泰克与远山半导体合作再结硕果，共推1700V GaN器件迈向新高度

2025年1月15日，中国北京——近日，泰克科技与远山半导体的合作迎来又一重要里程碑，双方携手对远山半导体最新推出的1700V GaN器件进行了深入测试与评估，成果斐然，为该器件在高端应用市场的拓展注入强劲动力。

此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件领域的持续创新，已成功推出多款产品，并逐步将额定电压提升至1700V，这一电压等级的突破，相较于1200V器件实现了显著性能飞跃。为攻克GaN器件常见的电流崩塌难题，远山半导体采用了独具匠心的极化超级结（PSJ）技术，并对生产工艺进行了深度优化，使得器件不仅额定工作电压大幅提升至1700V，工作电流也达到了30A，为高功率应用场景提供了更为强劲的“芯”动力。

在此次合作测试中，泰克科技凭借其先进的测试设备与专业的技术团队，对远山半导体提供的1700V/100mΩ规格GaN样品进行了全方位、多维度的性能检测。静态测试结果显示，该器件在1700V电压下反偏漏电流Idss仅为4.48uA（Vgs=-8V），且在10uA漏电流条件下，Vds电压成功突破1750V，击穿电压表现卓越，为器件的高可靠性运行奠定了坚实基础。

同时，作为常开型器件，其阈值电压测试精准可靠，当Vds=10V，Id=1mA时，实测阈值电压Vth稳定在-4.1V，确保了器件在不同工作条件下的精准控制。在导通状态下，测试条件为Vgs=+3V，Id=20A，电流脉宽300uS时，四线模式下实测导通电阻仅为107mΩ，远低于行业同类产品，展现出出色的导电性能。

动态特性测试更是亮点纷呈。由于泰克科技目前的GaN测试电路最大测试电压为1000V，为确保测试安全，双方在900V电压条件下对该器件进行了双脉冲测试。测试条件为：Vds=900V，Rgon=Rgoff=2Ω，Vgson=3V，Vgsoff=-8V，Id=20A，负载电感L=200uH。

测试波形清晰显示，在900V高压条件下，Vds波形在两次导通阶段内保持稳定低电压，几乎接近0V，充分证明了器件在高压硬开关操作下未出现电流崩塌现象，其动态性能卓越，可靠性极高。

为进一步精准测量功率器件在开关过程中的动态导通电阻值，泰克科技运用钳位探头对器件进行深入测量。钳位探头可有效过滤信号高压部分，以较小量程精准测量低压部分，尤其适用于快速开关条件下，准确测量导通条件下的器件两端电压降。通过电压钳位探头测量得到的钳位电压Vds-clamp，结合导通电流Id，依据欧姆定律计算得出动态导通电阻D-Rdson。

测试数据表明，在不同电压条件下，器件的归一化动态电阻随测试电压升高增加比例较小，300V、600V、900V时分别为1、1.07、1.18，彰显了器件在高压开关条件下稳定的工作状态，其性能表现远超预期。

此次测试结果充分展现了远山半导体1700V GaN器件的卓越性能，其各项指标不仅刷新了市场对GaN器件的认知，更是快速逼近甚至在部分性能指标上超越了主流SiC功率器件。未来，随着GaN器件在长期工作可靠性及成本优势方面的进一步凸显，有望在工业领域大放异彩，逐步实现对SiC功率器件的替代，开启功率器件市场的新篇章。

泰克科技与远山半导体的紧密合作，再次为半导体行业树立了产学研用协同创新的典范。双方将继续携手共进，不断探索与突破，推动GaN器件技术的持续进步，为全球电子产业的高质量发展贡献更多力量。更多了解泰克创新实验室开放平台，请登录：https://www.tek.com.cn/cn-open-lab-2024。

关于远山半导体

远山半导体是一家专注于氮化镓材料及功率器件研发与生产的高新技术企业，拥有一支来自于中国、日本、美国的国际化核心技术团队，具备“外延材料+芯片制造”的完整核心技术闭环与量产能力，主打面向新能源行业应用的中高功率工业级氮化镓功率器件。

关于泰克科技

泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市，致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案，解决各种问题，释放洞察力，推动创新能力。70多年来，泰克一直走在数字时代前沿。欢迎加入我们的创新之旅，敬请登录：tek.com.cn。