• 第二代屏下摄像头技术横空出世!真正的全面屏手机来啦!

    第二代屏下摄像头技术横空出世!真正的全面屏手机来啦!

    经过多年的发展演变,目前全面屏手机的正面摄像头形态基本确定,大部分不是开孔屏就是刘海屏,当然,对于手机屏幕正面的那颗无处安放的前置摄像头,手机品牌也是想尽各种办法要抹除它,以追求极致的全面屏美感。屏下摄像头手机,前置摄像头完全内置在屏幕之下,屏幕不再是刘海屏或滴水屏,是真正的全面屏手机。 随着技术进步和消费者对大屏手机的需求增加,手机厂商一直致力于提高手机的屏占比,从所谓的无边框手机到刘海屏,再到水滴屏和升降摄像头的设计,以及折叠屏的推出,手机向真全面屏的发展可谓百战不殆。而屏下摄像被认为是真全面屏的终极解决方案。与刘海屏、滴水屏相比,将前置摄像头放在屏幕内层并不困难,困难的是如何解决透光问题——在实现全面屏的同时,让前置摄像头的自拍、人脸识别等功能不受影响成为关键。 全面屏设计已经从刘海屏发展到了现在的挖孔屏,虽然挖的孔很小且已经不影响屏幕显示了,但对于很多网友来说,还是期待完美无缺的全面屏,因此屏下摄像头就成为了全面屏的终极方案。说到屏下摄像头,目前共有两家手机厂商有明显的动作,包括小米和中兴,其中中兴更是直接量产屏下摄像头手机。 由于全面屏是大趋势,所以为了提升屏占比,安卓厂商大都放弃了3D结构光人脸识别,目前仅有苹果iPhone还在坚持,但要想有3D结构光,就必须要接受大刘海屏,而中兴首发屏下3D结构光将会解决大刘海屏的问题!还有,3D结构光现在已经不是最好的生物解锁了,因为出门戴口罩时3D结构光就是个摆设。 虽然早在2019年的时候,小米、OPPO两家公司就已经公布了自家的屏下摄像头技术,但是直到现如今,这两家公司依旧没有实现屏下摄像头技术的量产,而曾经位列于“中华酷联”国产手机四大天王的中兴手机,却在2020年9月1日,正式发布了全球首款能够真正量产的屏下摄像手机——中兴天机Axon 20 5G。 中兴曾在其上一代Axon 20系列上全球首发了量产屏下摄像头技术,当时吸引了不少关注。而前段时间,中兴也正式宣布了Axon 30 Pro,相比上代搭载的是骁龙765G中端处理器,这次的Axon 30 Pro搭载了骁龙888处理器,定位也从中端机型升级为旗舰机型。 值得注意的是,中兴天机AXON 20 5G虽然是全球首款配备屏下摄像头的智能手机,但是搭载的第一代量产屏下摄像头技术。 这也意味着第二代屏下摄像头相对于第一代产品要成熟很多,比如开孔更小,隐藏更深,自拍效果优化更好等等,当然,最为关注的就是屏下3D结构光技术了。毕竟3D结构光技术对于人脸识别的准确性,安全性会有更好的体验,也更为实用。目前手机行业也仅有苹果、华为等品牌在坚持,中兴此次发布的屏下3D结构光技术或许会掀起新一轮3D结构光的技术发展。 屏下3D结构光技术则更加让人期待,可以让手机产品在摆脱刘海实现真全面屏的同时实现3D人脸识别,这样也就可以支持人脸支付了。不过与屏下摄像头相比,其难度则更加大,因为穿过屏幕的组件会更多,而且对于安全性的要求会更高,实际表现如何还得等到中兴在MWC2021上海展会上进行揭晓。

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  • RTX 3080 解禁时间推迟两天:显存轻松达到20.7GHz

