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数智泰克，创赢未来，泰克助力第四次工业革命再出发

中国北京2021年6月16日——泰克科技2021年度创新论坛（TIF 2021）将于6月16日-6月18日从北京开启，随后将进一步延展到上海、西安等。TIF助力第四次工业革命，旨在“破-技术瓶颈、创-科技引擎、智-产业升级”，不忘初心，立足本土以及着力于全面数字化转型，分享业界最新的发展趋势和最前沿的测试方案。第四次工业革命内涵甚广，涉及数字、物理、生物等领域，产业包括人工智能、物联网、无人驾驶汽车、增强现实技术与虚拟现实技术、基因编辑等生物技术、纳米技术等等。目前，我们仍处于第四次工业革命的开端。泰克2021创新科技论坛聚焦数据中心、半导体设计、芯片制造、基础材料研究和新能源产业发展，突破基础学科技术瓶颈，打造强劲科技引擎，拉动全社会产业升级，届时各领域顶级专家将为大家分享业界最新的发展趋势和最前沿的测试方案。此次峰会正值泰克75周年庆典之际，围绕【数智泰克创赢未来】的宗旨，泰克除了中国本土化战略发布，更会揭秘中国特色的测试方案，包括全新电力电子实验平台的呈现、三代功率器件动态测试系统、PCIE5和USB4.0高速总线测试、新型计算框架及神经元忆阻器表征测试、宽禁带半导体方案等热门应用的展示以及独家解读。现场更有拥有多年经验、来自不同热门应用领域的专家将围绕主题分享课程方案、更有神秘专家新书首发强势来袭！ 75年磨砺，树测试行业新风向 2021年泰克创新论坛上，泰克将在线上请来重量级的行业专家，来自于美国NASA的前宇航员及工程师Daniel Tani与泰克科技总裁Tami巅峰对话，让工程师们可以站在巨人的肩膀上看的更高更远。与我们的领域专家会面，重新了解最新的行业趋势和洞察，学习创新的技术和应用，亲身体验引领前沿的应用！其中包含三代功率器件动态测试系统、全新光隔离探头、电力电子实验平台、泰克/安立PCIE 5.0联合解决方案助力下一代高速通信接口测试、新型计算框架及忆阻器、神经元网络测试方案等。虽然应用三代功率器件使得减少重量、缩小体积，提升效率成为可能，但是给研发工程师带来了全新的测试挑战，传统的测试工具因其高频，高共模，高压等特性已经不能满足测试要求，泰克推出针对第三代功率器件全新的光隔离技术的测试系统，再一次推动探测技术的进步。泰克忆阻器/神经元网络测试系统基于本土创新的宗旨，同时提供忆阻器直流性能、交流性能、脉冲性能及高速脉冲性能测试；多种不同的配置方案，满足不同的客户需求；内置忆阻器性能测试、阻变动力学测试功能，可根据客户需求，定制开发特殊功能；提供阵列测试功能，业内领先客户所采用。超级实验室揭秘及大咖面对面一场电源技术的盛宴，趋势，热点，机遇，挑战尽在其中，邀请国际知名功率半导体公司Cree专家与泰克测试专家线上分享，此外，还邀请国内知名功率器件生产厂家、第三代测试系统提供商、国内知名电源公司技术专家（泰科天润应用测试中心主任高远、北京新雷能上海分公司总工杨宏、忱芯科技总经理毛赛君），将与线上朋友面对面对话，让宽禁带技术不再神秘，让您更早一步进入电源技术的革新，泰克为您打造交流平台，从迷惑到明朗，从听说到眼见为实，从犹豫到充满信心，这里有您想了解的全部。业界大咖共话三代半导体，解读三代半导体优势、应用以及未来。同时揭开了泰克超级实验室的神秘面纱，泰克最新的超级实验室分为三大板块，技术交流区，讨论行业最新技术及标准，交流测试方法及工具；热门应用展示区，定期更新最新应用的测试方案，让您提前了解最新技术；远程互动区，三方或多方连线，工程师和其主管及泰克或其他技术专家连线，实时互动解决问题。零距离体验名校微电子公开课西安电子科技大学微电子学院作为国家一级学科和为国家培养微电子人才的领军者，一直致力于助力中国微电子产业的创新升级和人才培养，并为此设计了一系列创新型实验教学课，采用业界先进的测试设备和方案，建立了示范性微电子实践育人平台。 6月18日西电将带您走进一堂与众不同的微电子实验公开课！西安电子科技大学国家级集成电路实验教学示范中心专家让你零距离体验现代化微电子教学课程，连线教育和产业界同仁共探微电子教学新模式，在创新实验室直播课程中，体验沉浸式的线上课程。其中涉及的MOSFET工艺测试课程，更将解读如何使用源表进行MOSFET的特征曲线提取和参数测试晶体管特征频率测试演示。不忘初心、立足本土，加速全面数字化转型，泰克助力第四次工业革命再出发。凭借多项行业领航，泰克拥有永不止步的创新基因，我们会一如既往的引领客户找到更快、更智能、更准确的方式应对新技术创新及应用的挑战。关于泰克科技泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市，致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案，解决各种问题，释放洞察力，推动创新能力。70多年来，泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅，敬请登录：tek.com.cn

时间：2021-06-16 关键词： AI 半导体功率器件泰克科技
缓解汽车电子市场“缺芯”问题，Renesas、Melexis、荣湃半导体等电子大厂集中发布新品

