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EUV光刻技术或助力芯片突破摩尔定律
据美国科技博客Business Insider报道，在近50年的科技发展中，技术变革的速度一直遵循着摩尔定律。一次又一次的质疑声中，英特尔坚定不移地延续着摩尔定律的魔力。摩尔定律是由英特尔联合创始人GordonMoore提出，内容
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英特尔CEO：EUV光刻技术或助力芯片突破摩尔定律
据美国科技博客BusinessInsider报道，在近50年的科技发展中，技术变革的速度一直遵循着摩尔定律。一次又一次的质疑声中，英特尔坚定不移地延续着摩尔定律的魔力。摩尔定律是由英特尔联合创始人Gordon Moore提出，内容
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英特尔CEO：EUV光刻技术或助力芯片突破摩尔定律
北京时间10月31日消息，据美国科技博客BusinessInsider报道，在近50年的科技发展中，技术变革的速度一直遵循着摩尔定律。一次又一次的质疑声中，英特尔坚定不移地延续着摩尔定律的魔力。摩尔定律是由英特尔联合创始人
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莫大康：缩小半导体工艺尺寸能走多远？
缩小半导体工艺尺寸能走多远?推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且
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莫大康：缩小半导体工艺尺寸能走多远？
推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且仍是英特尔挑起大樑。尽管摩
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莫大康：缩小半导体工艺尺寸能走多远？
缩小半导体工艺尺寸能走多远? 推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异
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Molecular Imprints 开发出 J-FIL 压印光刻技术
-- Molecular Imprints J-FIL 技术展现生产高性能线栅偏振片的能力 此类偏振片可以被用于平板显示器 --规格不超过50纳米的大面积线栅偏振片将能提高平板显示器的分辨率，降低耗电量和成本 德克萨斯州奥斯汀
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MII开发J-FIL压印光刻技术用于平板显示器
纳米图案成形系统与解决方案的市场与技术领导者 Molecular Imprints， Inc.(简称 MII)今天宣布，该公司开发出了一种可以轻松应用于显示器行业的轴承式 Jet and Flash® 压印光刻(简称 J-FIL® )技术和工艺。
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市场抉择极限 14nm制程是半导体业难以跨越的坎？
依照摩尔定律，全球半导体的工艺制程技术平均每两年进入一个新世代。从理性分析来看，业界都认为半导体业迟早会遇到技术上无法克服的物理极限，有人说是10nm，也有人说是7nm甚至是5nm。极限在哪里，最终将由市场做出
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14nm制程是半导体业难以跨越的坎？
业界都认为半导体业迟早会遇到技术上无法克服的物理极限，有人说是10nm，也有人说是7nm甚至是5nm。极限在哪里，最终将由市场做出选择依照摩尔定律，全球半导体的工艺制程技术平均每两年进入一个新世代。从理性分析来
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14nm制程是半导体业难以跨越的坎？
业界都认为半导体业迟早会遇到技术上无法克服的物理极限，有人说是10nm，也有人说是7nm甚至是5nm。极限在哪里，最终将由市场做出选择 依照摩尔定律，全球半导体的工艺制程技术平均每两年进入一个新世代。从理性分
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Rolith和SUSS MicroTec宣布安装第2代纳米光刻工具
2013年3月7日，高级纳米结构涂层和设备研发企业Rolith, Inc.宣布成功安装 由Rolith, Inc. 独家授权SUSS MicroTec AG建造的第 2 代纳米结构原型工具 – RML-2 工具。此原型基于 Rolith, Inc. 开发的具有颠覆性的纳米光
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台积电已同意向芯片制造设备商ASML投资11亿欧元
台积电已同意向全球最大的芯片制造设备厂商ASML投资11亿欧元(约合14亿美元)，以确保获得未来最新的芯片制造技术。英特尔也是ASML的投资方之一。ASML在一份公告中表示，台积电将以8.38亿美元的价格收购ASML的5%股份，
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英特尔公司投资41亿美元促进EUV光刻技术的研发
据英国《自然》杂志网站7月25日（北京时间）报道，芯片制造商英特尔公司表示，将向总部设在荷兰的半导体设备制造商阿斯麦投资41亿美元，其中10亿美元专门用于极紫外线（EUV）光刻技术的研发，新技术有望让晶体管的大
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Intel注资41亿美元推动ASML450mm平台及EUV相关技术研发
为了加快在450mm技术和EUV光刻技术方面的发展速度，Intel公司最近与设备厂商ASML公司达成了一揽子总合作金额高达41亿美元的协议。作为协议的一部分，Intel将首先购买总值约21亿美元的ASML股票，将来为配合ASML公司为
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EUV技术差距甚远 芯片厂商陷入两难
长久以来看好可作为芯片制造业的下一大步── 超紫外光(EUV)光刻技术事实上还未能准备好成为主流技术。这意味着急于利用EUV制造技术的全球芯片制造商们正面临着一个可怕的前景──他们必须使用较以往更复杂且昂贵的技
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下一代光刻技术延迟 NAND成长或趋缓
在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可
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后ArF时代的光刻征途
Cost matters。用中国话说就是“成本猛于虎”。 半导体业人士最大的梦想莫过于以最小的成本投入换取最大的回报。因此，按比例缩小、在单片晶圆上制造出更多的芯片是创新最强大的驱动力，它影响着成千上万的工程师
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随笔：EUV光刻技术与协和式超音速客机的奇妙类比
与我们熟悉的摩尔定律类似，如果采样对比的时间长度足够短，那么几乎任何科技发展的速度都会呈现出一种对数级的线性增长。有些业内人士总是喜欢将其所在业界的发展历史趋势总结为与摩尔定律类似的形式，希望业界的未
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MIT实现9纳米工艺电子束光刻技术
麻省理工学院 (MIT)的研究人员表示，已经开发出一种技术，可望提升在芯片上写入图案的高速电子束光刻解析度，甚至可达9nm，远小于原先所预期的尺寸。MIT表示，电子束光刻工具的最小特征尺寸已证实可以解决25nm的制程
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