    RTX 3080 解禁时间推迟两天:显存轻松达到20.7GHz

    9月13日,RTX 3080的评测解禁时间推迟了两天,16日周三晚上21点才能和大家见面。 不过有外媒曝料了一点,那就是RTX 30系列配备的全新GDDR6X显存相当能超频。3DMark Fire Strike、Time Spy实测显示,如此超频后的RTX 3080,性能可以再提升大约……2-3%。 外媒测试发现,RTX 3080 GDDR6X显存可以轻松超到20.7GHz,也就是提升了足足1.7GHz,而同时核心基础、加速频率分别只能再超70MHz、50MHz。 RTX 3090、RTX 3080都采用了美光设计的新一代显存GDDR6X,频率分别达19.5GHz、19GHz,而根据美光的说法,它们完全可以运行在21GHz,从而使得带宽超过1TB/s。

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  • CPU之战即将重燃!Arm芯片将在笔记本电脑领域挑战英特尔

    CPU之战即将重燃!Arm芯片将在笔记本电脑领域挑战英特尔

    很明显,我们使用的智能手机性能越来越好了,无论是使用苹果、华为、三星的处理器,还是联发科、高通的处理器。虽然一些基准测试爱好者还在继续寻找性能最优的处理器,但芯片设计人员已将他们的注意力转向了相机、AI以及网络性能等领域。 尽管CPU的竞争不再激烈的原因是其对实际使用性能的影响越来越小,但也有部分原因是大多数当代系统级芯片(SoC)都使用同样的Arm CPU 内核,尽管他们都有自己的少量优化。苹果和三星是例外,他们有自己的CPU,但三星总是不愿意同其它芯片竞争对手进行比较(三星去年底宣布关闭美国的CPU研究部门),这使得苹果顺理成章地成为唯一一家能够炫耀其CPU威力的公司。 但随着强大的Arm Cortex-X1 CPU的到来,这样的局面将发生改变,Cortex-X1会偏离Arm的常规路线图以追求卓越的性能。Cortex-X1与Arm CXC项目中的精选合作伙伴建立联系,旨在缩小与苹果CPU的性能差距。 然而,CXC项目性质表明,并不是每一个芯片设计商都有机会使用强大的内核,这意味着,Arm CXC项目中的成员相比于外部人员而言,会有更多的性能优势。 CPU之战即将重燃。 Arm CXC项目对业界意味着什么 Arm CXC项目取代以往“建立Arm Cortex”倡议,允许合作伙伴对他们的Cortex-A CPU进行细微的调整,高通的 Kryo CPU就是一个例子。2016年,高通与Arm签署了一项新协议,协议允许高通使用Arm设计的CPU,与Arm内核的其他被许可方相比,它具有两项优势。首先,高通可以以自己的品牌Kryo销售CPU内核。其次,高通对未来的CPU内核设计有发言权,并且可以对半定制Kryo内核进行“调整”。 Arm CXC 从不同的方向采用这一想法。Arm的合作伙伴在每年的设计基础之上给出一个产品路线图之外的说明书,由Arm设计满足需求的CPU,同时,Arm还继续维护CPU软件和进行市场营销。 但是,CXC项目附带一个特别严格的条件,只有在项目开始的那一年进行投资的合作伙伴才能从最终产品中受益。多个合作伙伴可以同时加入该项目,之后便可以访问共享技术。但是,如果一家公司没有从项目启动之时就做出贡献,便无法购买现成的Cortex-X1,这对个别合作伙伴来说,可能不是一件好事。 参与CXC项目,或将成为旗舰手机提升性能的决定性因素 参与CXC项目的好处在于,Arm的合作伙伴可以对CPU提出标准Cortex-A路线图之外的要求,同时不用承担内部设计定制CPU的风险和费用。三星在CXC和Cortex-X1推出不久前就放弃了其内部的Mongoose CPU内核是一个巧合吗?除非CPU设计人员有非常具体的要求或对年度CXC目标存在异议,否则将不再需要Arm的自定义体系结构许可证。 也就是说,我们尚不知道哪些我们所熟知的SoC设计方可以使用Cortex-X1。高通公司很可能成为Arm先前计划的固定客户,而三星可能已放弃Mongoose来采用这种新方法。但对于华为和联发科,目前尚无知晓。 正是因为一些企业参加了CXC项目,而还有一些没有,可以预测到,到2021年,某些旗舰智能手机的功能可能至少比其他智能手机强20%,这将会引发广泛讨论。 尽管Cortex-X1势必在移动领域引发一些有趣的性能比较,但这并不是Arm和合作伙伴推动性能极限的唯一领域。Arm处理器已经通过Windows on Arm平台在PC市场上取得了进步,预计苹果将在2021年推出其首款基于Arm的MacBook。功能更强大的Cortex-X1非常适合该市场。 电脑级芯片组(诸如Snapdragon 8cx之类的笔记本)已经从智能手机同类产品中脱颖而出,以追求更高的性能挑战英特尔和AMD中端处理器。到目前为止,Surface Pro X和Samsung Galaxy Book S的性能令人振奋,但Cortex-X1的性能达到了更高的竞争水平,该芯片可能成为Arm进入PC领域的关键。 回归高端Chromebook,Arm芯片将在笔记本电脑领域挑战英特尔 就此而言,功能更强大的SoC也应成为由Arm驱动的Chormebook的福音。目前,英特尔是高端Chormebook的首选处理器,但是随着Arm性能再上新台阶,这种情况可能会改变。无论哪种方式,CXC项目和X1处理器都可以通过使Arm成为更可行的处理器选项来撼动PC市场。这是让英特尔头疼的另一个问题。 尽管智能手机不需要进一步提高处理能力,但在旗舰处理器(例如高通、三星或华为的麒麟)之间存在CPU差异的情况下,2021年基准测试成绩必定会大幅增长。至少,随着下一代手机试图缩小差距,可以期待苹果与安卓的基准测试对比回归全盛时期。 新一轮“跑分”竞赛即将到来 2020年末到2021年,不仅仅是高端性能之间存在竞争,不需要顶级性能的高端手机也会有显著提升,诸如Snapdragon 765G之类的中高端处理器为LG Velvet提供了支持,并且也有望在Google Pixel 5中使用。这些手机将与更昂贵的旗舰手机围绕需求和性能展开竞争。 展望未来,在通往2021年的未来几个月里,大部分智能手机的性能将出现很大的差异。尽管旗舰手机将界限推到了一个新的高度,但人们越来越需要衡量支付能力。对于发烧友来说,这将是一个有趣的时刻。

