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  • 存储大厂不断扩产,中国存储产业面临考验

    存储大厂不断扩产,中国存储产业面临考验

    2020年疫情使存储器价格产生波动,同时也出现了存储器需求疲软及供应不畅的问题。在2020年下半年,存储器市场依旧不是很乐观,存储芯片价格持续下降。但是放眼全球,三星、铠侠(原东芝)、美光等存储大厂扩大投资热度不断攀升,正在积极建厂和扩充产能。 这些海外厂商动作频频,将会使存储市场产生怎样的变化? 一、存储器市场概览 纵览整个存储器市场,其绝大部分由海外巨头公司掌握,国产公司处于相对落后的位置。DRAM和NAND Flash是最主流的半导体存储器,市场规模占比超过95%。 2019年NAND Flash市场规模达到了490亿美元。据IDC预测,2023年将产生105ZB数据,其中12ZB将会被存储下来。NAND Flash市场份额基本被国外公司所垄断,主要的厂家为三星、铠侠、西数、美光等。国产厂商长江存储处于起步状态,正在市场与技术上奋起直追。 2020 Q1 NAND Flash市场份额 资料来源:中国闪存市场,国元证券研究中心 DRAM是存储器市场规模最大的芯片,2018年DRAM市场规模已超过1000亿美元,2019年由于价格大幅下降以及服务器、手机等下游均出现同比下滑,市场空间出现下降,根据Trend Force数据统计,2019 年DRAM市场空间约621亿美元。目前,DRAM芯片的市场格局是由三星、SK海力士和美光统治,三大巨头市场占有率合计已超过95%,而三星一家公司市占率就已经逼近50%。 2019年DRAM市场格局 资料来源:Trend Force,,国元证券研究中心 在此市场状况下,海外存储大厂的投资、扩产行为对于国内处于起步阶段的众厂商来说,将是一场大考验。 二、存储龙头大力扩产 此前,三星电子宣布了在韩国平泽厂区的扩产计划,除扩建采用极紫外光(EUV)的晶圆代工生产线及DRAM产能之外,还将扩大3D NAND闪存方面的产能规模。业界预估三星电子仅用于3D NAND闪存方面的投资额就达8万亿韩元(约合470亿元人民币)。 据了解,三星电子将在平泽厂区的二期建设中投建新的3D NAND生产线,量产100层以上三星电子最先进的第六代V-NAND闪存,无尘室的施工5月份已经开始进行。新生产线预计将于2021年下半年进入量产阶段,新增产能约为2万片/月的晶圆。 去年年底,三星电子便启动了中国西安厂二期的建设,投资80亿美元。西安厂二期主要生产100层以下的第五代V-NAND,平泽二厂则会生产100层以上的第六代V-NAND。三星NAND Flash生产线主要分布在韩国华城厂区、平泽厂区以及中国西安厂区。 无独有偶,其他存储产商也大幅度投入了存储产能的扩充。 美光这两年不断有加大存储资本投入的消息传出。首先看DRAM方面,据台媒报道,美光将在台湾加码投资,要在现有厂区旁兴建A3及A5两座晶圆厂,总投资额达4000亿元新台币(约合人民币903亿元),2020年第4季导入最新的1z制程试产,借此缩小与三星的差距;第二期A5厂将视市场需求,逐步扩增产能,规划设计月产能6万片。 今年早些时候,美光表示,A3 预计本年第四季度完工,2021年投入生产,导入最新的1Znm制程试产。据了解,1Znm工艺是存储行业最新的制程技术,可提供更高的密度、更高的效率和更快的速度,该标准涵盖了12nm到14nm之间的工艺标准,而1ynm标准则在14nm到16nm之间。 美光还在陆续大规模生产DDR4和LPDDR4,2020年初美光基于1Znm技术的DDR5 RDIMM开始送样,还将投入下一世代HBM以及1α技术的研发。同时,美光表示,为了持续推进先进技术的发展,今年其洁净室投资是往年的1.5-2倍,主要用于加速向先进节点切换,提升先进制程产能,包括EUV洁净室的建设,全球灵活布局产能。 与此同时,美光也在去年宣布启用在新加坡扩建的3D NAND闪存晶圆厂,让美光在新加坡的布局更加完整。美光指出,扩建的设施能够为无尘室空间带来运作上的弹性,更可以促成3D NAND技术进阶节点的技术转型。 由于目前美光在第三代96层3D NAND已可进入量产,因此技术上要将重心摆在第四代128层去发展,将128层3D NAND做到更稳定、能够量产的阶段。 美光预期该扩建的新厂,可于下半年开始生产,但碍于目前市场NAND供过于求的情况,以及要将3D NAND技术提升,所以暂时不会因为扩厂而增加任何新的晶圆产能。在最新一期的财报中,美光表示将在2021年投入约90亿美元的资本支出。 铠侠也将按照原计划增产投资,在日本四日市工厂厂区内兴建3D NAND闪存新厂房“Fab 7厂房”,总投资额预估最高达3000亿日元(约合200亿元人民币),预定2022年夏天完工。铠侠合作伙伴西部数据预估会分担投资。 与此同时,铠侠和西部数据还将在岩手县北上市投资70亿日元,新建的K1新工厂计划于2020年上半年开始生产3D NAND。 SK海力士也已经开始对存储半导体进行积极的设备投资。计划对中国无锡工厂(C2F)投资约3.2兆韩元(约人民币171.42亿元)。SK海力士计划在C2F工厂的空余空间内建设月度产能达到3万个的DRAM 产线,自2020年7月已经开始导入设备。 SK海力士计划以保守的态度实施最初制定的投资计划。且认为存储半导体市场肯定会出现恢复,因此再次启动投资。此外,原计划自2021年1月起,对利川工厂(京畿道)的M16进行设备投资,现在计划在2020年之内完成设备导入,且正与设备厂家在进行调整。此外,SK海力士计划将DRAM产线(利川)的增产规模从原来的2万个提高至3万个,此外,还计划将NAND闪存(清州)的产能提高5,000个,且已经在推进。 三、有备而来的存储厂商 不难发现,相较于NAND Flash,DRAM市场似乎显得谨慎。就目前而言,DRAM供应商三星、SK海力士、美光等对DRAM的投产相对保守,除了三星增加DRAM新产能外,美光日本广岛新工厂B2会投产,也正计划在台湾地区兴建晶圆厂生产DRAM,但大部分DRAM供应还是依靠制程技术提升满足市场需求,2020年三家原厂将扩1znm工艺技术提高DRAM产量。 尽管出现了新冠肺炎这一前所未有的危机,海外巨头依然积极进行设备投资,其主要原因是他们都对存储半导体市场持有积极的态度。 首先,虽然受新冠肺炎影响全球经济出现低迷,服务器和PC方向的DRAM需求却在增长。此外,以互联网未中心的居家办公、在线教育、业余活动、在线购物等的大量出现,导致服务器、PC的销售增多,从而带动了DRAM的需求增长。 其次,从根源上看,三星等厂商扩大产能,与市场上的预期有关。随着5G、自动驾驶物联网和AI的到来,围绕着数据的生意正在快速增长。从2017年开始,以DRAM和NAND Flash为主的半导体存储市场规模已超过1000亿美金,增长速度远超于半导体产业发展。 疫情的到来虽然使全球经济充满了不确定性,但促进半导体需求增长的因素却不少,因此海外厂商才继续进行积极的投资。某位熟悉韩国半导体行业的分析人士指出:“从韩国半导体巨头的投资计划来看,可以说他们对半导体市场情况持有肯定的态度”。 这些存储厂商都是有备而来。 四、中国存储产业面临考验 在这些厂商加速存储布局,抢占下一个未来的时候,正在发力的的中国存储产业或将受到冲击。 发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。在本次投资扩产及相关市场竞争当中,各大闪存厂商无疑将先进工艺放在了重点位置。 三星电子此次在平泽二期中建设的就是100层以上的第六代V-NAND。目前三星电子在市场上的主流NAND闪存产品为92层工艺,预计今年会逐步将128层产品导入到各类应用当中,以维持成本竞争力。 美光也在积极推进128层3D NAND的量产与应用,特别是固态硬(SSD)领域,成为美光当前积极布局扩展的重点,与PC OEM厂商进行Client SSD产品的导入。美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示,128层3D NAND如果被广泛使用,将大大降低产品成本。美光于2019年10月流片出样128层3D NAND。 根据集邦咨询的介绍,SK海力士将继续增加96层产品的占比,同时着重进行制造工艺上的提升。SK海力士2019年6月发布128层TLC 3D NAND,预计今年将进入投产阶段。 铠侠今年1月发布112层3D NAND,量产时间预计在下半年。铠侠今年的主力产品预计仍为96层,将满足SSD方面的市场需求。随着112层产能的扩大,未来铠侠会逐步将之导入到终端产品中。 看向国内 ,去年9月,长江存储发布了64层3D NAND闪存。有消息称,长江存储64层消费级固态硬盘将于今年第三季度上市。有分析认为,长江存储今年的重点在于扩大产能,同时提升良率,并与OEM厂商合作进行64层3D NAND的导入。不过今年4月长江存储也发布了两款128层3D NAND闪存,量产时间约为今年年底至明年上半年。在先进工艺方面,长江存储并不落于下风。 研发获得成功只是第一步,后期量产的良率是成败的关键之一,未来要进入量产,势必要达到一定的良率,确保每片3D NAND的可用晶圆数量,成本结构才会具有市场竞争力。与实力雄厚的国外厂商相比,长江存储处于刚刚跟上脚步的阶段。如果闪存产业陷入了杀价潮,那么对长江存储来说,优势就不再明显。 再看DRAM产业,当年韩国厂商也是透过扩产、降价等方式,将当时如日中天的日本DRAM产业和尚在襁褓中的台湾地区DRAM扼杀在摇篮中,对于正在崛起的中国存储来说,如何避免陷入这种困境,是在提高产品质量和供应的时候,是需要考虑的另一个问题。 半导体专家莫大康曾指出,存储芯片具有高度标准化的特性,且品种单一,较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要集中在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此,每当市场格局出现新旧转换,厂商往往打出技术牌,以期通过新旧世代产品的改变,提高产品密度,降低制造成本,取得竞争优势。 有报道指出,中国的长鑫存储(CXMT)在2020年上半年量产用于PC的DDR4 DRAM。由于DDR4是目前最常用的DRAM半导体的规格,因此,相关产品的量产也意味着中国企业对韩国厂家形成了威胁。为了摆脱中国厂商的穷追猛赶,韩国厂家正在实施“差异性战略”——极紫外光刻(EUV)工艺。 三星电子于2020年四月成功生产了100万个采用了EUV技术的10纳米通用DRAM(1x)。之所以将EUV技术应用于1xDRAM,是出于测试的目的。真正要采用EUV技术的产品是计划在2021年量产的第四代(4G)10纳米DRAM(1a)。就1a产品的工艺而言,是将EUV技术灵活运用在位线(Bit Line,将信息向外部输送)的生产中。据说,三星已经将EUV应用于现有的工序中(据说是2-3层)。 此外,SK海力士也在准备将EUV技术应用于DRAN生产。SK海力士已经在利川总部工厂导入了约2台EUV曝光设备,用于研究开发,目标是计划在2021年通过EUV技术批量生产DRAM。 有分析师指出,“EUV工艺是目前中国厂家无法模仿的先进技术,率先采用EUV工艺的DRAM,对于要求较高的数据中心而言,是十分有利的。” 在先进工艺方面,中国存储厂商仍然需要努力。 五、总结 存储市场目前虽仍由海外厂商占据主导地位,但中国厂商正在逐步崛起。正如前文所言,海外厂商投资扩产除了看到存储的前景以外,中国厂商的崛起也是其中微小却不可忽视的原因之一。

    时间:2020-10-14 关键词: 存储 DRAM 中国

  • 2020年新冠疫情对半导体市场造成了哪些大的影响?