中汽协最新数据显示，2021年4月，我国新能源汽车销量为20.6万辆，同比增长180.3%。中汽协还推断：芯片短缺问题在二季度的影响将大于一季度。面对蓬勃发展的新能源汽车市场以及且持续扩大的缺芯问题，中汽协副秘书长陈士华依旧维持其对于全年新能源汽车市场180万辆的销量预判。不难看出，缺芯已成了影响新能源汽车市场全年销量结果的重要因素之一。当下，更多的产品以及更优的解决方案可以给到汽车电子市场更多选择，成为有效缓解缺芯问题的的方式之一。 5月28日，Renesas、Melexis、Littelfuse、Parker Chomerics、Aavid、MTA、Eaton Bussmann、芯力特、中科微、荣湃半导体等汽车电子大厂将聚集在世强硬创新产品研讨会汽车电子专场，发布其全新产品，包括SoC/MCU主控芯片、存储、电机驱动、功率器件、接口芯片、保护器件、电源管理、散热&EMI材料、开关、连接器等。Melexis将推出新一代车规级电机驱动器; Renesas将分享算力高至7TOPS的自动驾驶R-Car SOC;硕凯将带来其国产首家8KW贴片新型封装TVS;杭州中科微将推荐其全面支持北斗3号卫星的导航定位模块;泰科天润将展示国内首家AEC-Q101认证的SiC器件……多品类新产品为智能驾驶、电动汽车、车联网、BMS、人机交互、虚拟化智能驾驶舱技术、硬件隔离驾驶舱方案、车身、底盘与动力等热门应用提供了更多选择。另外，原厂技术专家还将分享新一代车规、高集成度、低成本、BLDC解决方案，适用于新能源及自动驾驶的热管理系统、执行器控制系统。目前汽车电子专场新产品研讨会报名工作已启动，可前往官网获取研讨会详细信息并免费报名。

时间：2021-05-22 关键词：新能源汽车接口芯片功率器件
华润微电子亮相慕尼黑上海电子展

2021年4月14日-16日，2021年慕尼黑上海电子展如期而至，本届展会规模扩大一倍，汇聚了超过1100家国内外优质电子企业，数万名电子从业者”慕“名而来。功率半导体龙头企业华润微(股票代码688396)精彩亮相慕展，重磅展示自主研发的功率器件、功率IC、传感器、第三代半导体等产品以及相关系统方案平台，展现了华润微在功率半导体领域齐全的产品系列、丰富的终端应用与领先的技术实力。华润微电子聚焦功率半导体、智能传感器和智能控制领域，产品聚焦电源、电池、电机“三电”应用领域、物联网和大健康等应用也同期有新产品推出，展会上公司产品和终端应用交互展示，配置专门的系统方案展示区，增设互动体验。 IGBT产品线重点展出IGBT 600V、1200V 系列Trench FS结构的IGBT单管及模块产品。 MOSFET产品线重点展出高压产品SJ MOSFET 、低压SGT MOSFET，公司MOSFET产品线在工控、汽车电子等应用领域持续获得突破。公司650V、1200V工业级SiC二极管，于去年7月慕尼黑电子展正式发布，产品主要应用领域：充电基础设施、电动汽车、太阳能光伏、轨道、电源领域等，此次展会第三代半导体吸引了很多客户和投资人的关注。在物联网、大健康、消防等领域，传感器产品发挥着重要的作用，公司传感器产品包括MEMS压力传感器、MEMS温湿度传感器、烟雾检测传感器、光电传感器等，客户可以根据不同的应用需求进行产品选型。公司合封模块产品、IPM模块产品实现功率集成创新、稳定上量供货，展会上也是客户咨询的重点。电源三相全桥MOS模块方案：具有体积小，插件简便，生产效率高的特点，6管合封，晶圆一致性高，主要应用于电动自行车。锂电控制器集成系统演示平台：BMS和控制器集成，成本低，集成度高，二者数据与状态获取更直接。园林演示平台：包括驱动电机、锂离子动力电池组、园林控制器、BMS保护板，具有体积小、转矩特性优异，效率高、可靠性高的特点，适用于多种园林工具机型。慕尼黑展会以半导体、传感器、连接器和电源等作为核心，已成为带领未来电子科技的创新平台。展会上，华润微与业界同仁共同见证全球电子产业发展趋势，通过展会交流，进一步了解客户和市场对产品的需求，华润微作为国内功率半导体龙头企业，将持续加大研发投入，为客户提供系列化的半导体产品与服务，矢志成为世界领先的功率半导体和智能传感器产品与方案供应商。

时间：2021-04-19 关键词：慕尼黑上海电子展功率IC 功率器件
工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌莅临士兰微电子调研

3月18日下午，工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌在浙江调研期间，在浙江省经济和信息化厅一级巡视员凌云和杭州市副市长、钱塘新区党工委书记柯吉欣等的陪同下，专程来到士兰微电子调研。公司董事长陈向东、副总裁黄丽珍出席接待。辛部长饶有兴致的参观了公司的展品和8英寸车间，了解了8英寸的产品和生产情况。陈董向辛部长一行着重汇报了公司在高压高功率特色工艺的集成电路、功率器件和MEMS传感器、汽车芯片等产品的研发情况。辛部长对公司的发展成绩及技术研发表示了肯定，鼓励企业争取突破“卡脖子”技术，把芯片产业做强做大;以自主创新为本，保持恒心、练好内功，努力打造技术强、基础牢、产品精、标准高、品牌强的一流企业。

