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  • 太阳能电池1美元关卡 大厂减产20%

    太阳能电池平均成交价的走势已非常接近每瓦1美元关卡，太阳能硅晶圆成交价已跌破每片3美元关卡，而模组也跌破每瓦1.5美元。受到市况持续低迷影响，太阳能电池平均成交价的走势已非常接近每瓦1美元关卡，厂商也纷纷表示，若市况仍未回稳，近期将有机会跌破每瓦1美元水准，同时，目前太阳能硅晶圆成交价已跌破每片3美元关卡，而模组也跌破每瓦1.5美元，市场研究机构EnergyTrend预估，除了多晶硅与系统安装相关的厂商以外，其它厂商第2季将面临亏损状况。根据最新调查指出，上游的多晶硅部分价格来到每公斤73.275美元，跌幅为2.62%，与其它产品相比，仍是缓慢下跌；而硅晶圆厂商的降价压力大增，平均价格出现明显下滑，多晶硅晶圆的平均价格跌破每片3美元，来到每片2.971美元，跌幅为4.78%；而单晶硅晶圆的价格也呈现下滑，平均价格来到每片3.321美元，跌幅为2.35%。在太阳能电池部分，现货交易价格最低来到每瓦0.9美元，而平均价位来到每瓦1.034美元，跌幅为5.66%。而模组市场的需求仍然疲弱，最低成交价来到每瓦1.4美元，平均价格持续下滑来到每瓦1.489美元，跌幅为1.52%；而在薄膜太阳能的部份，平均价格小幅下滑到每瓦1.169美元，跌幅为0.93%。太阳业者表示，目前市况持续低迷，需求仍未回温，厂商对未来的看法非常保守，同时市场的信心度急速下降，目前已有大厂展开减产以因应目前的状况，产能利用率约为8成左右。而面对未来发展，厂商表示，在硅晶圆厂持续调降价格后，目前整体产业链仅多晶硅厂商仍享有获利，因此第2季将是多晶硅价格变化的关键时刻，如下半年市况仍未有起色，第2季多晶硅价格将承受极大的降价压力，有机会出现明显的修正。

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  • First Solar第一季度利润跌33%

    全球最大的薄膜太阳能电池模组制造商FirstSolar,Inc.(NASDAQ:FSLR)周二收市后宣布，其第一季度利润被较低平的均售价及高费用所挫较去年下跌33%，而其季度每股收益与季度销售均高于分析师预期。同时，该公司亦重申了其全年销售与收益展望。FirstSolar第一季度录得净收入1.16亿美元或每股1.33美元，去年同期为1.723亿美元或每股2美元。39位路透的分析师普遍预测该公司第一季度每股收益为1.16美元。第一季度总经营费用由去年同期的9090万美元增加43%至1.303亿美元。第一季度净销售额由去年同期的5.6796亿美元稍微下降至5.6729亿美元，主要受较低的平均售价所拖累。33位分析师之前普遍预测其第一季度收入为5.4437亿美元。展望未来，FirstSolar维持2011全年每股收益预测范围9.25美元至9.75美元，净销售额为37亿美元至38亿美元。分析师当前预计其2011全年每股收益为9.52美元，收入为37.9亿美元。FirstSolar于3月任命MarkWidmar为首席财务官；3月末，宣布其运营总裁BruceSohn离任，自4月30日起生效。

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  • 海力士一季度净利润2.54亿美元 同比下降66%