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  • 锐龙4000处理器性能:AMD笔记本翻身之作

    锐龙4000处理器性能:AMD笔记本翻身之作

    据报道,AMD年初推出了7nm Zen2架构的锐龙4000系列笔记本处理器,最近各家基于锐龙4000的笔记本开始上市,6核版的锐龙本甚至能做到3999元内,性价比很不错。 关于锐龙4000处理器的性能及续航,我们也测过了锐龙9 4900HS处理器的ROG幻14笔记本,详细性能可以参考这篇评测——AMD笔记本翻身之作!ROG幻14评测。 得益于7nm Zen2架构,锐龙4000笔记本处理器的性能、功耗、能效甚至价格上都很有优势。 Passmark这个CPU性能测试软件今天更新了榜单,结果锐龙4000系列屠榜了,TOP10中占了7个名额,前四名全都是AMD处理器。 AMD的锐龙4000处理器中的H、U系列总共才11款产品,除了基本上无人问津的锐龙3 4300U、锐龙5 4600H/HS之外,常见的这几款都在Passmark榜单上了,而且性能排行都比较靠前。 由于AMD没有公布锐龙4000系列的MSRP建议价,所以性价比排行不好算,但大家都应该知道这件事——锐龙4000笔记本CPU的价格并不高,否则也不可能有3999元的锐龙笔记本了,在性价比这一点上AMD多年来倒是没让人失望过。 从目前的情况来看,AMD过去多年在笔记本市场上被碾压,但是今年的锐龙4000可以说是真正翻身了。