时间：2021-04-18 关键词：集成电路 MEMS传感器功率器件
芯派科技采用是德科技功率器件测试解决方案，加速推进第三代宽禁带发展

2021年4月16日，中国北京——是德科技公司日前宣布，芯派科技采用了是德科技的功率器件动态参数测试解决方案，二者将共同为促进第三代半导体产业发展做出努力。是德科技是一家领先的技术公司，致力于帮助企业、服务提供商和政府客户加速创新，创造一个安全互联的世界。芯派科技的功率器件测试应用中心是目前国内针对功率器件测试能力完备的检测中心，获得了国家CNAS &国际ILAC认可，具备第三方检测资质，肩负着推进国产第三代半导体行业发展的重任。通过是德科技动态测试系统的引入，测试应用中心具备了更加完善的第三代半导体器件(如碳化硅、氮化镓)的测试平台，保证器件的性能指标，以期将性能最佳的产品以最快最可靠的方式推向市场，为国内众多客户提供检测与验证等服务。是德科技汽车与能源解决方案业务副总裁兼总经理Thomas Goetzl表示：“是德科技一直致力于为创新技术提供业界领先的测试解决方案，我们很高兴看到在半导体领域有芯派科技这样的公司能和我们合作，共同推动第三代半导体产业的发展, 是德科技将不断地推陈出新，跟随时代科技浪潮，为客户提供强而有力的测试工具。” 是德科技功率器件动态测试方案是德科技功率器件静态测试方案是德科技可以提供完整的功率器件解决方案，包括静态参数，动态参数，S参数等测试系统，以及器件建模，电力电子线路仿真等全面的软件支持。特别是这次发布的PD1500A功率器件动态参数测试系统，以低至3nH的主功率回路寄生电感，完全可以满足最快速度GaN功率器件严苛的测试要求，针对功率器件动态参数提供值得信赖的、可重复的、高精度的测试结果。芯派科技总裁罗义先生表示：“西安功率器件测试应用中心成立10年来，是德科技为我们提供了有效和持续的技术支持。在第三代半导体的测试上，从最初的测试系统到现在最新的动态测试系统，是德科技进一步提高和完善测试系统，协助我们对第三代半导体测试的研究有了进一步的提高和增强。芯派科技通过与国际一流的设备供应商是德科技的联合，会更好地促进我们对第三代半导体器件的了解和研究，同时也为第三代半导体在新能源汽车等领域的应用研究创建了一个更好的平台，共同为第三代半导体研究贡献自己的力量。”

时间：2021-04-16 关键词：是德科技宽禁带功率器件
IGBT原来是这么玩的！

1 多子与少子器件传统的功率器件根据主要导电载流子一般分为多子和少子器件，少子器件主要包括二极管，BJT，晶闸管，GTO等，这些器件导通的时候电流至少经过一个PN节，并且电子和空穴同时导电，其都是进入对应的PN区的少数载流子，最终形成电流。多子器件主要有MOSFET，肖特基二极管等，这些器件都是半导体中的多数载流子导电，且一般只有一种载流子导电。两者的区别如下 : 1）多子器件主要靠多数载流子导电，而少子器件主要是靠电子和空穴同时导电。 2）多子器件相对少子器件开关速度要快，因为少子器件的PN节存在载流子的积累和清除过程,相当于不仅要对势垒电容充放电还需要跟扩散电容充放电。 3）少子器件其管压降是负温度系数，温度越高其漏电流也越大；而多子导通压降为正温度系数，温度升高使得N型(或者P型)半导体中的粒子运动频率加快，从而阻力加大，压降升高。所以少子器件不利于并联，而多子器件更适合并联，原因如下: 2 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管就是我们常说的IGBT，可以说它是MOSFET的高压改进版本，MOSFET在低压情况下性能能表现得非常得优秀，但高压下导通压降太高，损耗也就会太大。为什么压降太大呢？上面标注的PN节压降区由于需要承受较大的电压，所以其右侧的N区需要做得较大，且掺杂浓度也更高，压降就越大。因此高压MOSFET通过的电流一般都不能太大。为了解决MOSFET高压情况下电流不能太大的问题，就有了IGBT。 IGBT仅仅只是在MOSFET的右侧增加了一个P区，刚好右侧PN形成了一个正向PN节，所以一旦出现沟道其可以直接导通。但是新增的PN节怎么就降低MOSFET压降了呢？根据电导调制效应，右侧PN节正偏会导致P中大量空穴向N中移动，使得右侧N中的空穴浓度大大提高，导通压降也会降低，电阻降低，这样就获得耐压高，压降低的性能特点。导通和关闭过程都是由等效MOSFET部分来控制，而等效PNP三极管只是通过电导调制效应来降低电阻率。但是这样的结构在关断的过程中还是存在PN节的释放扩散区载流子的过程，所以会带来电流的拖尾现象，当然损耗相对MOSFET也会升高。说到底IGBT是一种MOSFET与BJT的复合器件，都通过牺牲一部分各自的优势来进行互补，从而得到了一种更性能综合的器件。 3 小节最后MOSFET一般工作频率在50KHz以上，而IGBT一般只能在20KHz以下，所以IGBT的PN节限制了其速度，同时也降低了压降，能够在高压下通过更大的电流。 IGBT也是压控器件，不过1KW一下一般还是选MOSFET，2MW一下首选IGBT，更高的话就选择IGCT和IECT等。