    2020年新冠疫情对半导体市场造成了哪些大的影响?

    在2020年新冠疫情期间,各个行业或多或少都受到冲击,但是在这场危机中,数据中心可以说是最大的赢家之一。 推动数据中心需求包括在线购物和视频会议服务,如Zoom和WebEx,随着世界适应“在家工作”,这些服务正在取代面对面的互动方式。 在COVID之前,我们预计数据中心在2020年将产生约380亿美元的内存(memory)收入,收入加权到下半年。今天,我们预计收入将略有增加,但在上半年和下半年却出现平均分配的情况。从本质上讲,上半年需求的激增改变了2020年需求对半的态势。云服务提供商今年以来一直是大买家,因为他们看到了需求的显著上升,并增加了库存,以对冲COVID可能导致的任何潜在供应链中断。此外,传统企业一直在争先恐后地评估“在家工作”,预算在现阶段并未削减(图1)。 然而,2020年下半年仍存在很大的不确定性。我们期望传统企业减少开支,因为COVID的全面经济影响得到更好的理解。此外,尽管CSP封装工艺是上半年需求的主要驱动力,但人们担心广告收入的萎缩、过于强劲的内存库存以及普遍的经济不景气将促使下半年削减支出。 1、PC领域 另一个我们认为在COVID大流行期间表现相对较好的类别是个人电脑。我们在COVID之前的预测是大约245亿美元用于个人电脑的内存,而我们目前的前景只比这个水平下降了约10亿美元。虽然第一季度个人电脑销量远低于预期,但这主要是由于供应链的限制,而非需求不足。这些制约因素现在已经得到解决,我们预计第二季度个人电脑销量将大幅增长。 很明显,“在家工作”正导致个人电脑需求激增,因为人们意识到要完成真正的工作——尤其是长时间的工作——需要合适的设备。个人电脑需求的激增可能是需求的一次性上升,而不是个人电脑市场的系统性变化。(图2)。 今年,我们已将个人电脑销量预测下调约1%。尽管我们今天看到了强劲的需求,因为人们试图在家工作,但我们预计,随着经济逆风来袭,在家工作的人进行了必要的升级,企业也希望紧缩预算,因此PC销售在2020年下半年将受到影响。 2、手机领域 智能手机是受COVID影响最大的一类。年初,我们预计2020年将是智能手机的强劲一年。随着围绕5G的热情推动升级周期,我们预计明年新智能手机出货量将在14亿台左右,内存收入将达到近400亿美元,增长至500亿美元。 现在,我们预计智能手机出货量将达到11亿部左右,内存收入将在2020年下降约20%,达到320亿美元,到2021年才会恢复(图3)。 智能手机是受COVID负面影响最大的一类。今年初,Yole曾预计2020年将是智能手机市场的强劲之年,5G热情推动了这轮升级周期,出货量将达到14亿部左右,存储器收入将达到近400亿美元,明年将增至500亿美元。但最新预计2020年出货量为11亿部左右,存储器收入在2021年恢复之前将下降约20%,为320亿美元。 人们在禁闭期间无法外出购物购买新手机,加上经济不确定性和困难,导致人们长期持有旧手机,推迟升级。不过,我们相信,长期来看,该板块将反弹。手机不会永远使用,目前也没有智能手机的替代设备(就像十年前智能手机是个人电脑的替代设备一样)。因此,旧手机最终需要更换。这将导致我们预计在2021年开始出现的“追赶”需求。我们预计明年智能手机市场的表现将非常乐观。 存储器Memory供应商的反应 3、资本支出 在COVID-19爆发之前,预计2020年DRAM和NAND资本支出(capex)为388亿美元,同比下降15%,包括WFE和基础设施支出。这一下降是由于NAND 2019年和2018年大部分时间内存市场低迷,以及基础设施建设和技术转型的情况造成的。 目前的预测假设2020年资本支出将大幅下降,DRAM和NAND资本支出合计为338亿美元,较2019年下降26%,比之前的预期下降13%。 由于下半年需求的不确定性和长期的经济影响,预计今年内存供应商在投资上会更加谨慎。内存供应商很可能会在谨慎的一面犯错,并将支出延后到2021年,或者根据市场情况可能进一步推高支出(图4)。 资本支出减少的后果是显著的。较低的资本支出意味着技术转型放缓,新晶圆增加量减少,比特增长减少,每比特成本下降。根据对内存平均售价(ASP, average selling prices)的影响,较小的成本下降可能导致更低的利润率和更低的收入TAM。鉴于市场的不确定性,短期内减少资本支出似乎是一个谨慎的决定。供应商可以寄希望于较低的资本支出(因此更低的比特bit出货量)将导致更高的ASP,抵消较小的每比特 bit 成本下降。 4、供应情况 供应商感受几乎立刻感受到了疫情的影响,已反映在上半年的DRAM和NAND出货量中。这种在家工作和学习的模式在短期内提振了存储器供应商,导致上半年存储器出货量高于先前的预期。强劲的服务器和PC需求以及供应链担忧导致的客户购买量推动了出货量的增长,这帮助抵消了智能手机和消费市场最初因新冠病毒而出现的疲软。 展望今年余下的时间,尽管数据中心需求预计将保持弹性,但我们预计智能手机和消费市场将继续疲软,个人电脑需求在上半年的初始飙升减弱后将趋于疲软。对传统企业服务器的需求也面临风险,因为经济不确定性可能导致IT支出更加保守。因此,DRAM和NAND在2020年下半年的出货量预期都降低了(图5)。 由于以下几个原因,预计对NAND出货量的影响不会像DRAM那样严重。在疫情爆发之前,预计2020年NAND的增长将受到限制,市场正从严重的衰退中复苏,而先前的资本支出削减也对供应产生了影响。 此外,NAND在PC上具有从HDD到SSD更换周期的持续优势,目前的个人电脑需求激增来自企业买家,他们大量使用基于SSD的存储,而在教育领域,大多数使用基于NAND的Chromebook。最后,由于引入HDD转向基于高密度SSD的存储解决方案,今年晚些时候的新游戏主机将对下半年的存储需求产生提振作用。就全年而言,DRAM增长(2020年与2019年相比)从先前预测的17%降至15%,而NAND增长从30%降至29%。 5、价格情况 数据中心和个人电脑需求的内存定价优势导致DRAM和NAND在2020年上半年的定价高于预期。然而,下半年需求减弱可能会降低定价,这与之前的预期相比。现实情况是,下半年的定价将在很大程度上取决于供应商对这一流行病的反应。面对需求的不确定性,他们会调整晶圆产量和技术转型,还是继续按照先前的计划行事?面对需求的不确定性,供应商可以采取一些措施来提高定价,包括减少资本支出、降低工厂利用率和保持战略库存。 自2019年底以来,强劲的数据中心需求推动服务器DRAM定价上涨约40%。然而,服务器DRAM的价格在2020年不太可能上涨太多,因为大型CSP拥有充足的库存,而且随着供应商将晶圆从移动DRAM转移到计算,服务器DRAM的可用性在2020年下半年应该会更大。2020年上半年定价的飙升将导致本年度的整体定价略好于之前的预期,但由于预期经济影响对需求的拖累,预计2021年的价格不会攀升到如此高的水平(图6)。 过去几年的NAND低迷导致该行业在2019年大幅亏损。尽管行业利润率在2020年第一季度有所上升,但在未来几个季度,价格大幅下跌的空间微乎其微。此外,削减资本支出将影响NAND供应商在今年及以后降低成本的能力。因此,2020年混合NAND定价的全年展望基本不变,预计价格将同比增长6%。根据目前的预测,NAND行业的长期利润率是不可持续的,该行业可能需要进行整合或其他结构性调整,才能产生足够的回报。 6、结语 COVID-19大流行对存储器市场的影响是即时的和戏剧性的,预计在可预见的将来还会继续影响存储器市场。虽然由于工作、教育和休闲习惯的改变,短期内需求有所上升,但长期的经济影响可能是严重的,并在中长期阻碍需求。考虑到市场的不确定性,内存供应商必须积极、谨慎地做出反应,以确保内存行业的长期健康发展。 COVID-19正在推动全球制造设备支出上升,SEMI分析指出,全球对芯片的需求不断飙升,这些芯片可为通信和IT基础设施、个人电脑、游戏和医疗电子产品提供动力,2020年全球晶圆厂设备支出将增长8%,2021年将增长13%。 随着美中贸易紧张加剧,对数据中心基础设施和服务器存储的半导体需求不断上升,以及安全库存的增加,这也是今年增长的原因。 在所有芯片行业中,内存将在2020年实现最大的增长,增长37亿美元,同比增长16%,达到264亿美元,2021年将增长18%,达到312亿美元。 3D NAND支出将创下今年最大的百分比增长,增长39%,2021年将实现7%的适度增长。DRAM预计在2020年下半年增速放缓后将增长4%,明年将跃升39%。

    时间:2020-10-11 关键词: 半导体 疫情 存储

  • 开关稳压电源和线性稳压电源的详细概述

    开关稳压电源和线性稳压电源的详细概述

    通常电源设计电路,分为线性电源和开关电源,其中线性稳压电源,是指调整管工作在线性状态下的稳压电源。而在开关电源中则不一样,开关管(在开关电源中,我们一般把调整管叫做开关管)是工作在开、关两种状态下的:开——电阻很小;关——电阻很大。 开关电源是一种比较新型的电源。它具有效率高,重量轻,可升、降压,输出功率大等优点。但是由于电路工作在开关状态,所以噪声比较大。 通过下图,我们来简单的说说降压型开关电源的工作原理。如图所示,电路由开关K(实际电路中为三极管或者场效应管),续流二极管D,储能电感L,滤波电容C等构成。当开关闭合时,电源通过开关K、电感L给负载供电,并将部分电能储存在电感L以及电容C中。由于电感L的自感,在开关接通后,电流增大得比较缓慢,即输出不能立刻达到电源电压值。一定时间后,开关断开,由于电感L的自感作用(可以比较形象的认为电感中的电流有惯性作用),将保持电路中的电流不变,即从左往右继续流。这电流流过负载,从地线返回,流到续流二极管D的正极,经过二极管D,返回电感L的左端,从而形成了一个回路。通过控制开关闭合跟断开的时间(即PWM——脉冲宽度调制),就可以控制输出电压。如果通过检测输出电压来控制开、关的时间,以保持输出电压不变,这就实现了稳压的目的。 在开关闭合期间,电感存储能量;在开关断开期间,电感释放能量,所以电感L叫做储能电感。二极管D在开关断开期间,负责给电感L提供电流通路,所以二极管D叫做续流二极管。 在实际的开关电源中,开关K由三极管或场效应管代替。当开关断开时,电流很小;当开关闭合时,电压很小,所以发热功率U×I就会很小。这就是开关电源效率高的原因。 看过完两个关于电源的FAQ后,大家可能对电源的效率计算还不了解。在后面的FAQ中,我们将专门给大家介绍。 常见的用于开关电源的芯片有:TL494,LM2575,LM2673,34063,51414等等。 根据调整管的工作状态,我们常把稳压电源分成两类:线性稳压电源和开关稳压电源。此外,还有一种使用稳压管的小电源。 这里说的线性稳压电源,是指调整管工作在线性状态下的直流稳压电源。调整管工作在线性状态下,可这么来理解:RW(见下面的分析)是连续可变的,亦即是线性的。而在开关电源中则不一样,开关管(在开关电源中,我们一般把调整管叫做开关管)是工作在开、关两种状态下的:开——电阻很小;关——电阻很大。工作在开关状态下的管子显然不是线性状态。 线性稳压电源是比较早使用的一类直流稳压电源。线性稳压直流电源的特点是:输出电压比输入电压低;反应速度快,输出纹波较小;工作产生的噪声低;效率较低(现在经常看的LDO就是为了解决效率问题而出现的);发热量大(尤其是大功率电源),间接地给系统增加热噪声。 工作原理:我们先用下图来说明线性稳压电源调节电压的原理。如下图所示,可变电阻RW跟负载电阻RL组成一个分压电路,输出电压为: Uo=Ui×RL/(RW+RL),因此通过调节RW的大小,即可改变输出电压的大小。请注意,在这个式子里,如果我们只看可调电阻RW的值变化,Uo的输出并不是线性的,但如果把RW和RL一起看,则是线性的。还要注意,我们这个图并没有将RW的引出端画成连到左边,而画在右边。虽然这从公式上看并没有什么区别,但画在右边,却正好反映了“采样”和“反馈”的概念----实际中的电源,绝大部分都是工作在采样和反馈的模式下的,使用前馈方法很少,或就是用了,也只是辅助方法而已。 让我们继续:如果我们用一个三极管或者场效应管,来代替图中的可变阻器,并通过检测输出电压的大小,来控制这个“变阻器”阻值的大小,使输出电压保持恒定,这样我们就实现了稳压的目的。这个三极管或者场效应管是用来调整电压输出大小的,所以叫做调整管。 像图1所示的那样,由于调整管串联在电源跟负载之间,所以叫做串联型稳压电源。相应的,还有并联型稳压电源,就是将调整管跟负载并联来调节输出电压,典型的基准稳压器TL431就是一种并联型稳压器。所谓并联的意思,就是象图2中的稳压管那样,通过分流来保证衰减放大管射极电压的“稳定”,也许这个图并不能让你一下子看出它是“并联”的,但细心一看,确实如此。不过,大家在此还要注意一下:此处的稳压管,是利用它的非线性区工作的,因此,如果认为它是一个电源,它也是一个非线性电源。为了便于大家理解,回头我们找一个理适合的图来看,直到可以简明地看懂为止。 由于调整管相当于一个电阻,电流流过电阻时会发热,所以工作在线性状态下的调整管,一般会产生大量的热,导致效率不高。这是线性稳压电源的一个最主要的一个缺点。想要更详细的了解线性稳压电源,请参看模拟电子线路教科书。这里我们主要是帮助大家理清这些概念以及它们之间的关系。