    据国外媒体报道，全球第二大电脑内存芯片生产商海力士周四发布了2011年第一季度财报。财报显示，今年第一季度海力士实现净利润2735.4亿韩元（约合2.538亿美元），比去年同期大幅下降66%，这主要是受到个人电脑需求低迷导致芯片价格下滑影响。不过，海力士对未来业绩表示乐观。海力士表示，由于日本大地震和海啸之后，日本公司芯片供应短缺，因此海力士的智能手机芯片需求将大幅增长。海力士表示：“今年第二季度，在日本地震带来芯片供应紧张的局面下，智能手机和平板电脑的市场需求将继续增加，全球芯片市场将保持稳定。”不过海力士警告说，如果日本地震导致科技零部件供货长期中断，这将压缩海力士芯片的需求，进而有损于海力士的业绩。海力士表示：“如果日本地震的影响延长，将对全球科技产业造成负面影响，因此我们会密切关注形势的发展。”海力士为苹果等全球多家科技公司生产芯片。业绩超出预期在截至3月31日的第一季度，海力士实现净利润2735.4亿韩元（约合2.538亿美元），与上年同期的8081亿韩元相比大幅下降66%。去年第四季度，海力士的净利润为300亿韩元。不过海力士的业绩仍然超出了分析师的预期。此前道琼斯调查的6名分析师对海力士第一季度净利润的平均预期为2020亿韩元。今年第一季度，海力士的运营利润为3228.3亿韩元，比上年同期的7417.6亿韩元大幅下降57%；第一季度销售额为2.793万亿韩元，比上年同期的2.824万亿韩元下降1.1%。自2010年下半年来，全球芯片产业一直处于下滑状态，原因在于美国和欧洲市场在供过于求的情况下芯片价格大幅下跌。不过有分析师表示，近期芯片价格反弹和日本地震后订单数量的增加有助于海力士接下来几个季度业绩的提升。分析师认为，广泛应用于智能手机和平板电脑、而且利润率较高的移动DRAM芯片市场需求急剧增加，而且海力士在NAND闪存芯片方面的竞争优势越来越大，这都有助于海力士业绩的提升。韩国新韩投资公司分析师KimYoung-chan表示：“DRAM和NAND价格有望在第二季度继续提高。”海力士表示，今年第一季度，海力士DRAM芯片的平均售价下降了13%，去年第四季度下降了28%，不过第一季度海力士NAND闪存芯片价格保持稳定，而去年第四季度价格下跌12%。今年第一季度，海力士DRAM芯片出货量增长15%，NAND芯片出货量同样增长15%。今年3月底，海力士首席执行官O.C.Kwon表示，受益于智能手机和平板电脑设备需求的增长，2011年下半年全球芯片产业有望获得稳步发展。在最近的一份报告中，高盛表示：“我们认为，在较好的成本结构和多样化的产品结构支持下，海力士可以巩固其在全球DRAM市场的竞争地位。我们预计，海力士将成为DRAM产业复苏的最大受益者之一。”在营收来计算，海力士是全球第二大内存芯片生产商，仅次于三星电子。海力士的另一个主要竞争对手东芝在日本地震发生之后，被迫停止了其中一个芯片工厂的运营。　

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  • 德国太阳能公司Q-Cells进军日本市场

    欧洲太阳能电池业龙头——德国太阳能公司Q-CellsSE近日声称，该公司已经创建由当地承包商组建的销售网络，正式进入日本家用太阳能市场。据悉，为了成功进军日本市场，Q-Cells专门成立了Q-CellsMeisterClub。目前已经有30位承包商加入该俱乐部。这些会员将负责Q-Cells旗下产品的安装和销售。Q-Cells首席执行官官耐丁-岑(NedimCen)表示，“在日本遭遇3月11日东北大地震之前，Q-CellsMeisterClub就已经成立。尽管日本经济受到了前所未有的巨大挑战，我们仍相信，对于日本来说，太阳能仍是一种重要的能源。”据报道，耐丁-岑指出，进军日本市场，是Q-Cells旗下亚洲业务的重要组成部分。