时间：2021-04-12 关键词： IGBT 少子器件功率器件
芯科、罗姆等携功率器件全品类最新的产品及技术，齐聚世强硬创新产品研讨会

3月26日上午，Silicon Labs、罗姆、瑞萨、力特等国内外知名品牌齐聚世强硬创新产品研讨会功率器件专场，发布功率器件全品类最新的产品及技术，产品涵盖隔离驱动、光耦、功率电感、MOSFET、IGBT模块等，上千名实名认证工程师在线观看并与技术专家实时互动。研讨会上，罗姆的技术专家带来业界唯一带报错模式鉴别功能的新一代IPM，可以很容易区分错误来源，整个产品系列从10-30A都有覆盖;Silicon Labs则推出了隔离驱动器SI823HX产品，最大传输延时30ns，4A灌/拉电流驱动能力表现优异;瑞萨推荐了其业界最小8.2毫米爬电比距光电耦合器，提供8.2mm的爬电距离、2.5mm的封装宽度，和2.1mm的封装高度，均采用LSSOP封装，引脚间距为1.30mm,几款光电耦合器均提供5000 Vrms的增强隔离和高温操作，以承受恶劣的工作环境;Vincotech旗下的新型Flow S3封装IGBT模块，专为1500V光伏逆变器设计，具有业界最大的陶瓷基板，相比传统升压模块，可以设计出更紧凑，更轻量化，更高功率密度的系统。目前，世强硬创新产品研讨会已成功举办了16场，吸引了来自华为、中兴、TCL、大疆、百度、比亚迪、海信等知名企业的实名认证工程师参与，场均实名认证工程师超过1000人，为各领域的研究提供了广阔的交流平台。据悉，世强硬创电商将在4月举办三场新产品研讨会，分别为时钟专场、主控器件+存储专场、工业及IIOT专场，会议邀请到Silicon Labs、Epson、Renesas、ROHM、TE等全球知名品牌在线发布新产品新技术，敬请关注。用户可前往世强官网获取功率器件专场所有讲义和视频资料。

时间：2021-04-01 关键词：罗姆芯科功率器件
你知道现在常见的功率器件的保护方法有哪些吗?

人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如功率器件。那么你知道常见的功率器件的保护方法有哪些吗? 一、保险丝法这是一种传统的保护方法。保险丝通常串联连接在电路的电源输入端，以控制整个电路的总电流。其工作原理是在电路无法使保险丝自行加热并熔化后，依靠增加的流过保险丝的故障电流来切断电源，以达到保护的目的。该保险丝方法具有实施简单，易于维护，成本低廉，保护过程中完全切断电源的优点，因此被广泛应用于目前的所有电子电路和电子设备中。但是，由于保险丝是电路的总电流，因此单个功率半导体器件的工作电流的变化不足以引起其有效响应。此外，仅当功率半导体器件损坏或电路中发生恶性短路故障时，保险丝熔化速度才较慢。故障电流成倍增加后，它将融合。因此，它只能起到防止故障进一步扩大的作用，而不能保护功率半导体器件。二、检测主电路电流法该方法是将检测元件(检测电阻，变压器等)串联连接在主电路电源的输入端，并通过检测中总电流的电压降或电流幅值获得相应的电流或电压信号。电路在检测元件上，然后将电路放大。与保护电路的动作阈值进行比较，决定是否进行保护; 通过保险丝或切断电源等方法来实现保护。由于使用了电子技术，与保险丝方法相比，该保护方法具有更高的灵敏度和响应速度。但是，这种方法仍然可以检测电路的总电流，而故障功率半导体器件的工作电流仅为总电流的几分钟。十分之一甚至十分之一的变化不足以引起保护电路的有效响应。三、检测功率器件工作电流法这是功率半导体器件较为常用的保护方法，对功率半导体器件具有一定的保护作用。此方法是在受保护的功率半导体器件的工作电流路径中串接一个检测元件(电阻或电流互感器等)，并通过在检测元件上检测受保护器件的工作电流来获得电流或电压信号，然后处理电路。故障信号由保险丝或关闭电源保护。功率器件工作电流检测方法的工作原理和电路结构与主电路电流检测方法相同。区别在于检测对象是被保护设备的工作电流，因此其灵敏度要高于主电路电流检测方法的灵敏度，效果也更好。如果该方法使用电子设备切断电流路径以实现保护，则在管中发生过电流故障后可以起到保护作用。四、并联式检测功率器件电压法顾名思义，该方法是将保护电路与被保护功率器件并联，通过检测被保护器件工作时的电压来获得信号。根据电压情况，判断电路是否有故障。保护方式采用原地保护方式，即通过强制切断被保护功率设备本身的控制信号，迫使其停止工作来实现其保护。 (检测被保护设备的电压并直接保护被保护设备)，因为这种方法检测到电压信号，所以在电路异常时可以立即发现故障，并在故障电流尚未形成时进行保护，从而避免了故障电流对设备的影响。五、并联式检测工作压降法由于功率半导体器件本身的导通电阻，在任何情况下过载或过电流都将导致其饱和电压降或工作电压降增加，也就是说，无论半导体器件的工作状态如何，器件本身都将处于导通状态。有一个相应的工作电压降值; 通过监视和监视功率半导体器件导通时的电压降，可以根据电压降的大小来判断过电流和过载情况以及程度。该方法的工作原理和连接方法与并联功率器件工作状态电压检测方法相同，因此还具有并联检测功率半导体器件工作状态电压检测方法的所有优点。区别在于该方法量化了被保护设备检测的工作电压，因此工作状态的测量和故障的判断更加准确。本文只能带领大家对功率器件有了初步的了解，对大家入门会有一定的帮助，同时需要不断总结，这样才能提高专业技能，也欢迎大家来讨论文章的一些知识点。

