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QTouch技术
QTouch技术是Atmel触摸技术部前身Quantum（量研科技）的专利。所开发的集成电路技术是基于电荷——传输电容式感测。QTouch IC检测用传感器芯片和简单按键电极之间单连接来检测触摸（图）。QTouch器件对未知电容的感测
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高精度16位/12位DAC（Maxim）
Maxim推出引脚和软件兼容的16位(MAX5138)和12位(MAX5139)高精度DAC。该系列DAC采用3mm x 3mm封装，集成了高精度电压基准，具有优异的线性度性能。器件的引脚和软件兼容特性使设计者无需重新设计电路板或控制软件即可
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德开发出超高效有机发光二极管
本报讯德国科学家开发出一种新型有机发光二极管(OLED)，其产生的白光质量可媲美白炽灯泡，而其能效甚至大大优于荧光灯。该项研究的领导者、德国应用光学研究所的塞巴斯蒂安•雷内柯表示，该OLED原型也许将可成
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QTouch技术
QTouch技术
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测量器件功率和增益的方法
RF晶体管和RF集成电路上的功率测量的复杂性日益增大。在高功率设备性能测量中，最重要的是测量饱和功率，由于很难用CW技术来评估参数，它通常在脉冲状态下测试。本文介绍的方法消除了用于测量的经典方法中的某
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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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MEMS振荡器与石英技术
从简单的精度约30 000ppm的RC振荡器，到精度优于0.001ppb的原子钟，有很多满足不同应用要求的时钟选项。多年以来，体声波(BAW)晶体振荡器可用以满足大多数要求，它提供的精度在10ppm范围内。精度低一些的选择，如SAW振荡器、陶瓷振荡器以及IC振荡器，它们各自具有其满足特定需求的优势。
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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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C8051F020单片机及其在总磷在线自动分析仪中的应用
1 概述 C8051F0XX系列单片机是Cygnal公司新推出的一种混合信号系统级单片机。该系列单片机片内含CIP－51的CPU内核，它的指令系统与MCS－51完全兼容。其中的C8051F020单片机含有64kB片内Flash程序存储器，4352B
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LED器件对LED全彩显示屏性能参数的影响
李漫铁 (深圳雷曼光电科技有限公司,深圳,518108) 摘要：本文从LED器件的参数着手，分析了LED器件的各类参数对LED全彩显示屏整屏参数的影响，对LED显示屏的参数控制和品质提高具有指导意义。关键词：LED；全彩显示屏
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Altium为OrCAD Capture用户带来新的生机
继 2009 年 4 月 21 日向电子设计人员提出“什么使您与众不同”的问题之后，Altium再为前端电子设计人员推出功能强大的工具选择，使他们能够进入全新的设计领域并在快速发展的行业中做到真正的“与众不同”。Altium
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采用65纳米工艺的SRAM（赛普拉斯）
赛普拉斯日前宣布在业界率先推出采用 65 纳米线宽的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件样品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存储器采用了赛普拉斯合作伙伴
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
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AUIRS4427S双低侧驱动IC（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS4427S双低侧驱动IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括通用电机驱动器、汽车DC-DC转换器及混合动力系统驱动器。AUIRS4427S是一款低压、高速功率MOSFET和
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AUIRS4427S双低侧驱动IC（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS4427S双低侧驱动IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括通用电机驱动器、汽车DC-DC转换器及混合动力系统驱动器。AUIRS4427S是一款低压、高速功率MOSFET和
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
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解读FPGA设计的安全性
与开发成本很高的ASIC相比，FPGA可重复编程的性能正受到系统设计者的青睐。此外， FPGA的性能和功能也越来越强大，包括32位软处理器、SERDES、 DSP块和高性能的接口。现在的低成本FPGA甚至可以满足大批量的应用。
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解读FPGA设计的安全性
与开发成本很高的ASIC相比，FPGA可重复编程的性能正受到系统设计者的青睐。此外， FPGA的性能和功能也越来越强大，包括32位软处理器、SERDES、 DSP块和高性能的接口。现在的低成本FPGA甚至可以满足大批量的应用。