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  • 紫光展锐发布新一代5G终端芯片

    紫光展锐发布新一代5G终端芯片

    虎贲T7520是紫光展锐第二代5G智能手机平台,采用6nm EUV制程工艺,以及多种先进设计技术,性能大幅提升的同时,功耗再创新低。虎贲T7520采用4 个 Arm Cortex-A76 核心,4 个 Arm Cortex-A55 核心,GPU采用 Arm Mali-G57核心,5G 速度下,将带来优异的流媒体和游戏体验。虎贲T7520基于紫光展锐5G技术平台马卡鲁开发,集成了全球首颗支持全场景覆盖增强技术的5G调制解调器,可拓展大带宽4G/5G动态频谱共享专利技术,使运营商在现有4G频段上能够部署5G,最大限度利用既有资源,并满足未来5G共建共享的需求,有效降低网络部署成本,加快5G部署。同时,虎贲T7520针对速度高达500KM/h的高铁场景进行技术优化,帮助用户在高速旅行的同时,尽享5G带来的畅快体验。 楚庆表示:“虎贲T7520开发了多种先进技术,在性能全面提升的同时,功耗再创新低。除此之外,我们的架构设计开放创新,致力生态承载,未来将携手合作伙伴共同带给用户更优异的智能体验。“ 具体来看,此次紫光展锐发布的虎贲T7520具有六大优势。亮点一:先进的6nm EUV工艺。多层极紫外(EUV)光刻技术加持,工艺光源波长缩短到13.5nm,接近X射线的精度带来了极高的光刻分辨率,使芯片的成本、性能和功耗达到了更好的平衡。相比上一代7nm,6nm EUV晶体管密度提高了18%,这将使芯片单位面积内集成更多的晶体管,芯片功耗降低8%,可提供更长的续航时间。 亮点二:全球首款全场景覆盖增强5G调制解调器。支持5G NR TDD+FDD载波聚合,以及上下行解耦技术,可提升超过100%的覆盖范围。基于紫光展锐创新的5G超级发射技术,可为小区近点提升60%上传速率,解决了增强VR、4K/8K超高清视频直播等业务需要更大上行带宽的痛点。支持 Sub-6GHz 频段和NSA/SA双模组网,支持2G至5G七模全网通,在SA模式下,下行峰值速率超过3.25Gbps。虎贲T7520还支持领先的双卡双5G以及EPS Fall back、VoNR高清语音视频通话。 亮点三:强大的AI能力和无尽的开发空间。集成新一代NPU,拥有业界领先的移动端AI商用成熟度,支持业界主流ML训练框架,提供丰富的算子库,实现对Android NN的完整支持,用户能够体验更加多样化的移动端AI应用。 亮点四:全面增强的多媒体处理能力。搭载紫光展锐自主研发的第六代影像引擎Vivimagic 6.0 解决方案和第二代4K FDR (Full Dynamic Range)技术,专用AI加速处理器,全新升级的四核ISP架构,高达一亿像素的超高分辨率和多摄处理能力,结合安奇逻辑(ACUTElogic)领先的影像技术,将为拍照和摄像提供出类拔萃的效果。采用全新一代多核显示架构,最高支持120Hz的刷新率,全通路、全格式HDR标准渲染能力,多屏显示最高可支持4K HDR 10+,将极大提升用户在高帧率类竞技游戏、5G超高清视频观影、AR/VR等视觉沉浸式场景上的体验。 亮点五:功耗再创新低。紫光展锐新一代的低功耗设计架构,以及基于AI的智能调节技术,与分离式5G方案相比,虎贲T7520无论是在轻载还是重载场景下,功耗优势全面领先,在部分数据业务场景下的功耗降低了35%。

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  • 格芯量产eMRAM,基于22nm FD-SOI平台