时间：2021-03-21 关键词：电阻电流功率器件
Silicon Labs、瑞萨、罗姆等将汇聚世强硬创新产品研讨会，发布功率器件全品类最新产品和技术

去年年底，受上游晶圆供应紧缺情况的持续影响，国内外多家金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)厂商发布涨价通知，产品供不应求，无法满足国内迅速爆发的市场需求。在此背景下，3月26日，Silicon Labs、瑞萨、罗姆、EPC等17家国内外知名厂牌将携新产品新技术联合参加世强硬创新产品研讨会功率器件专场。会议将集中发布功率器件全品类最新的产品及技术，涵盖隔离驱动、光耦、功率电感、MOSFET、IGBT模块、二极管、GaN FET、IGBT数字驱动器、SiC MOSFET、功率保护器件等，同时还将发布最新的功率技术和功率散热解决方案，提高客户产品的效率和功率密度，降低功率器件的损耗，解决热管理问题。此外，世强硬创新产品研讨会功率器件专场还将在今年8月再次举办，除功率器件专场外，2021年还将举办ICT、散热材料&仿真服务、工业及IIOT、主控器件+存储、时钟、汽车电子、机电部件、传感器、电源管理、连接器、IOT及消费电子专场，敬请关注。目前3月功率器件专场报名通道已开通，用户可前往官网报名参会。

时间：2021-03-09 关键词： MOSFET 世强硬创功率器件
2019年全球IGBT分类产品市场营业额及主要供应商排名

2020年受到疫情影响，8寸晶圆外延片延期交货，产能紧缺，而下游需求旺盛，近期8寸晶圆线代工厂纷纷上调价格。功率器件生产主要使用8寸晶圆，由于受到产能的限制，2020年功率器件的市场供给仍然处于紧张的状态。 IHS及其他的一些全球著名市场研究机构，在其年度市场调研报告中，列出了全球及中国区市场的功率IGBT主要供应商排名，包括IGBT分立器件市场营业额及主要供应商排名、IGBT IPM市场营业额及主要供应商排名以及IGBT STD+PIM+CIB Modules市场营业额及主要供应商排名。以下相关信息及数据来源于网上公开的一些公司的网站信息、行业信息和行业报告查找及整理。 2019年全球分立IGBT主要供应商排名： 2019年全球IGBT IPMs主要供应商排名： 2019年全球IGBT STD+PIM+ CIB Modules主要供应商排名： * CIB: Converter Inverter Brake PIM: Power Integrated Modules 免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2020-12-21 关键词：半导体功率器件
中国半导体功率器件十强企业——长晶科技授权世强硬创电商为官方一级代理商

作为全球知名的集成电路封装测试企业长晶科技(JSCJ)授权世强硬创电商为官方一级代理商，后者全线代理其频率器件、二极管、MOSFET等产品。长晶科技(JSCJ)主营分立器件，功率器件，频率器件，电源管理IC，汽车电子的产品，拥有15000多个产品系列和型号，产品广泛应用于消费类及工业类电子领域，同时公司也为汽车电子领域提供专业化产品及服务。今年8月，中国半导体行业协会正式发布了“2019年中国半导体功率器件十强企业”榜单，长晶科技(JSCJ)位列其中。据悉，长晶科技(JSCJ)是世强硬创电商签约的第233家供应商，目前品牌频率器件/二极管/晶体管/MOSFET/IC产品/复合管/可控硅产品资料和相关资讯已全面上线平台，支持免费样品申请，同时保证最具竞争力的价格，用户可登录世强硬创电商官网了解详情。

时间：2020-11-25 关键词：长晶科技半导体功率器件
降低设备总体功率损耗的型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件

在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的**，那么接下来让小编带领大家一起学习高压智能功率器件。东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件(IPD)。该器件采用小型表面贴装封装，设计用于空调、空气净化器和泵等产品中的电机驱动。并计划于今日开始出货。所谓智能功率器件，就是把功率器件与传感器、检测和控制电路、保护电路及故障自诊断电路等集成为一体并具有功率输出能力的新型器件。 TPD4162F采用新工艺制造，与东芝当前的IPD产品TPD4152F相比可降低功率损耗约10%[1]。这有助于为集成该器件的设备降低总体功率损耗。智能功率器件具有体积小、重量轻、性能好、抗骚扰能力强、使用寿命长等显著优点，可广泛用于单片机测控系统、变频调速器、电力电子设备、家用电器等领域。 TPD4162F具有各种控制电路[2]、输出级安装了IGBT和FRD。其支持从霍尔传感器或者霍尔IC直接驱动带方波输入信号的无刷直流电机，无需PWM控制器IC。与此同时，其各种内置保护电路[3]还减少了外围电路。此外，采用小型表面贴装封装HSSOP31也有助于缩小电机控制电路板的尺寸和高度。相信通过阅读上面的内容，大家对高压智能功率器件有了初步的了解，同时也希望大家在学习过程中，做好总结，这样才能不断提升自己的设计水平。

时间：2020-11-15 关键词：电机东芝功率器件
从首款600V氮化镓（GaN）功率器件来谈氮化镓技术

随着社会的发展，电子产品也在不断更新，那就需要更好的电子元器件技术，其中越来越流行的就包括氮化镓技术，那么你知道什么是氮化镓吗? 氮化镓到底是什么，又有什么优势，可以将大功率的充电器，体积缩小到如此之低呢? 两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高(和降低)。氮化镓被誉为最新一代的半导体材料，发展和应用的潜力巨大。氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高10倍，饱和电子迁移速度大3倍，热导率高2倍。这些性能提升带来的一些优势就是氮化镓比硅更适合做大功率高频的功率器件，同时体积还更小，功率密度还更大。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。其中蓝宝石氮化镓只能用来做LED;而硅基氮化镓可以做功率器件和小功率的射频;碳化硅氮化镓可以制造大功率LED、功率器件和大功率射频芯片。这次小米发售的快充头，就是硅基氮化镓做的功率器件的一个典型应用场景。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管(FET)的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻——其在功率转换器的开关和传导损耗中起着重要作用。这些损失会影响系统级效率及散热和冷却方法。因此，通常来讲，RDS(on)额定值越低，可实现的功率水平越高，同时仍保持高效率。但是更高的RDS(on)可能更合适一些应用或拓扑。一个更加直观的例子是，假如所有电器都换成氮化镓材质，整体用电量将会减少20%。以上就是支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术的详细解析，希望通过阅读本文，能让大家对支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术有了初步的认识，方便大家进一步的学习。

