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iDEAL的SuperQ技术正式量产，推出150V与200V MOSFET，展示业界领先的性能指标
美国宾夕法尼亚州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。
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碳化硅：推动车载充电技术随电压等级的飞跃
在全球倡导绿色出行与可持续发展的大背景下，电动汽车(EV)产业蓬勃发展，成为汽车行业转型升级的重要方向。随着电动汽车市场的迅速扩张，消费者对其性能的要求也日益提高，其中充电速度和续航里程成为关注焦点。为了满足这些需求，汽车制造商不断探索新技术，碳化硅(SiC)材料及其相关功率器件应运而生，并在推动车载充电技术随电压等级提高方面发挥着关键作用。
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IGBT 主导新能源汽车上半场，SiC 提速上车剑指新周期
在新能源汽车产业蓬勃发展的浪潮中，功率器件作为核心 “大脑”，其重要性不言而喻。回顾过往，IGBT 主导了新能源汽车的上半场，而如今，SiC 正加速上车，开启新的发展周期。
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英飞凌OptiMOS™ 80 V、100 V以及MOTIX™功率器件为Reflex Drive无人机提供高性能电机控制解决方案
【2025年6月20日, 德国慕尼黑讯】来自印度的深科技初创公司Reflex Drive选择英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的半导体功率器件，用于其下一代无人机（UAV）电机控制解决方案。通过集成英飞凌OptiMOS™ 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的电子调速器（ESC）实现了更好的热管理和更高的效率，从而在紧凑的设计中实现了高功率密度。此外，通过采用将XMC1404微控制器与MOTIXTM 6EDL7141 三相栅极驱动器IC结合的英飞凌MOTIX™ IMD701控制器解决方案，实现了紧凑、精准且可靠的电机控制。此举不仅提高了无人机的性能与可靠性，还延长了其飞行时间。
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GaN 功率器件：提升电源管理设计的秘诀
在当今的电子设备领域，电源管理设计至关重要，其性能直接影响着设备的整体表现。随着科技的不断进步，氮化镓(GaN)功率器件应运而生，为电源管理设计带来了新的突破和提升。
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【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望
在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。
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意法半导体披露公司全球计划细节,重塑制造布局和调整全球成本基数
2025年4月17日，中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 披露了全球制造布局重塑计划细节，进一步更新了公司此前发布的全球计划。2024年10月，意法半导体发布了一项覆盖全公司的计划，拟进一步增强企业的竞争力，巩固公司全球半导体龙头地位，利用公司的技术研发、产品设计、大规模制造等全球战略资产，保障公司的垂直整合制造 (IDM) 模式长期发展。
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氮化镓器件的发展之路并非一帆风顺
在半导体领域，氮化镓(GaN)器件以其卓越的性能优势，如高电子迁移率、高击穿电场、低导通电阻等，被视为极具潜力的下一代功率器件，有望在众多领域掀起变革。然而，尽管前景诱人，氮化镓器件的发展之路并非一帆风顺，诸多不利因素成为其大规模推广应用的绊脚石。
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汽车级大功率 IGBT 现状及未来趋势研究
在全球汽车产业向电动化、智能化加速转型的浪潮中，汽车级大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为核心功率器件，正处于聚光灯下。它的性能优劣、市场供应情况以及技术发展走向，深刻影响着新能源汽车的能效、动力表现和整体竞争力，成为行业发展的关键变量。
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功率电子器件在新能源汽车电源系统中的应用
随着全球对环境保护和可持续发展的日益重视，新能源汽车产业正以前所未有的速度蓬勃发展。作为新能源汽车的核心技术之一，功率电子器件在电源系统中扮演着至关重要的角色。本文将深入探讨功率电子器件在新能源汽车电源系统中的应用，并分析其未来的发展趋势。
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泰克与远山半导体合作再结硕果，共推1700V GaN器件迈向新高度
近日，泰克科技与远山半导体的合作迎来又一重要里程碑，双方携手对远山半导体最新推出的1700V GaN器件进行了深入测试与评估，成果斐然，为该器件在高端应用市场的拓展注入强劲动力。
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【“源”察秋毫系列】多次循环双脉冲测试应用助力功率器件研究及性能评估
多次循环双脉冲测试技术应运而生，为功率器件的可靠性研究和性能评估提供了一种有效的手段。这种测试方法通过模拟电路中的实际工作条件，能够评估功率器件在重复高应力条件下的性能变化，预测其寿命，对于器件的长期稳定性和可靠性至关重要。
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Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计
该系列产品支持多种拓扑结构、电流和电压范围
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Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC， 为氮化镓技术树立新标杆
1700V额定耐压的氮化镓InnoMux-2 IC可在1000VDC母线电压下实现高于90%的效率， 并通过三路精确调整的输出提供高达70W的功率
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【泰克先进半导体实验室】远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件，并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试，这些测试结果为我们提供了对远山半导体氮化镓功率器件性能的全面了解。
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如何计算功率器件的散热？功率器件封装类型有哪些
在这篇文章中，小编将对功率器件的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间
在工业电机驱动功率转换中采用宽带隙 (WBG) 功率器件可以显著提高系统效率和功率密度，并提供其他优势，例如更少的可听噪声和更快的切换带来的更精确的控制。在这些应用中，降低转换损耗是实现净零碳足迹以应对气候变化的关键部分，因为电机驱动器占总用电量的 60%。在本文中，我们将讨论氮化镓 (GaN) HEMT 功率器件中的一个关键参数，即短路耐受时间 (SCWT)。
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Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管
低压理想二极管可将功率损耗降低一个量级
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泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试
在泰克先进半导体开放实验室，2024年8月份，我们有幸见证了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化镓（GaN）功率器件的动态参数测试。量芯微作为全球首家成功流片并量产1200V氮化镓功率器件的厂商，其最新产品在性能上的显著提升，不仅展现了技术的进步，也为我们的客户带来了新的解决方案。
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Nexperia为其功率器件产品组合添加了具有出色限流精度的新型大电流eFuse
集成自动复位低电阻FET，降低工作功耗