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  • 日震余波 半导体Q2变数多

    日本311大地震发生已超过一个月，但对于台湾半导体产业来说，产业供应链及市场需求影响才正要开始，市场普遍预料晶圆代工、封测及IC设计厂第2季营运恐受冲击，唯独DRAM厂反而可望受惠。日本大地震后，尽管各家厂商手中仍有一定水位库存支应，短期3、4月营运不受影响，但是半导体业者预期，日震势必冲击电子业供应链正常运作，造成的影响将在5、6月显现，也为半导体相关厂商第2季营运带来不小变量。     以封测业来看，虽然封装关键材料BT树脂龙头厂三菱瓦斯产能即将在5月回复至地震前水平，而 IC基板厂也积极寻求替代原料，只是仍无法避免可能出现1个月左右的缺料窘境。相较之下，台湾DRAM厂对第2季营运展望相对乐观，反而受惠日本大地震，市场第2季供应可能减少，需求已逐步增温，也带动价格弹升。  

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  • 22纳米到底如何小而强大？

    最早由贝尔实验室在1947年开发的晶体管非常大，以至于可用手直接进行组装。与之形成强烈对比的是，一个针头上就可以容纳超过1亿个22纳米三栅极晶体管。     本文一个英文句点符号上可以容纳超过600万个22纳米三栅极晶体管。       22纳米三栅极晶体管的栅极非常小，人的一根头发的宽度就能容纳超过4000个栅极。       如果一幢普通房子按照晶体管的发展速度持续缩小，那么它已经小到你只有通过显微镜才能看到它。要想用肉眼看到22纳米的晶体管，你必须把一块芯片放大到比房子还大。  与英特尔1971年推出的首款4004微处理器相比，22纳米CPU的运行速度提高了4000多倍，而每个晶体管的能耗则降低了5000倍。每个晶体管的价格降低到原来的1/50000。  一个22纳米晶体管可在1秒钟之内开关1000亿次。一个人开关这么多次电灯，差不多需要花2000年时间。  设计三栅极晶体管是一回事，投入批量生产又是另一回事。英特尔工厂每秒钟生产超过50亿个晶体管，每年就是150,000,000,000,000,000个。这相当于全世界所有男人、女人和儿童都有超过2000万个晶体管。  

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  • 晶体管进入3-D时代！

    自从1947年晶体管问世以来，晶体管技术飞速发展，为开发更强大、成本效益更好、能效更高的产品铺平了道路。要想按照摩尔定律的步调不断进步，就必须进行大量创新。近期值得关注的创新成果是应变硅（英特尔于2003年推出）和高-k金属栅极（英特尔于2007年推出）。现在，英特尔将为晶体管设计带来另外一项革命——这将在各种计算设备（从服务器到台式机，从笔记本电脑到手持式设备）中实现前所未有的高性能和能效。     硅晶体管史上第一次进入3-D时代。英特尔推出了三栅极晶体管，其中晶体管通道增加到第三维度。电流是从通道的三面（顶部、左侧和右侧）来控制的，而不是像传统平面晶体管一样，只从顶部控制。最终的结果就是能够更好地控制晶体管、最大程度利用晶体管开启状态时的电流（实现最佳性能），并且在关闭状态时最大程度减少电流（降低漏电）。         英特尔在新的半导体技术中引入了22纳米创新，这将确保摩尔定律在可预见的未来仍将继续生效。让我们一起回顾晶体管的历史和关键里程碑事件：     1947年12月16日：William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain在贝尔实验室成功开发出首个晶体管。  1950年：William Shockley开发出双极结型晶体管，就是现在通行的标准晶体管。  1954年10月18日：首款晶体管收音机Regency TR1上市，这种收音机里面只包含四个锗晶体管。  1961年4月25日：罗伯特•诺伊斯获得首个集成电路专利。最初的晶体管对于收音机和电话而言已经足够了，但是更新的电子设备要求规格更小的晶体管——集成电路。  1965年：摩尔定律诞生——戈登•摩尔在《电子杂志》发表的文章中预测：未来芯片上晶体管的数量大约每年翻一倍（10年后，修正为每两年翻一倍）。三年后，摩尔和诺伊斯创建了英特尔公司，英文名Intel即“集成电子（integrated electronics）”的缩写。  1969年：英特尔开发出首个成功的PMOS硅栅极晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅（SiO2）栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。  1971年：英特尔推出首个微处理器——4004。4004的规格为1/8英寸×1/16英寸，包含2250个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术在2英寸晶圆上生产。  1985年：英特尔386™微处理器问世，含有275,000个晶体管，是最初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片，具备多任务处理能力，可同时运行多个程序。最初是使用1.5微米CMOS技术制造的。  2002年8月13日：英特尔发布了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内首次在生产工艺中采用应变硅。  2007年9月：英特尔公布采用突破性的晶体管材料——高-k金属栅极。英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器——英特尔®酷睿™2双核、英特尔酷睿2四核处理器以及英特尔至强®系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶体管中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代号为Penryn。  2011年5月3日——英特尔宣布将批量生产一种全新的晶体管设计。三栅极晶体管将在各种计算设备中（从服务器到台式机，从笔记本电脑到手持式设备）实现前所未有的高性能和能效。