时间：2020-11-07 关键词：德州仪器氮化镓功率器件
关于常见的功率器件的常用的保护方法，你知道吗？

电子产品的发展离不开各种各样的电路板，那就必然设计各种各样的功率器件，你知道常见的功率器件有哪些吗?功率器件的保护方法一、保险丝法这是一种传统的保护方法。保险丝常串接在电路的电源输入端用以控制整个电路的总电流。其工作原理是靠电路出现故障后增大的故障电流流过保险丝时导致其发热升温自行熔化，以切断电源供给达到保护目的。保险丝法有实施简单、维护容易、成本低，保护时电源切断彻底等优点，所以被广泛应用在目前所有的电子电路和电子设备中。不过，由于保险丝中流过的是电路的总电流，单只功率半导体器件中工作电流的变化不足以引起其有效反应;加之保险丝熔化速度慢，只能在功率半导体器件损坏后或电路恶性短路故障发生后故障电流成倍增加之后才会熔断，所以，只能起到防止故障进一步扩大的作用，对功率半导体器件起不到保护作用。二、检测主电路电流法该方法是在主电路电源输入端串联接入检测元件(检测电阻、互感器等)，通过检测电路中总电流在检测元件上的电压降或电流大小获得相应电流或电压信号，经过电路放大处理，与保护电路的动作阈值比较，决定保护与否;保护通过??保险丝或关断电源等方法实现。该保护方法由于采用了电子技术，和保险丝法相比其灵敏度和反映速度都得到了提高，不过这种方法依然检测的是电路的总电流，而故障功率半导体器件的工作电流只是总电流的几分之一甚至几十分之一，其变化不足以引起保护电路有效反应。所以该方法总是在故障电流形成之后才有响应，造成检测结果和保护动作的滞后，根本适应不了对功率半导体器件的保护要求。所以该保护方法和保险丝一样，只能在功率半导体器件已经损坏和恶性过流故障发生后起到防止故障进一步扩大的作用。对功率器件的保护仍无能为力。三、检测功率器件工作电流法这是目前比较常用的功率半导体器件保护方法，对功率半导体器件有一定的保护作用。该方法是在被保护的功率半导体器件工作电流通路中串入检测元件(电阻或电流互感器等)，通过检测被保护器件的工作电流在检测元件上的电流或电压信号，再经电路处理获得故障信号，通过保险丝或关断电源等方法进行保护。检测功率器件工作电流法的工作原理和线路结构与检测主电路电流法相同，不同的是检测对象是被保护器件的工作电流，所以灵敏度比检测主电路电流法要高，效果也要好。如果该方法是采用电子器件关断电流通路来实施保护，就能在管子发生过流故障后起到一定保护作用。不过因该方案仍采用检测电流法，即总是在故障形成、被保护器件受到高电压、大电流的冲击后才能检测出故障信号然后进行保护，仍然造成信号获取滞后。如果被保护器件选用的功率余量小或电路故障严重，被保护器件仍然会立即损坏;若被保护器件功率余量大而且故障程度不严重时器件一般不会损坏;不过由于故障电流的冲击仍造成被保护器件的性能明显下降、寿命减短，给整机的性能和可靠性埋下隐患。所以该方法对恶性过流、负载短路等故障起初几次有一些保护效果，但性能仍不理想。实际使用证明，器件经过有限几次故障电流的冲击就失效了。四、并联式检测功率器件电压法顾名思义，这种方法就是保护电路与被保护功率器件并联连接，通过检测被保护器件工作时的电压来获得信号，根据电压情况判断电路是否出现故障，保护方法采用就地式保护方式，即通过强行切断被保护功率器件本身的控制信号，迫使其停止工作以实现对其的保护。(检测被保护器件的电压，直接对被保护器件实施保护) 由于该方法检测的是电压信号，可以在电路出现异常时即时发现故障，在故障电流还未形成时即进行保护，避免了故障电流对器件的冲击。根据对实际应用电路的测试和长期使用证明，保护动作时被保护功率器件的工作电流由正常值减小到零，不存在大电流冲击，对功率器件的性能寿命无任何影响。所以不怕恶性故障和永久性故障。是一种比较理想的保护方法。五、并联式检测工作压降法由于功率半导体器件本身导通电阻的存在，任何情况的过载过流都会引起其饱和压降或工作压降的增大，即不管半导体器件的工作状态如何，通过其任何大小的电流时器件本身都会有一个对应的工作电压降值;监视和监测功率半导体器件导通时的电压降，根据其电压降的大小即可判断过流过载的情况和程度。该方法的工作原理和连接方法与并联式功率器件工作状态电压检测法相同，所以也具有并联式检测功率半导体器件工作状态电压法的所有优点;区别是该方法对被保护器件的工作电压进行定量检测，因而对工作状态的测量和故障的判断更准确。该方法可以对功率半导体器件的激励不足、过流过载、负载短路故障进行检测并实施保护，效果非常理想。以上就是常见的功率器件的保护方法，希望能给大家帮助。