    时间:2020-10-10 关键词: 产品 开关稳压电源 线性稳压电源 存储

  • Linux系统实现YAFFS2文件系统存储

    Linux系统实现YAFFS2文件系统存储

    随着集成技术的发展和集成系统应用的日益广泛,对集成系统运行的需求也越来越大。因此,与硬盘相比,高性能数据的存储和管理变得越来越重要。flash等非易失性存储器的优点是体积小、体积小能源消耗。低地震容量和大NAND flash页面具有写入速度快,高容量和低容量成本。It适用于数据存储ES.Yaffs2U-boot和Linux没有正式用作支持NAND页的文件系统。结合flash和power的纸上集成电路系统,实现了nandeflash与Yaffs2文件系统的结合,为数据存储和存储提供了一个小型的智能平台正在处理系统存储程序的属性和NAND页上的Yaffs2数据存储类型如下所示描述。闪光是 啊。然后详细描述了系统迁移和文件系统生成过程,并对迁移结果进行了测试。 1 系统存储方案设计 某国产化设备用于取代随装多台套设备,除完成原设备的数据记录功能外,还需进行数据翻译、判读,数据分析处理,二维显示和三维动态复现等功能;同时,需存储装备长时间工作输出的所有原始数据信息,类似黑匣子功能,以供事后分析使用。具有程序量大,数据需实时存储,且数据存储量大的特点。板上存储设备包括SDRAM和FLASH,SDRAM为易失性存储器,作为程序的运行空间和记录数据的缓存空间;FLASH为非易失性存储器,用于存储系统软件程序和记录数据。 嵌入式系统中应用的FLASH主要有NORFLASH和NAND FLASH两种。NOR FLASH的块大小范围为64~128 KB,其容量一般为l~32 MB,可作为嵌入式设备的启动设备,适合于代码存储。NAND FLASH的块大小范围为8~64 KB,容量一般为8~512 MB,适合于数据存储。它们之间的主要差别有以下几点。 (1)速度。在写数据和擦除数据时,NANDFLASH支持整块擦写操作,其速度比NOR FLASH要快得多,两者相差近千倍;读取时,NAND FLASH要先向芯片发送地址信息进行寻址才能开始读写数据,而NOR FLASH的操作则是以字或字节为单位进行的,直接读取,所以读取数据时,NOR FLASH效率更高。 (2)容量和成本。NOR FLASH的每个存储单元与位线相连,增加了芯片内位线的数量,不利于存储密度的提高。在面积和工艺相同的情况下,NANDFLASH的容量比NOR FLASH要大得多,生产成本更低。 (3)易用性。NAND FLASH的I/O端口采用复用的数据线和地址线,必须先通过寄存器串行地进行数据存取,各个产品或厂商对信号的定义不同,增加了应用的难度;NOR FLASH有专用的地址引脚来寻址,较容易与其他芯片进行连接,另外还支持片上执行XIP(eXecute In Place),应用程序可以直接在FLASH内部运行,简化了产品设计。 (4)可靠性。由于FLASH的电器特性,在读/写数据过程中,会产生比特位反转,造成一位或几位数据错误。NAND FLASH位反转的几率比NOR FLASH高,在使用时需要使用EDC/ECC算法。NANDFLASH还可能会随机分布坏块。 (5)耐久性。FLASH由于写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解,导致芯片老化,所以并不适合频繁地擦写,NAND FLASH的擦写次数是100万次,而NOR FLASH只有10万次。 基于以上分析,为了满足经常性的进行实时快速大容量数据存储和较长使用寿命的要求,采用NANDFLASH来存储操作系统和数据,其复杂操作、比特位反转和坏块等问题可以通过文件系统解决。NORFLASH因为出现位反转和坏块的几率小,并且读取速度快,用来存储启动程序,能保证正常启动系统的前提下提高设备反应时间。整个系统的存储空间分配如图1所示。 整个系统存储空间由SDRAM,NOR FLASH,NAND FLASH组成。其中,sDRAM分成程序空间(Prog Space)和数据空间(Data Space)。NORFLASH存储系统启动程序U-Boot;NAND FLAsH分成程序空间(Prog Space)和数据空间(Data Space),程序空间中固化存储Linux操作系统和YAFFS2文件系统及相应的应用程序,在U-Boot的控制下,通过页传输方式读入SDRAM程序空间中;数据空间中存储来自前端的原始数据,该数据在SDR-AM中打包,以页方式将数据写入NAND FLASH中,提高数据写入速度。 对小页NAND FLASH的文件系统支持已有比较多的编程实例可借鉴,而对本文使用的大页NANDFLASH的编程支持还没有完整的说明。因此,移植嵌入式操作系统,以建立对大页NAND FLASH支持的文件系统是该存储方案需解决的关键问题。 2 YAFFS/YAFFS2文件系统分析 目前广泛应用的嵌入式文件系统有JFFS/JFFS2(JournaIling FLASH File Systern) 和 YAFFS/YAFFS2(Yet Another FLASH File Syst-em)。JFFS/JFFS2文件系统主要针对NOR FLASH设计,在NAND FLASH上性能不佳。YAFFS/YAFFS2文件系统是专门针对NAND FLASH设计,其具有可写入、修改并能永久保存文件的特性,并提供了损耗平衡和掉电保护。与JFFS相比,它减少了一些功能,因此速度更快、占用内存更少。此外YAFFS自带NANDFLASH芯片驱动,并为嵌入式系统提供了直接访问文件系统的API,用户可以不使用Linux中的MTD和VFS,直接对文件进行操作。 YAFFS文件系统已发展为两个版本,YAFFS和YAFFS2。YAFFS版本只支持512 B的小页NANDFLASH。而YAFFS2作为YAFFS的升级版,在向下兼容小页NAND FLASH的同时也能够更好地支持2 KB的大页NAND FLASH。YAFFS2的性能与YAFFS相比有很大提高,表1为YAFFS,YAFFS2(512 B×8),YAFFS2(2 KB×8)三者性能比较,从测试结果可以看出,YAFFS2和2 KB大页NANDFLASH的结合更好地提高了存储器操作效率。 YAFFS2文件系统在设计时就充分考虑了大页NAND FLASH的结构,根据大页NAND FLASH以页面为单位存取的特点,将文件组织成固定大小的页,利用大页NAND FLASH提供的每个页面(2 112 B,其中前2 048 B存储数据)64 B的备用空间(SpareData,OOB)来存放ECC和文件系统的组织信息,这样不仅能够实现错误检测和坏块处理,还能够提高文件系统的加载速度。以三星公司的K9F1G08UOA的NANDFLASH为例,它的单片存储容量为128 MB,由1 024 block组成,每个块包含64 page,每个页均包含一个2 048 B的数据区和64 B的备用空间,总共包含2 112 B。结构如图2所示。 表2说明了YAFFS2文件系统数据在NANDFLASH的备用空间内的存储布局。 blockState:描述该块的状态。如果不是OxFF,就说明是坏块。相对应的是,所有正常的块,里面所有数据都是OxFF的。 chunkld:描述该页在一个文件内的索引,所以文件大小被限制在232×2 KB。chunkld为O,说明此页面保存的是文件头。不为O,说明是数据页面。文件内偏移量为0,即放在第一个页面的文件,其chunkId为1,后面的以此类推。 ObjectID:描述对象ID号,用来惟一标示一个文件。所以YAFFS2文件系统支持的文件总数限制在232个。 nBytes:记录该页面内的有效字节数。 blockSequence:记录着各块被分配出去的先后顺序,每分配出去一块,就加1。在YAFFS2文件系统建立的时候,块的扫描顺序就是由它决定的,而不是FLASH的物理介质顺序。在垃圾收集的时候也会以此作为参考之一,判断该块是否适合回收。 tagsEcc:Ecc,YAFFS Tags区域的ECC校验数据。 ECC:数据区的ECC校验数据。读/写数据区的数据时,每256 B生成3 B ECC校验和,一页面2 KB数据就会生成24 B的校验数据。 3 系统移植 此次开发采用宿主机+目标系统的开发模式。宿主机为PC+Fedora9,Fedora9安装在PC的虚拟机内。目标系统软硬件组成为目标板(CPU为S3C2440A)+U-Boot+嵌入式Linux,Linux版本为2.6.29.4。交叉编译工具为arm-linux-gcc-4.3.2。 选用嵌入式Linux系统是因为它有着技术上先进,健壮、安全;是多任务系统,支持ARM体系结构;源码开放,驱动程序及其他资源非常丰富,良好的可移植性等优点。嵌入式系统的移植从软件角度可以分为以下四个步骤。如图3所示。 (1)引导加载程序的移植,包括固化在固件(Fireware)中的boot代码和Bootloader两大部分。大多数嵌入式系统中并没有固件,Bootlo-ader是上电后执行的第一个程序。它主要用来初始化处理器及外设,然后调用Linux内核。 (2)嵌入式Linux内核移植。特定于嵌入式处理系统的定制内核以及内核的启动参数。内核的启动参数可以是内核默认的,或是由Bootlo-ader传递给它的。 (3)文件系统制作。包括根文件系统和建立于FLASH内存设备之上的文件系统。里面包含了Linux系统配置文件和运行应用软件所需要的库等。 (4)用户应用程序编写。特定于用户的应用程序,它所实现的功能通常就是设计该嵌入式系统所要达到的目标,它们也存储在文件系统内。 3.1 Bootloader移植 对于支持ARM架构的Bootloader有U-Boot,Vivi等。U-Boot(Universal Boot Loader)即通用Bootloader,是遵循GPL条款的开放源代码项目。它可以引导Linux,VxWorks,LynxOS等多种操作系统。支持PowerPC,x86,ARM等多种架构的CPU,具有丰富的设备驱动源码,如串口、以太网、SDRAM,FLASH等。系统采用U-Boot的版本为1.1.6,它已支持SMDK2410开发板,在其基础上进行修改。U-Boot 1.1.6中对NAND FLASH的支持有新旧两套代码,新代码在drivers/nand目录下,旧代码在driver/nand_legacy目录下。本次移植选用新代码,它移植自Lin-ux2.6.12,更加智能。移植过程分以下几步。 (1)根据具体输入时钟,修改时钟定义参数。SMDK2410开发板的默认时钟为12 MHz。 (2)依照实际开发板的内存地址分配情况修改lowlevel init.S文件。 (3)针对S3C2410,S3C2440 NAND FLASH控制器的不同,修改接口参数。 (4)仿照内核支持NAND FLASH的文件来编写片选函数。命令和控制函数,查询状态函数。 (5)根据具体NAND FLASH芯片设置时序参数。 (6)增加从NAND FLASH烧写,读取YAFFS2文件系统映像功能。 (7)修改Makefile文件,将新建文件编入U-Boot中。 在编写烧写YAFFS2文件系统映像的命令时,要注意YAFFS2文件系统映像里除了2 KB的数据外,后面还包括了64 B的OOB数据,所以映像文件大小是以2 112 B为单位。OOB中已经包含了ECC,在烧写时不需要再计算ECC校验码。烧写时,首先检查是否为坏块,是就跳过,然后写入2 KB的数据,最后写入64 B的OOB数据。还要增加对skipfirstblk参数的支持。使烧写YAFFS2文件系统映像时,跳过分区上第一个块,这是由YAFFS2文件系统特性决定的。 由于不使用ECC校验码,烧写过程中会不断提示以下信息: Writing data without ECC to NAND-FLASH is not reeom-mended 可以修改driver/mtd/nand/nand base.C文件的nand_write_page函数,将输出这条信息的命令去掉。 最后执行make XX_config和make all命令,生成的U-Boot.bin文件即可以运行与目标板上了。将它烧入NOR FLASH后启动,在串口工具中能够看到提示信息。输入nand info命令即可查看到NAND FLASH的信息,说明U-Boot识别出了NAND FLASH。 3.2 嵌入式Linux内核移植 目前Linux内核还没有正式支持YAFFS文件系统,所以需要通过补丁修改Linux内核,另外YAFFS文件系统也需要MTD设备驱动的支持。首先下载最新版本的2.6内核,这里以linux-2.6.29.4为例。尽管Linux 2.6并不是一个真正的实时操作系统,但其改进的特性能够满足系统响应需求。再下载YAFFS代码包。内有YAFFS和YAFFS 2两个文件夹。其中YAFFS已经不再维护,进入YAFFS2。文件夹内有patch-ker.sh补丁文件,使用以下命令将YAFFS2加入到Linux内核。 以上命令完成了三件事情: (1)修改内核fs/Kconfig。增加一行:source”fs/YAFFS2/Kconfig”。 (2)修改内核fs/Kconfig。增加一行:ojb-MYM(CONFIG_YAFFS_FS)+=YAFFS2/。 (3)在内核fs/目录下创建YAFFS2目录;将YAFFS2源码目录下面的Makefile.kernel文件复制为内核fs/YAFFS2/Makefie;将YAFFS2源码目录的Kconfig文件复制到内核fs/YAFFS2目录下;将YAFFS2源码目录下的*.C*.h文件复制到内核fs/YAFFS2目录下。 进入内核目录,修改makefile,并对内核进行默认配置进行修改,使其支持本开发板。 结合U-Boot信息修改NAND FLASH分区,使其两者结构大小保持一致。注意分区的大小要以128 kB为单位。 根据具体NAND FLASH芯片特性,修改tacls,twrph0,twrphl的值。 修改arch/arm/tools/math-types文件,使其Linux内核的机器号与Bootloader传递来的参数一致。建立好交叉编译环境,在环境变量PATH中添加交叉编译工具路径。或者直接在makefile文件内添加修改也可以。使用make s3c2410_defconfig命令,将2410的默认配置文件写到当前目录下的.config。使用make me-nuconfig命令配置内核模块的功能,要选中MTD和YAFFS2支持。在Boot options选项中增加以下语句。 使用make zImage命令,生成是zlmage映像文件。再用mkimage工具制作ulmage,uImage是U-Boot专用的映像文件,它在zImage之前加上一个长度为0x40的“头”,说明这个映像文件的类型、加载位置、生成时间、大小等信息。 3.3 制作文件系统 嵌入式Linux系统都需要构建根文件系统,构建根文件系统的规则在文件系统层次标准(Filesystem Hi-erarchy Standard,FHS)文档中。首先建立根文件系统目录和动态链接库,然后使用Busybox工具可以生成根文件系统所需的bin,sbin,usr目录和linuxrc文件。Bosybox是一个遵循GPL v2协议的开源项目,它在编写过程总对文件大小进行优化,并考虑了系统资源有限(比如内存等)的情况,为嵌入式系统提供了一个比较完整的工具集。 YAFFS2源代码包内除了本身文件系统代码外,utils 目 录下还包含了 mkYAFFSimage/mkYAFFS2image的代码,修改Makefile里的内核路径编译出mkYAFFSimage/mkYAFFS2image工具。其中mkYAFFSimage用于制作512 B的小页YAFFS文件系统,mkYAFFS2image用于制作2 KB以上的大页YAFFS2文件系统。输入以下格式命令,制作出支持大页的YAFFS2文件系统映像。 mkYAFFS2image MYM{PRJROOT}rootfs rootfs.YAFFS 通过mkYAFFS2image制做出来的映像文件其OOB中包含的ECC是使用YAFFS2/YAFFS ecc.c文件中的YAFFS ECCCaimJlate函数计算出来的 ECC校验码,其校验算法和nand ecc.c文件内的nand_calculate_ecc函数校验算法不同,如果在内核中由MTD来处理ECC,当读取NAND FLASH中的数据时,会通过nand_calculate_ecc函数的算法再生成一个新的ECC校验和,校验的时候,将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验和按位异或,其错误的结果会造成系统认为所有的页面都是错误的。解决办法有两种,一是在内核编译时把Lets YAFFS do itsown ECC选上,同时修改内核把MTD驱动中的ECC校验关闭;二是修改mkYAFFS2image.c文件,使其制作image时使用nand_caleulate_ecc函数的校验算法,在内核编译时不要把Lets YAFFS do its own ECC选上,同时打开MTD驱动中的ECC校验。 3.4 系统测试 启动系统后,Bootloader首先运行,然后它将内核复制到内存中,并且在内存某个固定的地址设置好要传递给内核的参数,最后运行内核。内核启动之后,它会将文件系统挂载为根文件系统,接着启动文件系统中的应用程序。启动途中会显示如下信息: 以上信息说明系统已经找到NAND FLASH设备,并识别出分区。进入系统后,输入下面命令。 在输出结果中,显示了YAFFS2的相关信息,说明Linux内核已经支持YAFFS2文件系统。 建立挂载点,挂载blockdevice设备。 查看mount上的目录,可以看到该目录下有刚才拷贝的文件,将其umount后,再次mount上来,发现拷贝的文件仍然存在,这时删除该文件然后umount,再次mount后,发现拷贝的文件已经被删除,说明该分区能正常读/写。 在FLASH上建立根文件系统: 重新启动,改变启动参数: 重新启动,内核可以从NAND FLASH启动根文件系统。 4 结语 大页NAND FLASH的快速擦除、读/写性能满足了系统对实时性的要求,YAFFS2可靠的掉电保护和高效率的读写以及对NAND FLASH存储设备的保护等优势增加了整个系统的安全性和健壮性,两者的结合达到了装备对数据的大容量存储和管理的需求。目前,该系统已装备于某部,用于实时监测装备的战技术状况,以及长时间实时记录装备工作数据,用于事后分析评估装备性能和操作手水平,在部队作训中发挥了重大作用。