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  • EUV光源厂商散伙 EUV未来充满变数

    日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布，已终止有关光源合资企业Gigaphoton的合作协议。Komatsu将从Ushio手中买下50%股权。未来Gigaphoton将成为Komatsu的全资子公司。而此举会为EUV的未来投下何种变数仍有待观察。成立于2000年8月的日本Gigaphoton公司主要业务是开发、生产和销售光刻工具用的准分子激光光源，是由Ushio和Komatsu合资成立的企业，双方各握有50%股权。包括Cymer、Gigaphoton、Ushio和其他业者都正在为下一代光刻工具开发EUV光源。Gigaphoton采用激光激发电浆型(LPP)户方法，而Ushio则采取放电激发电浆型(DPP)方法(电子工程专辑版权所有，谢绝转载)。现在，Gigaphoton和Ushio将在EUV光源市场中展开竞争。Cymer公司是LPP技术的推动厂商。在LPP方法中，电浆是透过在指定材料上收集强大的激光束来激发，而DPP方法则是透过在电子间对大电流脉冲充电来激发电浆。日本的Ushio去年收购了飞利浦电子的EUV光源业务。飞利浦之前便已将其EUV事业部转移到日本公司的EUV部门，称之为XtremeTechnologiesGmbH。Xtreme一直在从事EUV光源的研发，并自2008年起与飞利浦合作开针对下一代半导体技术的EUV光源。Ushio在2005年取得Xtreme的50%股权，并于2008年与飞利浦携手展开研究，其研究也特别着重在EUV光源部份。而在同一年，Ushio也并购Xtreme，使其成为100%的子公司(电子工程专辑版权所有，禁止转载)。目前，作为下一代光刻技术主要候选人之一的EUV技术，仍然因为光源、光刻胶和关键掩膜与量测基础设施的缺乏而延迟(参阅电子工程专辑报道：光刻世界的期待与沮丧)。但芯片制造商仍对它充满寄望。“我们估计在14nm节点可导入EUV技术，”台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义说。台积电的28nm工艺采用的是193nm浸入式光刻技术；蒋尚义表示将在20nm工艺导入双重曝光(doublepatterning)，而EUV技术则预计最快在14nm时才可望实现。“EUV的最主要挑战在产量和光源，”蒋尚义说。尽管站在芯片供应商的角度，整个产业都致力于建构完整的EUV基础环境，但根本上EUV要能顺利应用仍然缺乏许多条件，特别是在光源部份，现在整个产业都在等待光源的改良(电子工程专辑版权谢绝转载)。不过，就算EUV真的赶不及，蒋尚义表示，仍有其他替代技术可供选择。他看好电子束技术。举例来说，“荷兰MapperLithography已经开发出110电子束系统了，尽管该系统仍在开发初期，但根据产品蓝图，未来该公司将提供13,000电子束系统，”蒋尚义说。从技术角度来看，“我们至少可以延伸到7nm或8nm，”蒋尚义说。而芯片制造商在选择下一代光刻技术时，必须对晶圆成本做全盘考量。因此，下一代光刻技术的发展仍然充满变数。台积电预计2012下半年试产20nm工艺，而预估2013~2014导入的18英寸晶圆也将搭配20nm工艺。