    格芯量产eMRAM,基于22nm FD-SOI平台

    格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存储器(eNVM),已通过了5次严格的回流焊实测,在-40℃至125℃温度范围内具有100,000次使用寿命和10年数据保存期限。FDX eMRAM解决方案支持AEC-Q100 2级设计,且还在开发工艺,预计明年将支持AEC-Q100 1级解决方案。 格芯汽车、工业和多市场战略业务部门高级副总裁和总经理Mike Hogan表示:“我们将继续通过功能丰富的可靠解决方案实现差异化FDX平台,客户可利用这些解决方案来构建适用于高性能和低功耗应用的创新产品。我们的差异化eMRAM部署在业界先进的FDX平台之上,可在易于集成的eMRAM解决方案中实现高性能射频、低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合,帮助客户提供新一代超低功耗MCU和物联网应用。” 格芯携手设计合作伙伴,即日起提供定制设计套件,包括通过芯片验证的插入式MRAM模块(4至48MB),以及MRAM内置自检功能支持。 eMRAM是新一代存储技术,拥有RAM内存读写速度、能够与NAND闪存一样具有非易失性的新型存储介质,断电不会出现丢失数据,而写入速度是闪存的数千倍。

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  • 中科院制备出米管传感存储一体化器件

    中科院制备出米管传感存储一体化器件

    科研人员提出了一种基于铝纳米晶浮栅的碳纳米管非易失性存储器,具有高的电流开关比、长达10年的存储时间以及稳定的读写操作,多个分立的铝纳米晶浮栅器件具有稳定的柔性使役性能。更重要的是,电荷在氧化生成的AlOx层中的隧穿机制由福勒-诺德海姆隧穿变成直接隧穿,从而实现光电信号的传感与检测;基于理论计算分析与实验优化设计,制备出32×32像素的非易失性柔性紫外光面阵器件,首次实现了光学图像的传感与图像存储,为新型柔性光检测与存储器件的研制奠定了基础。 科研人员采用半导体性碳纳米管薄膜为沟道材料,利用均匀离散分布的铝纳米晶/氧化铝一体化结构作为浮栅层与隧穿层,获得高性能柔性碳纳米管浮栅存储器,实现在0.4%弯曲应变下器件读写与擦除之间的电流开关比高于105,存储稳定性超过108s(图2)。同时,较薄氧化铝隧穿层可使在擦除态“囚禁”于铝纳米晶浮栅中的载流子在获得高于铝功函数的光照能量时,通过直接隧穿方式重新返回沟道之中,使闭态电流获得明显的提升,完成光电信号的直接转换与传输,实现集图像传感与信息存储于一身的新型多功能光电传感与存储系统(图3)。 该项研究工作由中科院金属所孙东明和曲庭玉提出设计构思,在中科院苏州纳米所邱松、李清文研究员、吉林大学王伟教授以及中科院金属所的科研人员共同合作下完成。曲庭玉与孙陨开展了器件制备、电学测量和数据分析工作,陈茂林进行了电子束曝光等器件工艺研究,邱松、李清文合成了半导体性碳纳米管溶液,刘志博进行了样品的透射电镜表征,谭军开展了聚焦离子束等样品加工。

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  • STM32L4 +微控制器问市

    STM32L4 +微控制器问市

    新产品为USB、模拟外设等电路配备独立的电源引脚,集成独立的时钟域以及八线和四线SPI外存扩展接口,为开发人员提供设计灵活性保证。新器件还集成5Msample/s的智能模数转换器(ADC),该ADC有两个模式,全速运行模式可以最大程度地缩短采样时间,低速模式可以节能降耗。 借助意法半导体的超低功耗微控制器技术,新STM32L4 + MCU有7个主要低功耗模式,使设计人员能够灵活地管理功耗和唤醒时间,以最大程度地降低能耗需求。这些产品还支持FlexPowerControl高能效任务处理技术,以及在CPU停止时继续高能效采集数据的批处理模式。 EEMBC®基准测试成绩409 CoreMark®和285 ULPMark™-CP[1]证明,新微控制器实现了高性能和高能效的完美融合。 新控制器还可在工业和医疗应用中保护系统,十分可靠安全,包括闪存错误校正代码(ECC)支持和SRAM的硬件奇偶校验。 数据保护功能包括硬件随机数生成器和内存代码访问权限IP保护,STM32L4Q5在标配基础上增加了加密算法加速器,支持AES、RSA、DH和ECC算法。 意法半导体还扩大了STM32开发生态系统,推出了NUCLEO-L4P5ZG Nucleo-144开发板和STM32L4P5G-DK 探索套件,每个套件均包含STM32L4P5微控制器。

