25V。通常USB口由于输出负载的影响以及主机USB电源管理功能的差异，其电压会在
输出短路保护固定频率折返，折返工作频率高，输出短路保护效果会降低；折返工作频率低，系统甚至进入到非连续工作模式，虽然保护效果好，但有可能导致输出短路消除后输出电压无法恢复正常。如图1所示，输入24V、输出12V的 DCDC变换器，输出短路时，固定折返频率为正常工作频率的1/16，系统进入到非连续工作模式。
美国计划禁止用于Gate-all-around GAA新技术制造芯片所必需的EDA软件出口到中国大陆，GAA（环绕栅极）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？
输出短路后输出电压非常低，电感的激磁电流di/dt变得非常大，去磁电流di/dt变得非常小，工作几个开关周期后电感激磁的起始电流不断增加，极端情况下电感可能发生饱和，电感值L降低到非常低的值。
2020年全球分立IGBT器件主要供应商中，排名前10的分别为：Infineon，FujiElectric，Mitsubishi，ON，Toshiba，ST，Littlefuse，RenesasElectronics，MagnaChip，HangzhouSilan。2020年全球...
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时，将产生JF...
2020年全球IGBT模块主要供应商中，排名前10的供应商分别为：Infineon，FujiElectric，Mitsubishi，Semikron，Vincotech，Starpower，Hitachi，Danfoss，HitachiABBPGS和Bosch。2020年全球IG...
IGBT数据表中连续集电极电流IC，也称为直流集电极电流，先对比一下二家不同公司的额定电流相同的IGBT产品（10A/600V）的数据表，可以看到标称的连续集电极电流IC的差异。厂家1：厂家2：在数据表中，25℃和100℃时，二个标称相同额定电流的IGBT，IC并不相同。那么，I...
最近一些工程师朋友和读者留言询问，说微信公众号里面看不到以往的文章，作者检查后发现主要问题是：微信公众号主页面下方的菜单（图1中最下方红色方框部分），点击菜单后，对应的链接出现了问题，出现“该内容已被发布者删除”的提示，如图4所示，估计最近微信公众号更新系统是导致这个问题的原因。...
2020年，功率MOSFET和IGBT产能非常紧缺，交货周期依然非常长。下游需求旺盛，功率MOSFET和IGBT原厂和晶圆代工厂多次上调价格，由于受到产能的限制，功率MOSFET和IGBT的市场供给仍然处于非常紧张的状态，这种状况一直持续到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
2020年，功率MOSFET/IGBT产能非常紧缺，交货周期非常长。下游需求旺盛，功率MOSFET/IGBT原厂和晶圆代工厂多次上调价格，由于受到产能的限制，功率MOSFET市场供给仍然处于紧张的状态，一直持续到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市场研究机构，在其年...
4、PCM功率MOSFET的性能要求离子电池的容量从早期的600mAh、1000mAh到现在，高达6000mAh、10000mAh，为了实现更快的充电速度，降低充电时间，通常采用提高电流、使用大电流充电的快充技术，那么，大电流充电，对电池包内的功率MOSFET就提出了更高的技术...
实际的应用中，DFN3*3、DFN5*6、SO8等封装类型的贴片元件，都会在PCB板器件位置的底部铺上一大片铜皮，然后器件底部框架的铜皮焊接在PCB的这一大片的铜皮上，加强散热。理论上，PCB板铜皮铺的面积越大，总热阻就越低，器件的温升就越低。由于PCB板上其他元件及PCB本身尺...