    时间:2020-09-29 关键词: Linux yaffs2 存储

  • 乘风破浪 24 年,英睿达突破创新,满足用户多元化的需求

    乘风破浪 24 年,英睿达突破创新,满足用户多元化的需求

    您是否有过这样的疑问,每次按下电源按钮、加载应用程序、保存文档和流内容,或者虚拟化数据库时,这一切为何能如此流畅的进行?这正是内存和存储的作用,没有它们,系统就无法工作。而谈起内存和存储,就不得不提到——Crucial英睿达。 作为全球最大的内存制造商之一Micron美光旗下的一个品牌,Crucial英睿达与其实现了垂直整合,因此Crucial英睿达客户在190个国家享有可靠的供应、有竞争力的价格和质量保证。历经24年的“乘风破浪”,Crucial英睿达靠着专业、创新与热情已真正成长为我们身边的“内存和存储专家”。 24年前,Crucial英睿达才只是刚刚起步;24年后,Crucial英睿达已处于全球领先地位。到底是什么让Crucial英睿达冲破层层“关卡”走到今天? 英睿达的专业优势,更好地提高系统性能 从最早的现代内存模块到尖端的DDR4技术,Crucial英睿达从业界伊始就开始设计为计算机提供支持的内存和存储。凭借其自身的专业优势,截至目前,Crucial英睿达已帮助全球超过174,000台计算系统升级,其在线兼容工具每月使用超过1,200,000次,顾问工具每天使用超过34,267次,扫描工具每天使用超过6,648次。Crucial英睿达为何如此受欢迎?由于市场上有超过10万种产品,对于很多用户来说,内存和存储的选择曾是众所周知的难题。然而,通过利用 Crucial英睿达的兼容工具,难题迎刃而解,用户立刻便可成为内存和存储的行家里手。只需要三个问题,Crucial英睿达就能充分了解所使用的系统,在不到一分钟的时间内提供兼容零部件的清单。自从该工具于1998年问世以来,已被使用了2,500万次,而且这个数字还在不断增加。 除此之外,官方网站每日的浏览人数超过10万人,社区每月平均访问量超过16万人次,有6万条内容和论坛主题,有25,000项专利在案,是内存行业最活跃的脸书粉丝的家园。内存和存储与Crucial英睿达息息相关, Crucial英睿达将专业优势转化为具体的方法,从而帮助使用者更好地提高系统的性能。 数百次的质量检测,成就英睿达的可靠性 内存运行着大家每天都在使用的应用程序,而SSD存储着人们的数字生活。因此,可靠性是非常重要的。从矿砂到硅片再到成品,每一个Crucial®内存模块和SSD在出厂前都会通过数百次质量检查,接受全面的可靠性测试。结果不言而喻:过去10年中,日常用户的评论平均为4.8分(满分5分),Crucial英睿达产品赢得了全球IT和科技媒体的300多个奖项。 24年乘风破浪,英睿达承诺不变 其实早在20年前,Crucial英睿达就开始销售1MB的FPM内存模块,这在当时是容量非常大的,而现在最小的DDR4模块是4GB。拥有6代客户端SSD和7代成熟可靠的内存技术,Crucial英睿达也一直践行着让系统性能更好,体验更佳的使命。也正是如此,Crucial英睿达才能在时代的洪流中顽强生存。 24年的坚持不易,24年的创新发展更不简单。过去的每一年Crucial英睿达都用创新引领行业,用实力征服用户。 在中国传统文化中,24代表着很多美好的寓意。比如一年有24节气,一天有24小时。24就像是一块硕果累累的里程碑,它象征着Crucial英睿达在过去24年里的辉煌成就,也预示着一个生机勃发的未来正在到来。今年是Crucial英睿达的第24年,它正像一个意气风发的青年,向着更远的目标征程,而这一路上也少不了用户的陪伴与支持。 为了感谢用户对于Crucial英睿达的支持,特此推出9月大促活动,多重满减优惠、下单抽奖得分享券以及一元秒杀券等一系列惊喜福利等你来发现。

    时间:2020-09-25 关键词: 内存 英睿达 存储

  • 如何选择一款性能均衡并且性价比高的手机?

