有望彻底改变内存现状！新一代3D X-DRAM技术亮相

5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C，有望彻底改变DRAM内存的现状。

这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构，预计将于2026年生产概念验证测试芯片，并将提供比当前普通DRAM模块10倍的容量。

基于NEO的3D X-DRAM技术，新设计的内存单元能够在单一模块上容纳512Gb(64GB)的容量，这比目前市面上任何模块至少多出10倍。

在NEO的测试模拟中，这些单元的读写速度达到10纳秒，保留时间超过9分钟，这两项性能指标均处于当前DRAM能力的前沿。

新设计采用了基于氧化铟镓锌(IGZO)的材料，1T1C和3T0C单元可以像3D NAND一样构建，采用堆叠设计，从而提高容量和吞吐量，同时保持节能状态。

NEO Semiconductor的首席执行官Andy Hsu表示：“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在重新定义内存技术的可能性。这项创新突破了当今DRAM的扩展限制，使NEO成为下一代内存的领导者。”

NEO Semiconductor计划在本月的IEEE国际存储器研讨会上分享更多关于1T1C、3T0C以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列产品的信息。