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  • 南非欲向北开普地区投入50亿兰特加大太阳能建设

    据南非《每日商报》报道，日前南非建设集团第五公司宣布未来两年计划出资50亿兰特在地理位置和气候俱佳的北开普省建设大型太阳能电厂，以进一步推动南非可再生能源的发展规划。与此同时该公司将通过政府采购计划确立可再生能源发展草案的有效实施。该公司投资发展部负责人RowanGueller表示，未来太阳能项目建设期间将为当地创造近1000个工作岗位以及80个长期就业机会。同时为当地制造业的发展提供近70%的生产制造机会，并为南非提供50亿瓦的电力供应。预计未来6个月，第五公司还将与本地矿业供应商签署长期电力支持合作合同，对于公司未来的可持续发展夯实了基础。由于北开普地区地理位置极为优越，全年光照以及可利用的土地将为众多投资商提供了得天独厚的投资机会。这也促使南非政府更进一步加大了该地区政策和资金的信心及投入力度，未来南非政府将把北开普地区建设成为资产达到数十亿兰特的太阳能产业园。该产业园包括太阳能电力输出以及与太阳能有关的制造业产品。同时北开普地区太阳能产业的实施将有助于南非不可再生资源的节约，并帮助南非到2020年碳排放量达到34%的目标。同时还将有助于南非未来20年新能源发展比例达到42%的标准，并为2020年绿色产业经济完成30万个就业机会的要求提供必要补充。南非政府表示目前制约北开普地区向外输电的最大障碍来源于电力输出线路的改造与更新等问题。　

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  • Gartner：晶圆代工厂商未来二年将迎苦战

     Gartner研究总监王端近日表示，未来二年全球晶圆代工厂将陷入苦战，随著各家大举投入资本支出、扩张产能，全球晶圆代工产能利用率本季起将逐季下滑，到2013年将降到80%，部分晶圆代工厂甚至会低于80%。 不过，王端认为，未来几年内，全球晶圆代工的市占排名预期不会有太大的变化；观察晶圆代工胜败关键，在于谁能在28纳米占有较大的市占地位，目前看来，台积电仍胜券在握。 他说，第一季个人计算机和平板计算机的成长率比顾能预估低1到2个百分点，不过从最近追踪相关零组件供应及市场需求，这二大产业今年下半年成长将比优于原先预期，因此顾能暂不修正原先预估。 他强调，日本强震影响半导体产业较严重的关键原材料，有矽晶圆、电池、BT树脂、玻纤、银胶、铜箔及高纯度双氧水等，不过随著日本主要生产厂商积极复工，日本强震对半导体产业的冲击并没有想象中严重。 倒是从各家晶圆代工厂商近期法说会仍维持原本庞大的资本支出，竞相扩充12寸晶圆厂产能，将使未来二年陷入供过于求。 王端预估，明年晶圆代工产业成长率11.1%，到后年成长率趋缓仅3.8%，原因是台积电明年12寸晶圆产能将成长33%，联电也增加20%。