    如何选择一款性能均衡并且性价比高的手机?

    5G时代,手机对于每个人是必不可缺的娱乐、工作工具之一。而市面上的手机种类越来越多,如何选择一款适合自己、性能均衡、性价比高的手机就非常重要了。 一、手机处理器 一款手机最重要的就是手机处理器,也是核心部件之一,其实这个对于手机有点了解的人都知道,现在手机处理器主要有高通的骁龙系列,苹果的A系列,三星的猎户座系列,华为的麒麟系类还有就是现在联发科的天机系列。 而现在高端处理器有骁龙865、苹果A13、麒麟990、天机1000等,一般是会搭载在手机品牌旗舰机上,而中端处理器则有骁龙7系列、麒麟820、天机820等处理器。 手机的处理器越好,一般情况,手机就越流畅。不过处理器越好,相应的功耗也就越大,手机就容易发热,那就看手机厂商的优化了。 二、存储 说到存储可能大家都知道,肯定是越大越好,储存的数据就越多。手机的存储分为内存和闪存,而内存的规格也有级别。 运存就是运行内存,手机的运存的规格排名LPDDR4X>LPDDR4>LPDDR3,现在LPDDR4比LPDDR3的速度快了一倍,而LPDDR4X比LPDDR4功耗降低了40%。 而手机内存的规格则是USF3.1>USF2.1>USF2.0>emcc5.1。也就是我们说的存储空间规格。 这些东西手机产商都不会告诉你的,在宣传上缺点都是一笔带过的,宣传手机的最好的部分配置,或者宣传处理器如何强悍。 其实即使手机的处理器很强悍,如果运存和内存跟不上的话,也会不流畅,甚至是卡顿,因为手机程序是需要数据交互,读写速度跟不上的话,处理器再好也是白搭。 三、手机屏幕 一般对于屏幕这块手机产商都不怎么宣传,因此消费者也不重视。不过由于市场竞争的加剧,不少手机产商开始科普屏幕了。开始宣传屏幕的优势。 按照分类的话,屏幕分为LCD屏幕和OLED 屏幕,两种屏幕各有利弊。LCD屏幕优势护眼,功耗低,不过不能弯曲;OLED 屏幕的优势就是能够弯曲,显示效果饱满,缺点就是闪屏、伤眼。 LCD屏幕最好的是夏普的,而三星的OLED屏幕显示效果目前是最好的。而目前国内的屏幕生产厂商京东方也在不断的发展进步,华为的手机就有采用京东方的屏幕。 除了屏幕素质之外,屏幕还有分辨率和刷新率的分别。分辨率相信大家都知道,排序基本上是这样4K>2k>1080P>720P,分辨率代表着清晰度,分辨率越高,那么就越清晰。 而刷新率也是在去年开始流行起来的,排序是这样144>120Hz>90Hz>60Hz,屏幕的刷新率越大,手机就越流畅,动态的刷新效果就越好,不过相对的话功耗也更大,更费电。 四、摄像头 就是手机的摄像头,很多人都知道拍照要看像素,一般情况下,像素越高,拍摄越清晰。 但是其实影响拍摄质量的因素却非常多,比如传感器,进光量、算法。因此手机具体的拍照效果成像还是得自己去体验,千万不要相信商家宣传的像素。 像素也不是越大越好,跟算法的优化息息相关的。 而在相机的核心参数方面,但相机的传感器最终成像效果还是要看手机厂商的优化,同样是索尼IMX586传感器,有的厂商优化的很好,而有的又成像效果就太差了。 在相机的算法上苹果、三星、华为等手机厂商的算法都是很不错的。总的来说讲就是软件硬件都要好。 五、续航 手机电池续航能力是目前很多消费者买手机非常关注的问题,也是手机厂商作为手机的卖点之一。 目前手机厂商普遍采用的方式都是增加手机的电池电量,同时在手机的电池优化方面也下了一番功夫,因此对于手机的续航也是相对大了。 手机的续航好不好,还是要看电池容量和快充。其实这个很容易了解,电池容量大的一般手机续航还是会更好的,另外手机的快充,代表着手机的充电速度。 现在的手机充电是越来越快,有了100W、65W、55W、44W等,最快的半小时甚至更就可以快充满手机。

    时间:2020-09-21 关键词: 手机 电池 存储

  • Redmi 9A 大存储版正式开售 :配6.53英寸超大屏幕

    Redmi 9A 大存储版正式开售 :配6.53英寸超大屏幕

    9月15日,Redmi 9A 4GB+128GB大存储版本正式开售,Redmi 9A配备了一块6.53英寸的超大屏幕,可以让用户在使用时更加轻松,搭配德国莱茵低蓝光认证,可以有效缓解疲劳呵护双眼;Redmi 9A配备了Helio G25八核处理器,结合MIUI系统深度优化,日常体验流畅。 作为一款百元级产品,Redmi 9A配备了一块5000mAh的大电池,日常使用可以做到两天一充,日常待机超过一个月,如果是播放音乐的话,可以连续播放7.4天,视频播放时长也达20.8小时,对于有长续航需求的用户来说是格外友好;Redmi还首次采用了长续航电池,可以做到比普通电池寿命多1年,让你放心用。 Redmi作为近几年异军突起的一个手机厂商,为用户带来了诸多高性价比的产品,比如前段时间亮相的Redmi K30至尊纪念版重回1999元遭到不少网友疯抢。 此外,Redmi 9A 仅799元畅快玩,购机赠价值798元双人定制体检卡,4000个十周年帆布包赠完即止。

    时间:2020-09-15 关键词: redmi 存储

  • UFS 2.2 标准正式公布:新增写入加速、传输更快

    UFS 2.2 标准正式公布:新增写入加速、传输更快

    8月19日消息 JEDEC 固态技术协会今天公布了新的 Universal Flash Storage(UFS)标准 UFS 2.2,新增支持联发科天玑 800U 和天玑 720 SoC 芯片。UFS 2.2 的存在最早是在联发科支持 5G 的 SoC-- 天玑 800U 和天玑 720 SoC 芯片中被确认,但当时最新的 UFS 标准 2.x 版本为 UFS 2.1,3.x 版本为 UFS 3.1,所以详细的内容还没有公布。目前,JEDEC 已经发布了 UFS 2.2 标准,文件号为 JESDJESD220C-2.2,明确了该标准的规范。获悉,UFS 2.2 和UFS 2.1 的区别在于增加了 Write Booster(写入加速器)功能,比 UFS 2.1 提高了写入速度。写入速度的提高一般会带来更快的应用启动速度、缓存加载带来更好的浏览行为、更快的编码时间等诸多良好特性。

    时间:2020-09-09 关键词: ufs 存储

  • PC党等来了:内存、SSD存储芯片价格年底前要跌10%

    PC党等来了:内存、SSD存储芯片价格年底前要跌10%

    考虑装机DIY的用户们,可以稍安勿躁,好消息拍马赶到。 来自Digitimes的最新报道称,业内消息显示,存储类芯片产品的价格将在今年第四季度环比下跌10%,注意,这包括但不限于DRAM和NAND。 DRAM就是DDR内存芯片,NAND就是闪存芯片,换言之,内存条、SSD的价格将进一步松动。 此次价格下探的原因在于库存挤压,这与上半年疫情的因素影响有关。 由于四季度是传统的出货旺季,包括覆盖感恩节、圣诞节、双11、双12等购物狂欢活动,厂商和渠道商们寄望于借此来快速消化库存,回笼资金。 事实上,上周,宇瞻总经理张家騉更是判断,DRAM和NAND存储芯片供过于求的局面将一直持续到明年上半年。 另外,DDR5内存最快年底才能量产,消费平台的商用还有段日子,所以DDR4仍可放心入手。至于闪存,那更是越早越好,没看现在市面上TLC颗粒都越来越少了。

    时间:2020-09-04 关键词: 芯片 内存 pc ssd 存储

  • 东芝新品热烧高交会:智慧社会动起来!

    东芝新品热烧高交会:智慧社会动起来!

      第十六届中国国际高新技术成果交易会(简称高交会)电子展已落下帷幕,今年的展会上我们可以看到,各大厂商为吸引关注纷纷推陈出新祭出各种响亮口号。作为半导体和存储产品解决方案的领先厂商,东芝在今年的电子展上推出了“智社会 人为本”的全新企业理念,并带来了一系列创新的产品与解决方案,与此同时,东芝也于11月17日在深圳马哥孛罗酒店举办了新闻发布会。   事实上,高交会已经成为东芝重要的新产品发布平台,本届高交会东芝带来了数十件新产品,吸引了大批观众观摩,展台一度出现“拥堵”现象。      东芝电子(中国 )有限公司董事长兼总经理田中基仁      东芝电子(中国 )有限公司董事长兼总经理田中基仁、东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司、东芝半导体&存储公司技术营销部总经理吉本健均来到高交会现场并参加媒体发布会,显示出东芝对高交会的重视。      2014高交会东芝展台现场,东芝展示了一系列产品,重点新产品涉及“电源与汽车”、“记忆与存储”和“连接与可穿戴”三大应用。所谓的“智社会 人为本”理念讲述的是通过东芝尖端的科技实力、产品及服务让人们的生活更加舒适和智能。既然是从产品出发,下面就让我们来看看东芝今年又推出了哪些值得关注的新品。   存储产品显光彩 东芝15nm MLC NAND助力智慧社会   东芝的传统强项在于其不断更新的存储器产品以及领先业界的NAND闪存技术。发布会上,野村尚司先生着重为我们讲解了东芝最新推出的集成式NAND闪存产品——嵌入式MMC(e·MMC™)系列存储器。      东芝推出的15nm MLC NAND芯片,号称全球最小级别,进一步改良了外围电路技术,接口速率达到了533MBPs,相比旧版的19nm工艺提升了1.3倍。   东芝电子中国有限公司董事长兼总经理田中基仁表示, 在3D NAND 生产方面,考虑到3D NAND 的成本和可靠性问题,目前东芝的还没有开始量产 3D NAND,预计2016年 3D NAND可以走入我们的生活。