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  • DELO提供了功能强大的高性能材料

    DELO提供了功能强大的高性能材料

    这些高性能材料具有类似的化学基础,相互之间可以完美地组合并形成绝佳的粘连,非常适合材料混合。例如,从硬到柔韧的材料,可用于一个打印过程。为此,打印机里需要安装多个点胶头,根据指定的参数,分别涂抹相应的液体材料。根据点胶设备的型号,最多可以实现层厚度小于 500 µm 的结构。针对复杂的、带有延伸或切口的结构,用户可以选用水溶性支持材料。 由于这些多功能材料在室温下即可点胶,不需要对材料进行加热, 也不需要为加热设备预留安装空间。辅以紫外线灯的照射,这些材料在几秒钟之内即可完全固化并达到最终强度。这就简化了工艺流程,同时节约能源。 点胶头和固化灯都可以集成在现有的生产线里。并最终得以让打印过程与其它生产流程组合。

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  • EPC推出ePower™ 功率级集成电路系列

    EPC推出ePower™ 功率级集成电路系列

    当48 V转到12 V的降压转换器在1 MHz的开关频率下工作,EPC2152 ePower 功率级集成电路可实现高于96% 的峰值效率,相比采用多个分立器件的解决方案,这个集成电路在PCB的占板面积少33%。 EPC2152 是该系列的首个产品。该系列在未来会进一步推出采用芯片级封装(CSP)及多芯片四方偏平模块(QFM)的功率级IC。在未来一年内将推出可在高达3至5 MHz频率范围工作、每级功率级的电流可高达15 A至30 A的产品. 该产品系列使得设计师可以容易发挥氮化镓技术的性能优势。 集成多个器件在单晶片上,设计师可以更容易设计、布局、组装、节省占板面积及提高效率。 宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow说,“分立式功率晶体管正在进入它的最后发展阶段。硅基氮化镓集成电路可以实现更高的性能、占板面积更小,省却很多所需工程。” Alex 继续说:“这个全新功率级集成电路系列是氮化镓功率转换领域的最新发展里程,从集成多个分立式器件,以至集成更复杂的解决方案都可以,从而实现硅基解决方案所不能实现的电路性能、使得功率系统工程师可以更容易设计出高效的功率系统。”

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  • ARM全新DSTREAM-HT仿真器

    ARM全新DSTREAM-HT仿真器

    更少的追踪引脚:在单通道上 - 2个引脚 - HSSTP可以以与16引脚并行追踪端口相当的速率传输追踪数据; 支持多种协议:支持Arm HSSTP和Marvell®SETM; 可编译的IO:用户I / O端口提供脚本功能和8个数字I / O引脚,以实现自动化测试和验证工作流程; 丰富的调试功能:添加设备特定寄存器,查看指令和数据追踪历史记录,自定义设备特定寄存器的连接,使目标无法复位等等。 更快速的调试速度:代码下载速度高达12 MB/S,JTAG速率高达180 MHz。SWD速率高达125MHz,可以大大缩短单核或多核设备的调试周期。 远程调试:远程千兆以太网或USB 3.0主机连接,可实现远程和快速访问。 产品特性 基于CoreSight trace的Arm处理器调试与跟踪 USB3.0和千兆以太网连接接口。 8GB大小的缓冲区。 可定制以支持ASIC 代码下载速度高达12MB/S 最多支持1022个coresight设备 灵活的追踪时钟定位 遥控目标设备复位 设备启动和测试实用程序 支持第三方IP和调试器的灵活架构 DSTEAM系列特点 Arm 公司的DSTREAM高性能调试和跟踪单元可在任何基于Arm处理器的硬件目标上进行强大的软件调试和优化。 DSTREAM调试探针具有许多开发平台的加速硬件启动功能以及与第三方工具一起使用的开放式调试接口等功能,与Arm Development Studio配合使用时,可为复杂SoC的开发和调试提供全面的解决方案。

