内存
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英特尔CTO介绍英特尔实验室推进的四大研发项目
英特尔CTO介绍英特尔实验室推进的四大研发项目
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内存疯闪存喷 存储业界涨势深度分析
9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已
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茂德努力与尔必达、台湾创新内存合作
美林证券最新出炉的报告，茂德股价惨跌，技术迟迟没有更新，目前正致力于重整，管理高层表示，内部将研发72纳米的技术来制作 1GB，采用日本内存芯片大厂尔必达(Elpida) 65纳米的技术，但是这项协议还在洽谈之中，目前
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三星看好PCM内存潜力 有望取代NAND和NOR闪存
三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式. 多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段.PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排
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矽品9月营收近60亿 2年新高
封测大厂硅品（2325）昨（5）日公布9月营收达59.78亿元，创下近2年来新高，第三季营收约167.32亿元，较第二季增加约18.4％，高于 市场普遍预估的季增15％。至于测试大厂京元电昨日公布9月营收达11.05亿元创下今年新高
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爱德万推T5503测试系统
爱德万测试于今年年中发表最新的高速内存测试机T5503扩充架构，以256颗DDR3内存之同测技术领先业界，两倍于前一款机型，此款扩充架构机型，配合T5503 8448 Channels之测试头，现已开始出货。 爱德万表示，未来高质
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三星开始量产60nm工艺的512Mbit PRAM
韩国三星电子（Samsung Electronics）开始量产新一代非易失性内存PRAM（Phase Change RAM）。此次量产的是采用60nm左右工艺的512Mbit产品。主要面向智能手机等便携产品。 通过配备PRAM，除了可将便携产品的电池寿命
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中芯国际在65纳米和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP嵌入式非挥发性内存硅智财解决方案
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">2009年9月25日，嵌入式非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）的领先供货商 -- Kilopass 科技公司 (Kilopass Technology
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未来五年数字电源市场增长45.3%，微控制器PID-内存设计为主导
过去五年来，数字电源技术一直处于电源市场的中心。许多非凡的进步都发生在这段时间，包括功率级集成、数字电路与模拟相混合以及PMBus 和I2C形式的总线通信能力。同时也存在一些障碍，比如有关PMBus的诉讼、用户友好
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尔必达内存转守为攻 结成日台联盟加速技术开发
日本大型DRAM厂商尔必达内存（Elpida Memory）强势出击DRAM市场。除了接手已经破产的德国奇梦达（Qimonda AG）的图形DRAM业务，涉足该市场外，还计划与台湾DRAM厂商合作以加速低价位DRAM的开发。在大容量低功耗的高端
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嵌入式软件安全设计理念
嵌入式软件安全设计理念
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面向工业电脑与嵌入式系统的节电长效内存
面向工业电脑与嵌入式系统的节电长效内存