    时间:2020-09-01 关键词: 高交会 可穿戴设备 东芝半导体 存储

  • 成立15载,兆易创新为何能晋级行业第一?存储/MCU/传感三大产品线揭秘

    成立15载,兆易创新为何能晋级行业第一?存储/MCU/传感三大产品线揭秘

    “兆存储 易控制 新传感”,2020兆易创新全国巡回研讨会北京站已落下帷幕,从其所介绍的存储器、微控制器(MCU)、传感器三大产品线的技术进展,可以看出这家国内IC设计商在过去几年业务的突飞猛进和取得的傲人成绩。 成立15载,获得多项行业第一 兆易创新执行副总裁、存储器事业部总经理舒清明介绍了兆易创新的全新战略和布局。 兆易创新2005年成立于北京,目前在全球的员工接近1100名。经过15年的发展,兆易创新从一个小公司已经不断的壮大,2016年在上海证券交易所成功上市。目前是集存储器、微控制器、传感器于一体,国内领先的半导体解决方案供应商。 15年的辛勤耕耘,兆易创新实现了多个行业第一。目前,兆易创新是全球排名第一的无晶圆厂NOR Flash供应商,在SPI NOR Flash领域,市占率是全球第三。在中国品牌的芯片设计公司中,兆易创新目前是排名第一的Flash以及32位ARM通用供应商,在指纹传感器领域,兆易创新是中国排名第二的供应商。目前已经申请了超过1100多项专利,授权的专利有600多项,这些专利分布在中国、美国、欧洲等多个地域。 2008年,兆易创新转型开始做SPINOR Flash,2013年发布了32位通用MCU,同年,推出了全球首颗SPI NAND Flash,2016年成功上市,2017年与合肥产投签订了先进的DRAM合作项目,2019年收购了思立微,补齐了兆易创新在传感器的版图。2019年同时发布了全球首颗RISC-V通用MCU。到去年为止,Flash出货量已经超过130亿颗,MCU超过4亿颗。 存储产品种类齐全:NOR Flash、NAND Flash还有DRAM 全球NOR Flash市场总规模约30亿美元,还在逐年稳步增长,未来,随着国际大厂逐步退出市场,兆易创新将扩张中高容量NOR Flash产品。兆易创新的NOR Flash产品门类齐全,电压覆盖广,容量覆盖全,目前产品支持1.8V、2.5V、3.3V以及宽电压范围,容量从512Kb到512Mb,可以涵盖市场主流容量类型。最近,兆易创新推出了大容量新产品,可达2GB。得益于TWS、汽车电子、智能手机、互联网以及5G相关领域的广泛需求,预计NOR Flash市场容量会保持在10%的增长速度。 在NANDFlash产品线上,兆易创新提供高可靠性、高性能产品,电压覆盖1.65V-3V。面向的市场包括网络通信、智能电视以及可穿戴、机电和工业控制等。 研讨会现场,兆易创新Flash事业部的市场经理薛霆秀了一张幻灯片,毋庸置疑,这些问题的答案都指向了一家公司——兆易创新,从中也可以看出10余年来兆易创新在Flash产品上所取得的傲人成绩。 在整个集成电路行业扮演重要角色的DRAM存储器,全球市场大约630亿美元,中国的市场需求大概是全球的四成以上,整个国内市场规模在2000亿人民币以上。兆易创新看好DRAM市场,正在后来居上,将从先进工艺制程切入DRAM产品,预计将从19nm开始进入,未来还会打造17nm产品线等。 要作GD32 MCU百货公司 作为国内ARMCortex市场排名第三位的MCU玩家,兆易创新不仅有ARM Cortex内核产品,同时也提供RISC-V通用MCU产品。 兆易创新对MCU产品线的一个愿景,就是做GD32 MCU百货公司。作为主控去布局MCU周边,为客户提供一站式解决方案。兆易创新即将推出Wifi MCU,目前的产品已经配备eFlash,未来还有推出集成eNVM、eMRAM、eRRAM的MCU产品,增强产品的可靠性和高速吞吐性。在生产工艺上,可以支持110nm,55nm,40nm等不同工艺。 到目前为止,兆易创新已经拥有27条MCU产品线,可以为用户提供超过360多个型号选择。 兆易创新的MCU产品除了具有卓越的性能以外,还具有更好的动态功耗和静态功耗,可靠性也非常高,可以满足5G基站应用需求。 作为MCU主控厂商,兆易创新的MCU可以支持主流的IDE工具还有Debug工具,兆易创新每一代的MCU的开发都遵循高性能和产品系列间兼容特性、开发简易性和工业级可靠性。这个宗旨为GDMCU赢得了国内领导厂商的地位。 从指纹传感器到TOF,拥有人机交互核心技术 2019年兆易创新通过收购思立微进入传感器市场,补齐了在人机交互领域的核心技术和产品。 兆易创新的整个传感器产品线涵盖声、光、电、超声波等多个类型,主赛道是指纹应用和触控应用,另外,针对健康、音视频领域也有相应的传感器产品。 在触控应用领域,兆易创新可支持全尺寸从1寸到15寸全指纹的触控产品。 兆易创新非常看好超声波业务,因为超声波跟TOF结合会产生很多应用方向,例如,汽车车门解锁、车内按键启动等应用场景,在下雨时,假设车门潮湿,在这样的环境下,电容式指纹可能会产生一些问题,而超声波指纹可以完美避掉这些不足。对于超声波产品,兆易创新明年会推出穿透距离更灵敏、穿透距离更远的产品。 超声波TOF,即Memory 超声TOF是兆易创新最近一个新方向。超声波TOF在汽车中有广泛应用前景,它与光学TOF互补,可以用来车内的精准检测,防止把儿童遗忘车内事故发生。GD TOF解决方案可以兼容市场上现有方案,可支持1350nm到1550nm长波段和940nm波段,符合屏下方向需求。

    时间:2020-08-28 关键词: 传感器 MCU 兆易创新 技术专访 存储

  • Spark优化之小文件是否需要合并?

    Spark优化之小文件是否需要合并?

    我们知道,大部分Spark计算都是在内存中完成的,所以Spark的瓶颈一般来自于集群(standalone, yarn, mesos, k8s)的资源紧张,CPU,网络带宽,内存。Spark的性能,想要它快,就得充分利用好系统资源,尤其是内存和CPU。有时候我们也需要做一些优化调整来减少内存占用,例如将小文件进行合并的操作。 一、问题现象 我们有一个15万条总数据量133MB的表,使用SELECT * FROM bi.dwd_tbl_conf_info全表查询耗时3min,另外一个500万条总数据量6.3G的表ods_tbl_conf_detail,查询耗时23秒。两张表均为列式存储的表。 大表查询快,而小表反而查询慢了,为什么会产生如此奇怪的现象呢? 二、问题探询 数据量6.3G的表查询耗时23秒,反而数据量133MB的小表查询耗时3min,这非常奇怪。我们收集了对应的建表语句,发现两者没有太大的差异,大部分为String,两表的列数也相差不大。 CREATE TABLE IF NOT EXISTS `bi`.`dwd_tbl_conf_info` ( `corp_id` STRING COMMENT '', `dept_uuid` STRING COMMENT '', `user_id` STRING COMMENT '', `user_name` STRING COMMENT '', `uuid` STRING COMMENT '', `dtime` DATE COMMENT '', `slice_number` INT COMMENT '', `attendee_count` INT COMMENT '', `mr_id` STRING COMMENT '', `mr_pkg_id` STRING COMMENT '', `mr_parties` INT COMMENT '', `is_mr` TINYINT COMMENT 'R', `is_live_conf` TINYINT COMMENT '' ) CREATE TABLE IF NOT EXISTS `bi`.`ods_tbl_conf_detail` ( `id` string, `conf_uuid` string, `conf_id` string, `name` string, `number` string, `device_type` string, `j_time` bigint, `l_time` bigint, `media_type` string, `dept_name` string, `UPDATETIME` bigint, `CREATETIME` bigint, `user_id` string, `USERAGENT` string, `corp_id` string, `account` string ) 因为两张表均为很简单的SELECT查询操作,无任何复杂的聚合join操作,也无UDF相关的操作,所以基本确认查询慢的应该发生的读表的时候,我们将怀疑的点放到了读表操作上。通过查询两个查询语句的DAG和任务分布,我们发现了不一样的地方。 查询快的表,查询时总共有68个任务,任务分配比如均匀,平均7~9s左右,而查询慢的表,查询时总共1160个任务,平均也是9s左右。如下图所示: 至此,我们基本发现了猫腻所在。大表6.3G但文件个数小,只有68个,所以很快跑完了。而小表虽然只有133MB,但文件个数特别多,导致产生的任务特别多,而由于单个任务本身比较快,大部分时间花费在任务调度上,导致任务耗时较长。 那如何才能解决小表查询慢的问题呢? 三、业务调优 那现在摆在我们面前就存在现在问题: 为什么小表会产生这么小文件 已经产生的这么小文件如何合并 带着这两个问题,我们和业务的开发人员聊了一个发现小表是业务开发人员从原始数据表中,按照不同的时间切片查询并做数据清洗后插入到小表中的,而由于时间切片切的比较小,导致这样的插入次数特别多,从而产生了大量的小文件。 那么我们需要解决的问题就是2个,如何才能把这些历史的小文件进行合并以及如何才能保证后续的业务流程中不再产生小文件,我们指导业务开发人员做了以下优化: 使用INSERT OVERWRITE bi.dwd_tbl_conf_info SELECT * FROM bi.dwd_tbl_conf_info合并下历史的数据。由于DLI做了数据一致性保护,OVERWRITE期间不影响原有数据的读取和查询,OVERWRITE之后就会使用新的合并后的数据。合并后全表查询由原来的3min缩短到9s内完成。 原有表修改为分区表,插入时不同时间放入到不同分区,查询时只查询需要的时间段内的分区数据,进一步减小读取数据量。

    时间:2020-08-28 关键词: spark 小文件 存储

  • 云计算会给分布式存储带来什么新的的影响

    云计算会给分布式存储带来什么新的的影响

    分布式存储服务器可以更有效地利用冗余计算能力,保证敏感数据的安全。通过“自我管理”实现计算能力的非中介化,充分利用具有广阔发展潜力和前景的共享经济模式聚集全球计算能力,市场有望增长。 集成分布式存储服务器和区块链技术,构建可信的共享计算生态系统。分布式存储服务器通常由P2P计算网络、信用评级系统、计算交易系统和任务计算执行系统组成。 在计算机网络连接和通信后,分布式存储服务器将需要大量计算的工程数据分为若干小块,分别由网络中的多台计算机提供。上传计算结果后,统一计算结果,得出数据结论。 分布式存储服务器在此过程中,篡改区块链技术和智能合约的能力有助于实现机器之间可信的计算能力交易。分布式存储服务器将充分利用共享经济模式收集全球闲置计算能力,支持高性能计算、人工智能、物联网等领域的超大规模数据计算、分析与仿真,同时形成大规模计算能力市场。 国内外区块链领域的分布式计算项目越来越多。共享计算模式最早出现在俄罗斯的SonM项目中,该项目允许用户将个人设备连接到虚拟空间,并创建了一个分布式平台,消费者和供应商可以在此平台上租用和购买计算能力和显示价格。 一旦从该平台获得资源,消费者就可以使用它们来呈现视频、宿主应用程序和网站,以及存储、分析和计算数据。立尔讯科技通过游戏和连锁区块和中国技术构建可信的共享计算生态系统,利用共享经济模式形成大规模商业应用,提供150多个节点更快、1500多pb 30兆字节的海量存储空间和全社会的预留带宽,能够满足企业对存储、网络速度、边缘和功能计算的需求。有效提高社会资源利用效率。 Rrchain在中国提供了易于使用的挖掘工具,允许用户通过浏览器、客户端等方式进行挖掘。RRchain通过收集和整合全球各个终端的空闲计算能力,应用于科学研究、大数据分析、算法模型训练等领域,分布式计算的发展前景广阔。大规模的商业应用需要很长时间。 分布式存储服务器云计算市场发展迅速。许多计算资源被大型跨国科技公司垄断,许多个人计算机设备和资源闲置。分布式计算可以更有效地利用冗余计算能力来保证敏感数据的安全,而计算能力的“自管理”去中介化有望成为未来网络计算的发展方向。 然而,虽然相对成熟的云计算还没有被很多大企业完全接受,但目前基于区块链网络的分布式计算业务在技术上还不完善,有的还在测试网络上运行,主要体现在传统的云计算服务上。 与稳定性、速度和安全性相比,基于区块链网络的分布式存储服务器实现规模较大,商业化需要5年以上的时间。毫无疑问,随着经济模型、荣誉和集成系统的发展,智能合约的安全性和边缘计算技术的稳定性都得到了提高。自我管理在社会统计、气候预测、药物研发、算法培训等领域的应用将不断拓展和延伸,具有广阔的发展潜力和前景,市场规模有望扩大。