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  • 新一代电源e络盟开售

    新一代电源e络盟开售

    充分的灵活性:这些型号产品具有两路或四路输出,可以并联或串联方式连接,以提高输出电流或电压。每路输出均可独立工作,具有同步开/关功能,能够确保正确应用系统电源。 出色的安全性:过流保护 (OCP)、过压保护 (OVP)、超功率保护 (OPP) 和热过载功能可保护负载,且可以针对每个通道单独设置最大输出电流、电压和功率。 完整的功能性:输出斜波函数 (EasyRamp)、输出延迟和任意函数 (QuickArb) 可以模拟各种电源,包括不稳定的设备。其他功能还包括同步记录所有输出的电压和电流,并提供.CSV文件格式的可用数据用于报告和记录,以及通过远程感测改进电压调节。 全面的连接性:标准型USB和LAN接口允许在自动测试设备系统(ATE)或生产线中远程控制NGP800,还可以通过可选的GPIB接口、数字触发器输入/输出、模拟输入和无线网络实现进一步连接。 Farnell及e络盟全球测试和工具部门负责人James McGregor 表示:“我们很高兴推出Rohde & Schwarz新一代电源产品。这一全新系列产品进一步表明我们持续致力于引入最优质的测试与测量设备,以支持并满足客户的所有测试需求。Rohde & Schwarz的创新专业技术产品,结合e络盟的全球分销网络和支持服务,将使我们的客户能够更加方便地选购丰富的测试与测量仪器。” e络盟拥有广泛系列产品,可为电子设计、制造和测试工程师提供有力支持。同时,客户还可以通过e络盟官网免费访问在线资源、数据表、应用说明、视频和网络研讨会,并可获取每周5天、每天8小时的技术支持。

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  • Diodes 推出PCIe5.0时钟发生器与缓冲器

    Diodes 推出PCIe5.0时钟发生器与缓冲器

    PCIe 时钟发生器的 PI6CG33xxxC 系列产品与 PCIe 时钟缓冲器的 PI6CB33xxxx 系列产品分别包含八个与九个装置,提供多样选择,例如输出数与输出阻抗。装置皆具备晶载终端特色,不需外部终端电阻器,进而节省 BoM 成本与电路板空间。 PCIe 时钟解决方案为 PCIe 4.0 与 PCIe 5.0 版本提供低抖动性能;随着市场产品数据传输率提升、供应产品演进,设计人员可藉此解决方案更容易获得较高性能。 为了进一步简化设计过程,PI6CG33xxxC 与 PI6CB33xxxx 系列产品装置在每次输出时具备可编程转换速率与输出振幅,提供高度灵活性,并支持不同的电路板配置。在设计条件益发严峻的情况下,这种可编程的产品有助于确保开发人员在日益严峻的设计条件下获得最佳效能。

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  • 东芝全新内置保护功能光耦问市

    东芝全新内置保护功能光耦问市

    新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。 目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。 通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。 其他功能包括:在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外,还有UVLO[3]检测,将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。 应用: ・IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动) ・交流电机和直流无刷电机控制 ・工业逆变器与不间断电源(UPS) ・光伏(PV)电源调节系统

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  • 安森美推出互联照明平台

    安森美推出互联照明平台

    全面的软件工具支援互联照明平台,包括一个集成的开发环境(IDE)、各种用例和移动应用程序。若使用RSL10 Sense and Control应用程序(适用于iOS®和Google Play™)或Web客户端,此平台能以无线控制LED。安装该应用程序后,使用RSL10 FOTA应用程序(iOS®,Google Play™)的固件更新可易于发送。 安森美半导体除该平台外,还开发了PoE模块用于大功率有线连接。该模块基于符合IEEE 802.3bt的NCP1096接口控制器,扩展平台提供近90 W功率,现在可由以太网电缆传输。

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