时间：2020-11-03 关键词：保护功率功率器件
功率电感在升压电路中起什么作用，为什么要加电感？

用过DC/DC类升压芯片和降压芯片的朋友都清楚，芯片的外设电路中电感必不可少，电感的作用是什么？今天以升压芯片为例和大家分享一下电感的作用。功率电感在DC/DC的升压电路和降压电路中都是必不可少的，由于DC/DC类开关电源IC都是采用PWM控制的，电感在电路中起到充放电作用来实现IC的功能。升压电路和降压电路的原理类似，只是电感、功率开关以及二极管的位置不一样，下面介绍功率电感在升压电路中的作用。 1 电感的充电过程电感是储能元器件，在升压电路中起着储能作用，具有充电和放电两个过程。其充电过程如下所示。此时PWM控制MOS管处于导通状态，所以电感的右侧和GND是导通的，低压端的电流由正极经过电感和功率开关回到GND，电感储能。这时候二极管是截止的，输出电容之前所储存的电能给负载供电。 2 电感的放电过程 PWM信号控制MOS管处于关断状态，这时候电感开始放电，由于流过电感的电流不能发生突变，所以电感的放电过程是缓慢的，输入电压和电感所产生的电压叠加通过二极管给输出电容充电，并给负载供电。电容输出端就是升高后的电压。开关电源中有一个非常重要的概念，就是开关频率，比如常见的180KHz和400KHz，这就是指PWM的频率，或者说是MOS管的开关频率，频率越高输出电压的波形也平滑、纹波越小，但是对开关管的相应速度也就要求越高。 3 DC/DC降压电路的拓扑结构降压电流的拓扑结构中，主要是MOS管、二极管以及电感的位置不通，电压也是起到充放电作用。用过DC/DC升压IC和降压IC的朋友都知道，IC的外设电路基本一致，主要由电感、二极管以及电容构成。听说文字内容越少越容易读完，真是这样吗? 文章虽短，但是干货满满，如果您对文章感兴趣，就点击“好看”鼓励一下吧。精彩推荐：通过一个实验现象认识电感的感抗 Buck电路的工作原理是什么？电感和电容的大小有什么影响电感该怎么选型？懂主板？要先懂电感免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2020-10-27 关键词：电感功率器件
关于集成柔性功率器件的应用，你了解吗？

什么是集成柔性功率器件?它有什么作用?工业电子产品的发展趋势是更小的电路板尺寸、更时尚的外形和更具成本效益。由于这些趋势，电子系统设计人员必须降低印刷电路板(PCB)的尺寸和成本。使用现场可编程门阵列(FPGA)和片上系统(SoC)的工业系统需要多个电源轨，同时面临小尺寸和低成本的挑战。集成柔性功率器件可以为这种应用显著降低成本，减小解决方案尺寸。集成柔性功率器件在同一封装内包含多个DC/DC转换器。这些DC/DC转换器可以是单个封装中的降压转换器、升压转换器和/或LDO的任何组合。图1是一个示例功能框图，其中LM26480包括两个2MHz高效1.5A降压转换器和连个300mA LDO。图1：LM26480功能框图让我们通过一个例子来说明使用集成的柔性功率器件的好处。设想设计为由SoC或FPGA控制的无人机设计电源管理系统。图2显示了该系统中的四个组件，它们完全匹配电源管理IC(PMIC)。图2：分立与集成功率管理对比所示的两种电源解决方案都能产生四个独立的电源轨，为系统的全球定位系统(GPS)、输入/输出、核心电压和双倍数据速率类型3(DDR3)供电。在这两个选项中，前端开关模式电源有效地将无人机电池的电压降至5V电源电压，如图2的输入所示。分立组件可以进一步降低此5V电源(如选项1所示)或集成器件(如选项2所示)。想象一下，使用四个独立的器件为这个系统供电：两个LP3982 300mA单通道LDO和两个TLV62084 2A降压转换器。您可以使用这些分立的DC/DC转换器为系统供电，但仍需要四个独立的有源组件。考虑到有源组件具有最高可靠性问题，这可能不是最佳解决方案。替代解决方案可以使用集成柔性功率器件，仅利用单个IC就能提供系统期望的电压和电流能力。如图2所示，这提供了许多益处。首先，与分立解决方案相比，集成解决方案的成本效益高20%。其次，与四个分立器件的组合电路板空间相比，PMIC解决方案需要的电路板空间低10%。第三，集成器件需要的外部组件少于分立解决方案，这进一步减小了整体尺寸和成本。减少物料清单(BOM)器件数量可以提高可靠性。因此，在设计需要多个电源轨的系统时，尤其是在需要FPGA或SoC电源的应用中，请考虑集成柔性功率器件。以上就是集成柔性功率器件解析，希望能给大家帮助。

时间：2020-10-26 关键词：降压转换器电源管理ic 功率器件
DC/DC电路，实现升压、降压过程详解

功率电感在DC/DC的升压电路和降压电路中都是必不可少的，由于DC/DC类开关电源IC都是采用PWM控制的，电感在电路中起到充放电作用来实现IC的功能。升压电路和降压电路的原理类似，只是电感、功率开关以及二极管的位置不一样，下面介绍功率电感在升压电路中的作用。 1 电感的充电过程电感是储能元器件，在升压电路中起着储能作用，具有充电和放电两个过程。其充电过程如下所示。此时PWM控制MOS管处于导通状态，所以电感的右侧和GND是导通的，低压端的电流由正极经过电感和功率开关回到GND，电感储能。这时候二极管是截止的，输出电容之前所储存的电能给负载供电。 2 电感的放电过程 PWM信号控制MOS管处于关断状态，这时候电感开始放电，由于流过电感的电流不能发生突变，所以电感的放电过程是缓慢的，输入电压和电感所产生的电压叠加通过二极管给输出电容充电，并给负载供电。电容输出端就是升高后的电压。开关电源中有一个非常重要的概念，就是开关频率，比如常见的180KHz和400KHz，这就是指PWM的频率，或者说是MOS管的开关频率，频率越高输出电压的波形也平滑、纹波越小，但是对开关管的相应速度也就要求越高。 3 DC/DC降压电路的拓扑结构降压电流的拓扑结构中，主要是MOS管、二极管以及电感的位置不通，电压也是起到充放电作用。用过DC/DC升压IC和降压IC的朋友都知道，IC的外设电路基本一致，主要由电感、二极管以及电容构成。免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2020-10-26 关键词：电感功率器件
可控硅怎么驱动？