    时间:2020-08-27 关键词: 分布式 云计算 存储

  • 关于存储技术的入门科普

    关于存储技术的入门科普

    说到 “存储”,大家会想到什么?是这个?还是这个?又或者是这个?哈哈,没错,我们现在处于信息时代,每天都在和电脑、手机打交道。我们的工作和生活,已经完全离不开视频、音乐、图片、文本、表格这样的数据文件。而所有这些数据文件,都需要通过电子设备进行保存,这就是数据存储,简称存储。▉ 存储的基本载体——硬盘对于普通用户来说,最常见的存储设备,就是硬盘。我们知道,计算机的三大核心硬件,分别是 CPU(中央处理器)、内存(Memory)和硬盘(Hard Disk)。CPU 负责运算,硬盘负责存储。而内存,是 CPU 和硬盘之间的桥梁。用于暂时存放 CPU 中的运算数据。CPU、内存、硬盘绝大部分的台式机、服务器、手机,都是内置存储系统。也就是说,它们的硬盘安装在设备内部。以普通台式机为例,硬盘通过专用接口和数据线,连接在主板上,实现和 CPU、内存的数据连接。台式机上安装好的硬盘常用的硬盘专用接口如下:手机等数码设备的 “硬盘”,则是做成了很小的存储芯片,直接焊在主板上。常见的手机存储芯片:eMMC、UFS(更快)我们再来简单看看硬盘的内部结构。目前主流的硬盘类型有两种,分别是传统机械硬盘和 SSD 固态硬盘。小枣君以大家比较熟悉的机械硬盘为例进行介绍。左边是机械硬盘,右边是 SSD 固态硬盘硬盘之所以叫硬盘,是因为它的核心部分是一块或多块由坚硬金属材料制成的盘片。盘片上面涂抹了磁性介质,两面都可以记录信息。在盘面上读 / 写数据的,是磁头。硬盘,也叫磁盘(有点像唱片机)下图显示的是一个盘面:盘面中一圈圈灰色同心圆为一条条磁道。从圆心向外画直线,可以将磁道划分为若干个弧段,每个弧段被称之为一个扇区(Sector,图中绿色部分)。扇区是磁盘的最小组成单元。大家应该看出来了,越靠圆心,扇区越短。那么,是不是越往外,扇区越长,存储的数据越多呢?不一定。老式的硬盘,不管靠内还是靠外,每个扇区的大小是一样的,都是 512 字节。这种硬盘用柱面 - 磁头 - 扇区号(CHS,Cylinder-Head-Sector)组成的编号进行寻址。而现在主流的硬盘,扇区密度是一致的,也就是说,越靠外侧,扇区数越多。每个扇区的大小是 4K 字节,用一个逻辑块编号寻址(LBA,Logical Block Addressing)。以扇区为基础,一个或多个连续的扇区组成一个块,叫做物理块。所以,硬盘往往又叫块设备(Block Device)。▉ 什么是逻辑卷?什么是文件系统?为了方便管理,我们可以将硬盘这样的物理块设备,分割成多个逻辑块设备。或者,我们也可以将多个物理块设备,组合成一个容量更大的逻辑块设备。底层的相关技术和工具,包括 RAID(大家可能比较熟悉)、JBOD、卷管理系统(Volume Manager)。Windows 的卷管理系统,就是它自带的磁盘管理工具。而 Linux 的,是大名鼎鼎的 LVM(Logical Volume Manager,逻辑卷管理)。我们先说说 Windows 的。在 Windows 中,磁盘分为基本磁盘和动态磁盘。默认情况下,用户用的都是基本磁盘。一个基本磁盘可以划分为多个分区,分区类别包括主分区、扩展分区和逻辑分区。硬盘分区主分区是硬盘的启动分区,我们常说的 “C 盘”就是硬盘上的主分区。MBR 分区表可以划分出 4 个主分区。如果使用 GPT 分区,可以管理 128 个主分区。除去主分区以外,硬盘剩下的容量就被认定为扩展分区。扩展分区不能直接使用。扩展分区可以分成一个或若干个逻辑分区,也就是我们的 “D 盘”、“E 盘”等。动态磁盘是基本磁盘的升级模式。在动态磁盘中,分区叫做卷。卷的出现,就是为了便于对多硬盘进行管理。简单来说,动态磁盘可以将不同硬盘分到一个卷。假如你手中有 160G 和 250G 硬盘各一块,如果想划分 90G 和 320G 的分区,就可以借助动态磁盘来完成。动态磁盘里面的卷,又分为简单卷、跨区卷、带区卷、镜像卷、RAID-5 卷。限于篇幅,就不做具体介绍了。基本磁盘里的分区,现在也被微软改叫为卷。再来看看 Linux 的 LVM 工具。其实 LVM 和动态磁盘的思路差不多的,也是把物理空间变成逻辑空间。首先,物理存储介质进行初始化,变成物理卷(PV,physical volume)。然后,一个或多个物理卷组成一个卷组(VG,Volume Group)。创建卷组之后,再创建逻辑卷(LV,logical volume)。整个过程,如下图所示:LVM 主要元素的构成好了,不管是 Windows 还是 Linux,逻辑卷都有了,是不是可以直接使用它们啦?不行,还差一步。那就是文件系统(File System)。文件系统就像仓库管理员。作为用户,你不需要知道仓库里面到底是什么样子,只需要把货物交给他,他会以一个树形结构目录,登记这些货物。你来取的时候,只需要告诉他路径,他就会把货物交给你。文件夹结构文件系统有很多种类型,常见的有 Windows 的 FAT/FAT32/NTFS(大家应该很熟悉),还有就是 Linux 的 EXT2/EXT3/EXT4/XFS/BtrFS 等。Windows 系统下,通过对分区(卷)进行文件系统格式化,再分配一个盘符,我们就可以在 “我的电脑”里看到可用的磁盘。Linux 系统下,我们需要对逻辑卷进行文件系统格式化,然后执行挂载操作,也就能对存储空间进行使用了。▉ 什么是 DAS/NAS/SAN除了内置存储之外,随着存储容量需求的不断增加,加上维护便利性的需要,计算机系统开始引入了外挂存储。也就是说,硬盘从计算机的内部,跑到了计算机的外部。外挂存储分为两种,一种是直连式存储(DAS,Direct Attached Storage),还有一种是网络存储(FAS,Fabric Attached Storage)。DAS 直连式存储,一般是使用专用线缆(例如 SCSI),与存储设备(例如磁盘阵列)进行直连。虽然数据存储设备看似在外部,但直接挂接在服务器内部总线上,是整个服务器结构的一部分。DAS 的缺点是存储设备只能连接到一台主机使用,无法共享,成本较高,且安全性可靠性较低。FAS 网络存储,是一种多点连接式的存储。它又分为 NAS(Network-attached Storage,网络接入存储)和 SAN(Storage Area Network,存储区域网络)。这些概念的名字非常像,大家千万别晕。画个图看得明白一些:NAS 与 DAS 相比,最大的特点是非直连。它可以通过 IP 网络,实现多台主机与存储设备之间的连接。NAS 大大提高了存储的安全性、共享性和成本。但是 I/O(输入输出)渐渐成为性能瓶颈。随着应用服务器的不断增加,网络系统效率会急剧下降。为了解决这个问题,出现了 SAN 存储方案。SAN 是在 NAS 基础上做的演进。它通过专用光纤通道交换机访问数据,采用 ISCSI、FC 协议。SAN 和 NAS 的关键区别,就在于文件系统的位置。画个图就明白了:可以看出,如果说 SAN 是一块网络硬盘的话,NAS 基本上已经像一台独立的服务器了。NAS 拥有文件系统,用户可以通过 TCP/IP 协议直接访问上面的数据。现在很多家庭都开始使用小型 NAS 设备,相当于一个小型服务器。在 NAS 的模式下,不同的客户端可以使用网络文件系统(Network File System)访问 NAS 上的文件。常见的网络文件系统有 Windows 网络的 CIFS(也叫 SMB)、类 Unix 系统网络的 NFS 等。FTP、HTTP 其实也算是文件存储的某种特殊实现,它们通过某个 URL 地址来访问一个文件。▉ 未完待续……随着互联网的持续发展,网络上的数据量在不断激增,这给存储系统带来了巨大的压力和挑战。云计算的兴起,会给我们全新的解决方案吗?

    时间:2020-08-19 关键词: 硬盘 存储

  • iOS13.6.1优化了“绿屏”和存储等问题

    iOS13.6.1优化了“绿屏”和存储等问题

    8月13日,Apple正式发布了iOS 13.6.1系统版本。 如果没有任何反应,这将是苹果最后一次花时间在iOS 13系统上,因为苹果一直专注于新系统iOS14。iOS14的正式版本预计将于下个月发布。 说回此次更新的iOS 13.6.1版本,这次的更新优化了不少手机问题。其中,它解决了一个用户经常碰到的问题:当存储空间不足时会出现不需要的系统文件无法自动删除的情况。 另外,iOS 13.6.1也解决了导致iPhone的屏幕呈现绿色的问题,以及修复了部分用户的“暴露通知”可能停用的问题。 值得一提的是,目前iOS系统和iPadOS系统的更新并非适用于所有苹果设备,符合更新条件的用户可通过“设置”应用前往进行更新。

    时间:2020-08-15 关键词: 绿屏 ios13.6.1 存储

  • 云计算安全的三大趋势是什么

    除了具有成本效益之外,云计算应用在企业中还有什么优势呢?云计算的优势还包括简化IT管理和维护、内置安全性以及易于部署的模式等。因此,企业都开始尽量充分利用它来实现业务目标。以下是战略性商业应该应对的云计算领域三大热门趋势。 一、云计算:服务模式重新定义 云计算是一种业务模式,服务提供商在定制的环境中处理客户的完整基础架构和软件需求。 随着云计算的发展,云服务和解决方案也将随之增长。软件即服务(SaaS)预计到2020年将以18%的年均复合增长率增长,平台即服务(PaaS)的采用率将在2020年达到56%,而2017年为32%。 2018年基础设施即服务(IaaS)的全球市场规模将达到175亿美元。 随着企业云服务的采用,云文件共享服务将会增加,而消费者云服务也将会随之增长。 在云计算领域,亚马逊领先于微软、IBM、谷歌及其他技术巨头。2022年,亚马逊AWS营收将达到430亿美元。 二、混合云解决方案 2018年,云到云连接将不断增长。通过允许数据和应用程序共享,从而实现公有云和私有云融合的云计算环境被称为混合云。 当前,多个云提供商都开放了平台上的APIs,以连接多个解决方案。API有助于同步多学科和跨功能的流程。 为满足业务需求,企业将连接到云解决方案,进行大量定制,并保留其内部解决方案。就控制数据流而言,内部部署是网络安全性更好的选择。 三、众包数据存储 传统的云存储不安全、速度慢且成本高,因此2018年将实现Google Drive和DropBox等众包数据存储。企业也正在使用这种类型的存储来生成更多的众包数据。例如,谷歌和亚马逊正在为大数据、数据分析和人工智能等应用提供免费的云存储,以便生成众包数据。 云计算的高速发展为试图重新聚焦关键业务目标的企业带来了许多利好,例如提高产品上市的速度、增加企业竞争的优势以及降低资本和/或运行的开支等等。为了管理好云计算风险,首先了解风险到底是什么将是非常重要的。 所谓风险,也就是指我们不希望发生的事件发生的概率。 在信息安全领域,风险就是一个恶意或非恶意暴露机密信息事件、或威胁数据一致性以及干扰系统和信息可用性事件发生的概率。任何接入互联网的组织都处于风险之中,他们都应考虑黑暗网络的弹性特性和扩展私有云计算和公共云计算网络的能力。 云计算存在哪些安全问题 云计算到底存在着哪些安全问题呢? 数据丢失:这是由于云计算中对数据的安全控制力度不够,API访问权限控制或密钥生成、存储和管理方面的不足造成的,此外,还可能缺乏必要的数据销毁政策。 共享技术漏洞:由于错误配置造成的严重影响。 使用证书和认证体系:数据泄露等安全事件的攻击的源头经常是简单身份认证体系、弱口令和简单的密钥或证书系统,而人员工作内容变更或者离开部门时经常忘记移除相应的用户权限。 内奸:云计算服务供应商的内部工作人员评估不足。 账户、服务和通信劫持:很多数据、应用程序和资源都集中在云计算中,云计算的身份验证机制薄弱,容易产生入侵威胁。 不安全的应用程序接口:在开发应用程序方面,企业不够严格的审核过程。 没有正确运用云计算:在运用方面,技术人员的操作比不上黑客入侵技术。 未知的风险:长期的透明度问题,一直困扰着云服务供应商,帐户用户仅使用前端界面,他们不知道他们的供应商使用的是哪种平台或者修复水平。 账户劫持:网络钓鱼、欺诈和软件存在的漏洞在云环境仍然有效,使用云服务因攻击者可以窃取活动、操作业务和修改数据从而增加攻击面。攻击者也可使用云服务发起其他对外的攻击。 APT寄生虫:CSA形象的比喻高级可持续攻击(APT)为“寄生”形式的攻击,攻击行为潜藏入系统占领一处“据点”,缓慢地、长时间小批量窃取数据和其他知识产权的内容。 客户端问题:对于客户来说,云安全有网络方面的担忧。有一些反病毒软件在断网之后,性能大大下降。而实际应用当中也不乏这样的情况。由于病毒破坏,网络环境等因素,在网络上一旦出现问题,云技术就反而成了累赘,帮了倒忙。 针对种种云安全问题,我们又该如何解决呢?最重要的就是要正确识别安全威胁,研究开发出正确的威胁消灭方案,与时俱进,适应不断变化的“云安全威胁”。 那么,具体要怎么做,接下来小编就跟大家介绍以下几种方法: 对保密文件进行加密,有效保护数据; 加密电子邮件,有效保证电子邮件的安全,让入侵者无法通过电子邮件窃取私密数据; 使用信誉良好的云服务提供商,有效保证云安全; 使用自动组织敏感数据的过滤器; 对于企业来说,应充分了解内部私有云环境及其安全系统和程序,从中汲取经验; 对各种需要IT支持的业务流程进行风险性和重要性的评估; 充分了解不同的云模式(公共云、私有云与混合云)以及不同的云类型(SaaS,PaaS,IaaS),因为它们之间的区别将对安全控制和安全责任产生直接影响,所有企业都应具备针对云的相应观点或策略; 严格执行网络安全标准,充分保障云服务的安全。