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  • 揭秘韩国OCI的多晶硅巨头之路

    纵观眼下的全球多晶硅市场格局，确实正在经历着前所未有的变化。如果说2008年之前的全球多晶硅市场几乎处于被欧美日厂商垄断的局面，相信并不会有太大的异议。但至此之后，新兴厂商的崛起势头一浪高过一浪，不断挑战着这个市场的固有格局也是不争的事实。而在这其中，中韩厂商堪称急先锋，发展势头也最为引人关注。要说中国厂商不断加大在多晶硅领域投入原因，其实并不难理解。众所周知自2005年之后，由于无锡尚德等龙头企业的带动，中国厂商已经在全球光伏市场中占据了相当重要的位置，不过，上游原材料多晶硅的对外依存度居高不下，也是中国光伏产业发展过程中的最大“心病”。因此，自2006年开始多晶硅投资如同雨后春笋般，在中国广阔的大地上快速冒出。但对于韩国厂商竞相进入多晶硅领域的原因，似乎更值得探究。近一两年来太阳能光伏这种新兴的能源利用方式受到越来越多的国家和地区的重视，并带动终端市场的容量和范围不断扩大。而这种变化带来的直接影响就是对光伏产品的巨大需求，这同时也是以中国企业为代表的光伏制造厂商疯狂扩张产能的最直接原因，当然韩国不少企业也看到了其中的巨大商机，争先恐后地进入这一领域，OCI、三星精密化学、韩华化学、熊津集团等便是其中的代表。“在多晶硅领域布局不会被中国压制，可以取胜”，这是韩国媒体对于本国企业竞相进入这一领域的原因分析。不管这种分析是否客观，不容改变的事实是韩国多晶硅产业已经在全球光伏产业链条中占据了一席之地，而且地位仍在继续提升过程中，其中的一大表现就是韩国OCI目标直指全球第一大多晶硅供应商的位置，且有望在2013年底实现这一目标。OCI目前在全球多晶硅供应市场中的强势地位，其实可以看作是快速崛起中的韩国多晶硅产业的一个缩影。因此，探寻OCI多晶硅巨头之路的意义也就不言自明。2006年6月，尚未更名为OCI的韩国DCChemical宣布将投资2500亿韩元（2.6亿美元）建立工厂生产多晶硅，服务于半导体及太阳能电池行业，这也是首家韩国公司建立多晶硅工厂。当时该公司预计多晶硅工厂将会在2008年上半年竣工，产能将会达到3000吨每年。由此踏上在多晶硅领域的狂飙之路。2009年DC化学公司在成立50周年之际，更名为OCI公司。该公司的新名称“OCI”是指“TheOriginofChemicalInnovation，即‘化学创新的起源’之意”，涵盖了其核心价值观，创新和领导能力。公司名称的改变意味着，树立新的公司形象，新名称代表公司的基本价值观和目标。而以此为契机，OCI的多晶硅扩张之路也是不断加快。2009年7月，随着2期扩厂的完工，OCI多晶硅产能已经突破万公吨，首次来到1.05万公吨。随后OCI的扩张计划并没有停止，随着其年产量1万公吨的P3工厂与2010年12月正式启动，OCI也开始了其试行生产。随着P3工厂的两阶段薄弱环节的顺利排除（第一阶段：8000公吨；第二阶段7000公吨），2011年底总年产能将达到4.2万公吨。另外，2010年12月14日OCI公司也同时宣布，将在该公司韩国群山生产基地投资14亿美元扩增多晶硅产能，建设第四套多晶硅装置，生产能力为2万吨/年。该装置于2010年底开建，将于2012年10月建成。另外公司也将投资约2.45亿美元使其现有的第三套多晶硅装置脱瓶颈制约，扩能7000吨/年，将于2011年12月完成扩能。而进入2011年之后，OCI公司的多晶硅产能计划仍在延续。其宣布将投资1.8万亿韩元再设一座工厂生产多晶硅。该工厂坐落于全罗北道的新万金工业园区，年产能为24,000公吨。充分展示了其为了占领高纯度多晶硅市场而进行投资的决心。该工厂将于2011年下半年开始动工，预计与2013年12月竣工。P5新工厂无论是在规模还是24000公吨年产能上都算是世界上最大的多晶硅工厂；届时公司年均总产能将达到8.6万吨，并成为全球最大的多晶硅供应商。 数据来源：PV-Tech而OCI在多晶硅产能大幅提升的同时，其订单量也呈飞速发展态势，这也成为其可持续性发展的关键。特别是是在亚洲市场，由于其地缘优势的缘故，包括中国台湾地区的茂迪、绿能、中美硅晶、达能科技、友达光电等厂商已经相继与其签署了长约。而紧随其后，中国大陆地区龙头厂商英利绿色能源也成为OCI的长单用户。数据显示，目前OCI在手的长期订单总额已经近50亿美元，几乎全部来自于亚洲企业。附：OCI订单分布情况 客户 订单合约日期 金额（单位：亿美元） 英利 2012.1.1-2018.12.31 9.5 Ferrotec Corporation 2012.1.1-2018.12.31 1.088 LG Siltron Incorporated 2012.1.1-2018.12.31 1.682 尚德 2012.1.1-2018.12.31 4.29 绿能 2012.1.1-2018.12.31 5.09 达能科技  2012.1.1-2018.12.31 1.61 茂迪 2012.1.1-2018.12.31 2.81 天合光能 2012.1.1-2018.12.31 5.66 新日光 2012.1.1-2018.12.31 1.52 SKC Solmics 2012.1.1-2018.12.31 1.43 卡姆丹克 2012.1.1-2018.12.31 2.156 中美硅晶 2013.1.1-2019.12.31 3.01 友达光电 2012.1.1-2018.12.31 3.61 昱辉 2011.1.1-2015.12.31 [!--empirenews.page--]2.18 Nexolon 2011.1.1-2015.12.31 3.345数据来源：PV-Tech