在控制回路通断中，继电器和可控硅是应用非常广泛的两种功率器件。继电器对回路对象不挑，交直流都可以。但是继电器是机械式触点，在响应速度、工作寿命、电弧方面稍稍逊色。而可控硅是半导体器件，是电子式触点，响应速度快、无寿命限制、无电弧困扰，但不适用于直流回路，在交流回路应用广泛。既然是可控器件，那用单片机就很容易控制。在用弱电控制强电时，为了安全性、稳定性考虑，通常用光耦来隔离。可控硅也不例外，也可以用光耦来控制，市面上有专门的可控硅用驱动光耦。以MOC30X2系列为例：这款光耦是随机象限驱动的，不带过零检测功能。其典型的驱动电路如下所示： ↑ 基本驱动电路 ↑ 环境噪声较为恶劣时的驱动电路双向可控硅根据控制极和T1T2电压情况的不同可以具有四种驱动方式，也就是四种工作象限，一般为了安全和认证考虑，可控硅都会通过专用的可控硅光耦来驱动隔离，可以搜索专用光耦的数据手册，上面也会介绍驱动原理。 ↑ 环境噪声非常恶劣时的驱动电路免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2020-10-26 关键词：可控硅功率器件
可控硅为啥不能用万用表触发？可控硅四种工作象限分析

为什么万用表无法触发BT137的导通？这是一位朋友的疑问。 BT137是一颗双向可控硅，想用万用表来触发导通双向可控硅BT137，这样做是不可行的。因为可控硅的导通条件不同于二极管、三极管、MOS管等，稍微复杂。双向可控硅是一个三端元器件，具有三个电极，分别为T1极、T2极和G控制极。双向可控硅如果要导通，需要满足如下几个条件： 1)控制极加正向电压； 2)T1和T2之间的电压满足一定的条件。由于双向可控硅能双向导通，所以具有四种工作条件，也就是双向可控硅的四个工作象限。如下图所示。 VT1-T2为负，VG为正。此时，给可控硅的控制极G加上正向电压，而T1极上加负向电压，T2极上加正向电压，可控硅会由T2向T1导通，这种方式称之为第一象限的正向触发，一旦导通，控制极将失去作用。 VT1-T2为负，VG为负。此时，给可控硅的控制极G加上负向电压，而T1极上加负向电压，T2极上加正向电压，可控硅会由T2向T1导通，这种方式称之为第二象限的正向触发，一旦导通，控制极将失去作用。 VT1-T2为正，VG为负。此时，给可控硅的控制极G加上负向电压，而T1极上加正向电压，T2极上加负向电压，可控硅会由T1向T2导通，这种方式称之为第三象限的正向触发，一旦导通，控制极将失去作用。 VT1-T2为正，VG为正。此时，给可控硅的控制极G加上正向电压，而T1极上加正向电压，T2极上加负向电压，可控硅会由T1向T2导通，这种方式称之为第四象限的正向触发，一旦导通，控制极将失去作用。由此可见，仅仅在控制极G上加控制信号双向可控硅是没有办法导通，必须在T1和T2上加上一定的电压。可控硅一旦导通之后，将控制信号移除，可控硅仍然处于导通状态，除非将T1和T2的电流小于维持电流。所以，想单纯的通过万用表来触发BT137并不可行，不许将T1和T2也接入控制回路中，并满足电压条件才可以。免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2020-10-26 关键词：可控硅功率器件
想了解可控硅，这一篇文章就够了

在日常的控制应用中我们都通常会遇到需要开关交流电的应用，一般控制交流电的时候，我们会使用很多种方法，如： 1、使用继电器来控制，如电饭煲，洗衣机的水阀： 2、使用大功率的三极管或IGBT来控制： 3、使用整流桥加三极管： 4、使用两个SCR来控制： 5、使用一个Triac来控制：晶闸管(Thyristor)又叫可控硅，按照其工作特性又可分单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。其中双向可控硅又分四象限双向可控硅和三象限双向可控硅。同时可控硅又有绝缘与非绝缘两大类，如ST的可控硅用BT名称后的“A”、与“B”来区分绝缘与非绝缘。单向可控硅SCR：全称Semiconductor Controlled Rectifier(半导体整流控制器) 双向可控硅TRIAC：全称Triode ACSemiconductor Switch(三端双向可控硅开关)，也有厂商使用Bi-directional Controlled Rectifier(BCR)来表示双向可控硅。请注意上述两图中的红紫箭头方向现在我们来看一看通常的可控硅控制模式 1、On/Off 控制：对于这样的一个电路，当通过控制信号来开关Triac时，我们可以看到如下的电流波形通常对于一个典型的阻性的负载使用该控制方法时，可以看到控制信号、电流、相电压的关联。 2、相角控制：也叫导通角控制，其目的是通过触发可控硅的导通时间来实现对电流的控制，在简单的马达与调光系统中多可以看到这种控制方法在典型的阻性负载中，通过控制触发导通角a在0～180之间变化，从而实现控制电流的大小。免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2020-10-26 关键词：可控硅功率器件