    时间:2020-08-10 关键词: 云计算 云安全 存储

  • iOS端Google One更新

    iOS端Google One更新

    谷歌今天为iOS平台推出了一个新的Google One应用程序,该应用程序允许用户保存照片,视频,联系人和日历项以进行备份。 该应用必须登录到Google帐户,并具有15 GB的可用空间。 应用中的存储管理器可以访问 Google Drive、Gmail 和 Google Photos 使用的存储空间,让管理存储空间变得简单。该应用还允许用户升级为 Google One 会员,其价格为每月 1.99 美元起。Google One 提供额外的存储空间,并可选择与最多五名家庭成员共享存储空间。 Google One此前已经为Android设备提供了自动 手机 备份服务,同时还提供了扩展的存储计划、家庭存储空间等,而谷歌将所有新的存储管理功能和免费备份功能加入到Google One Android应用中。

    时间:2020-07-30 关键词: google iOS one 备份 存储

  • Intel证实7nm工艺将延期,Q2财报存储、数据中心营收暴增

    Intel证实7nm工艺将延期,Q2财报存储、数据中心营收暴增

    据VideoCardz报道,英特尔在2020年第二季度财务报告中向投资者证实,其7nm产品发布日期推迟了大约半年,量产日期被推迟了近一年。因此,预计首款7nm产品将于2022年下半年或2023年初上市。 另外,在本次报道中,Intel还透露,其首款10nm台式机处理器Alder Lake处理器将于2021年下半年正式推出,届时也将面向服务器市场推出另一款SapphireRapids处理器。之前根据Intel公布的计划,将在年底前推出面向服务器设计的10nm“ Ice Lake”处理器。 (Intel主流CPU系统规格,图源:VideoCardz) 具体来讲,据英特尔首席执行官Bob Swan表示,推迟的原因是Intel在其7nm工艺中确定了一种“缺陷模式”,从而导致良率下降问题。结果,英特尔投资了“应急计划”,后来斯旺将其定义为使用第三方代工厂。 该公司还将使用外部第三方代工厂作为其即将推出的首款图形芯片7nm PonteVecchio GPU的应急计划。 Intel CEO 司睿博指出,GPU将于2021年末或2022年初问世,预示着2021年在百亿美元的Aurora超级计算机中推出的计划将被推迟。 Intel产品计划中,7nm产品Ponte Vecchio(“维琪奥桥”)是最坚实的产品之一,基于Intel最顶级的Xe_HPC超大GPU核心打造,将配置在美国能源部的百亿亿次超算Aurora上。 Ponte Vecchio是基于小芯片的设计,司睿博澄清说,Intel需要变得更务实,显然转交给三方代工厂很符合这样的定位,而小芯片(平铺)的某些生产将外包给第三方晶圆厂作为“退路”。 此前, Intel CFO George Davis在大摩TMT会议时表示,10nm不会像14nm和22nm那样高产,另外,第一代改良的10nm+工艺Tiger Lake处理器会在今年底推出。据媒体分析,与14nm并轨的状态下,10nm产品本身就有限,除此之外,10nm仅会改良1~2代(10nm+、10nm++),以便迅速推出7nm。 通过当时透露的信息,他预计2021年底前Intel将拿出7nm产品,之后迅速切换到5nm,并重新夺取制程领域的领导地位。不过从对手的计划方面来看,这是不小的挑战,毕竟4nm 甚至 3nm都在2021年的计划之中。 另外,除CPU以外,Intel此前的规划是将要为客户提供流程方面的加速和平价,得以重新获得5nm制程的领导地位。不过由于7nm的延迟,Intel重新获得竞争优势的计划目前出现了转移。 (Intel的优先事项,图源:Intel) 不过在制程方面,一直没有一个统一的命名。2017年,Intel时任工艺架构和集成总监Mark Boh便发文呼吁晶圆厂商们要建立一套统一的规则来给先进的制程命名。 还有一度有网友曾经怀疑过台积电是“假 7nm”,对于此事,台积电曾经也回应表示,从0.35微米开始,工艺数字代表的就不再是物理尺度,而7nm/N7只是一种行业标准化的属于而已,此后还会有N5等说法。同时,他表示也确实需要寻找一种新的语言来对工艺节点进行描述。 (各大厂商在制程上的规划) 但事实不变的便是,Intel的确在制程方面的确面临难题。Davis 曾经指出,为了重新获得工艺领导地位,不得不加快10nm、7nm的进程,导致7nm与5nm之间的重叠,因此这些要素使得要承担的成本是巨大的,尤其是2021年。 目前,台积电、三星则纷纷完成了7nm工艺的布局并奔向5nm、3nm,特别是台积电方面,正式启动2nm工艺的研发,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产,时间节奏上还是相当的快。 (台积电制程节点规划,图源:tweaktown) 三星方面,则稳扎稳打,从14nm、10nm、7nm、3nm四个主要节点进行规划,而在3nm节点以后,三星要放弃FinFET转向GAA晶体管,3GAE工艺和3GAP工艺的优化改良之路还远矣。 (三星制程工艺四大节点) 昨日,公众号“知IN”也发布了《英特尔发布2020年第二季度财报》,财报显示Intel第二季度总收入197亿美元,营收同比增加20%、净利润51亿美元同比增加22%,Q2为创纪录的一个季度。 本次增长主要来自存储和数据中心业务,具体为:其中以PC为中心的业务同比增长7%,以数据中心为中心的业务中,非易失性存储解决方案事业部暴增76%,数据中心事业部增长43%,物联网事业部增长32%,可编程解决方案事业部增长2%,但是Mobileye却下降27%。 Intel CEO司睿博表示:“这是一个出色的季度,为了支持云交付的服务,居家办公、在家学习的环境,还有5G网络的扩建,对计算性能持续强劲的需求远远超出了我们的预期。在我们日益数字化的世界里,英特尔技术对于世界上几乎每一个行业都是必不可少的。我们拥有绝佳的机遇创造更美好生活,同时通过继续致力于推动创新和提升执行力促进公司的业绩增长。” (Q2财报信息,图源:知IN)

    时间:2020-07-27 关键词: Intel 数据中心 存储

  • 联想拯救者电竞手机Pro存储性能测评

    联想拯救者电竞手机Pro存储性能测评

    在这篇文章中,小编将对联想拯救者电竞手机Pro的存储性能进行测评,和小编一起来了解下吧。 根据我们此前获得的一些数据,相比UFS 2.1,UFS 3.1顺序读取速率提升137.2%,随机读取速率提升99.8%。与UFS 3.0对比,UFS 3.1实现了更高的写入性能、更低的功耗及更稳定的性能管理。 不过UFS 2.1目前而言有些“陈旧”了,已经从旗舰下放到中低端机型上。 所以接下来我们通过基准测试应用Androbench来了解一下此作相比目前主流旗舰都在使用的UFS 3.0有没有提升。 实测显示,即便是面对当下主流旗舰还在使用的UFS 3.0,搭载UFS 3.1的拯救者电竞手机Pro仍然领先于前者。实测显示,拯救者电竞手机Pro相较于UFS 3.0机型连续写入速度提升有43%之多。 以上便是小编此次带来的联想拯救者电竞手机Pro存储性能相关测评,此外,如果你想进一步了解有关它的其它方面的实际性能,不妨继续关注小编后期带来的更多相关测评哦。

    时间:2020-07-22 关键词: 联想 拯救者 存储

  • 为什么数据处理和存储应该在云端而不是移动设备中

    调查表明,用户更喜欢在云中而不是在移动设备上处理和存储数据。这是新的优秀实践吗? 一篇名为“将移动设备负载转移到云端的节能决策”的文章引发了人们的思考,这是因为移动计算设备已经在云中运行了10多年,人们还没有在移动设备处理和数据存储的分层方面投入实际工作或最佳实践。现在也许正是时候。 这篇文章指出,移动计算的概念结合了公共云的优势和移动终端设备的优势。终端一词曾经指的是呈现和消费信息但不进行处理的设备。 考虑到人们计划将尽可能多的处理和数据存储推向公共云,这仍然是一个恰当的类比。技术小型化及其以较低的价格提供的可用性使得在移动设备上保留一些处理和存储功能变得非常方便。因此,移动设备成为一种智能终端设备,尽管其最佳实践是将致力于推向基于云计算的远程系统。 这篇文章所说的负载是移动设备应用程序一直在处理的问题。而人们对加工和储存的场合提出质疑是很常见的。而在移动设备上处理和存储数据也是有争议的,在移动设备上与用户的交互应该接近零延迟。 当然,这需要权衡取舍。当人们将大部分处理和存储工作放在移动设备上时,会降低移动设备的性能,而提供额外的处理能力还会更快耗尽电池。正如文章所指出的那样,基于云计算的存储和处理可以带来许多好处,其中包括节省能源、提高性能和可靠性等,更不用说移动应用程序开发人员可以更方便地集中访问程序和数据这一事实。 真正的终端移动设备将不包含任何处理或存储数据。对于基于云计算的移动应用程序和数据,对后端的依赖意味着如果云端不可用,则其移动应用程序将陷入困境。 当今的移动设备是哑终端和智能终端的混合体。那些在没有Wi-Fi的情况下大量移动数据或者在蜂窝信号弱或没有信号的情况下出行的人们会发现,哪些应用程序将继续运行而无需实时更新,而哪些应用程序将根本无法工作。 随着网络连接变得更快、更可靠(向5G迁移),将数据和处理转移到云端是一种新兴的最佳实践。公共云现在是数据集中和处理的首选平台。这种架构有很多优点,因此将是云计算技术无可争议的未来。

    时间:2020-07-21 关键词: 云端 数据处理 存储

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