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  • VLSI Research:受日本震灾后续等不确定因素影响 IC市场前景不明

    根据市场研究机构VLSIResearch的最新半导体产业分析报告，目前IC市场的状况是好坏消息各半；在截止于4月15日的当周，整体IC市场营收为47.2亿美元，较前一周减少了6%，但较一年前的同期成长8%。同时间芯片平均销售价格(ASP)较前一周下跌了5%，较一年前同期下跌4%；当周芯片出货量则为37.7亿颗，较前一周减少1%，较一年前同期增加12%。“日本震灾后续影响为供应链带来的不安、以及对终端需求的关注，让许多芯片厂商忧心忡忡；他们之中有部分已经陆续交货几次，以内存厂商为主。”VLSI的报告指出。该报告并表示：“来自PC制造商的初步数据显示，2011年第一季的PC出货量低于预期，虽然第一季原本就是淡季，但当季PC出货量还低于去年同期的水平。日本震灾与1月初英特尔(Intel)传出芯片瑕疵的问题，可能是让第一季PC市场表现不佳的原因，但这已经是PC出货量连续第三季不如预期。这样的趋势或许也意味着，平板计算机正在蚕食PC市场。”VLSI指出，IC通路的缓慢需求为产业能见度蒙上阴影，尽管DRAM与NAND闪存的合约价在4月下旬呈现上扬趋势：“这让许多贸易商与内存模块厂采取守势，他们之中有不少在日本震灾发生后将手中库存部分出清，回归现货市场以避免潜在的亏损。”DRAM现货价目前是全面下滑；NAND闪存的低容量密度组件虽然销售表现不错，但身为需求主力的高密度组件销售表现却持续低迷。同时间微处理器(MPU)市场表现平平，但该领域仍存在些许虚弱迹象。

    半导体 组件 IC LSI RESEARCH

  • 补贴力度减弱对意大利光伏市场影响有限

    日前，意大利政府的光伏补贴削减计划基本确定下来。据悉，此次意大利政府发布的最新太阳能法规草案将为光伏补贴设限，每年补贴60——70亿欧元，该补贴会一直持续到2016年年底，预计届时装机容量约为23GW。今年以来，意大利政府下调光伏上网电价补贴的举动受到了世界太阳能光伏产业界的极大关注。中投顾问高级研究员李胜茂指出，意大利最新太阳能光伏产业政策的精神主要有两点：一是政府采取逐步削减光伏补贴上网电价的措施，让相关投资者对光伏电站的投资更加理性；二是采取区别对待的思路，对在屋顶安装的小型光伏发电系统的补贴依旧慷慨，而大型商业光伏电站系统将被设定年度补贴上限。总的来说，此次意大利出台新太阳能法规的目的就是想利用削减补贴和总量控制的办法来实现国内光伏产业由之前的迅猛增长转变为平稳增长。从意大利太阳能光伏产业政策的走向来看，未来几年意大利光伏市场仍将对投资者具有较强的吸引力。一方面，由于意大利国内光伏电站装机容量并不是太大，这也决定了其不可能设置比较苛刻的安装上限。根据此次意大利政府给出的补贴资金上限来预测，2011年6月—2016年能享受到补贴的光伏发电站装机容量上限为23GW，年均4.2GW，应该说在这个补贴上限内，广大投资者依然大有可为。另一方面，从补贴下调后的投资回报率上来看，在意大利投资光伏电站项目的收益依然可观。意大利是一个实行高电价的国家，并且太阳能光伏产业的技术进步非常快，光伏发电的度电成本呈逐年下降的趋势，这就使得即使在光伏上网电价补贴下降后，相关投资者也能从意大利光伏市场获得较高的投资回报率。李胜茂认为，太阳能光伏发电的度电成本很有可能会在未来5年内达到平价上网的水平，所以意大利政府的上述调控政策也将渐渐失去效力，目前这一观点得到了越来越多的投资者认可，这也让此次意大利政府公布阶段性下调光伏上网电价补贴后，并未出现类似德国那样的大规模“抢装”行情。中投顾问研究总监张砚霖指出，目前许多欧洲国家都采取下调光伏上网电价的措施来抑制光伏产业的过快增长，这样一方面可以减轻政府的财政负担；另一方面可以使这些国家的太阳能光伏产业在获得合理投资回报率的前提下实现平稳理性增长，避免了泡沫的产生。但是随着太阳能光伏产业发展水平的提升，现行大部分产业政策的影响将会越来越小。

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  • 越南将投资3.9亿美元建太阳能电池厂

    东洋工业和能源责任有限公司（越南全资公司）将于今年5月中旬正式动工兴建太阳能电池生产厂。该厂年生产能力相当于120MW。初始阶段，生产能力相当于30MW，之后扩大到90MW。该厂产品全部包销出口到香港，出口总值约为6000万美元/30MW。

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  • 加强二手半导体设备市场服务能力 美国BSE集团收购 Asia Tech Corporation b

    BostonSemiEquipmentLLC(BSEGroup)宣布，该公司已收购AsiaTechCorporation的资产，并成立新子公司BSETechLLC(BSETech)。未来BSETech将致力于提供二手前段半导体制造设备、零组备件、技术能力和财务解决方案的全面组合。新成立的BSETechLLC(BSETech)总部位于亚利桑那州坦普，定位为二手前段半导体制造设备的全球供货商。BSETech购买、重新配置、赊销和销售广泛的前端晶圆制造设备，涵盖所有品牌、模型和厂商。该公司还提供来自所有主要原始设备制造商的备件和泵体以及第三方制造产品。BSEGroup表示，成立新的子公司后，将能对全球半导体厂提供在购入全新以及二手前段半导体设备的所有品牌和模型提供出租、出售、重新定位和服务。BSETech已经在亚利桑那州坦普签署协议长期租赁75,000平方英尺的设施，较AsiaTech原有设施面积扩大了一倍。新的此地点还将拥有15,000平方英尺的无尘室，目前正在建构中。AsiaTech总裁FrancisColligan将加入BSETech担任副总裁。AsiaTech的全体员工现在成为BSETech的一部分。

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