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摘 要: 通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与
石明达 吴晓纯(南通富士通微电子股份有限公司江苏南通市)摘要:本文介绍了多芯片模块的相关技术。消费类电子产品低成本的要求推动了MCM技术的应用。对于必须高密度集成以满足高性能、小型化且低成本的要求的产品,MCM
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具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可高达600℃,而Si器件的最高工作温度局限在1
日前,在2004年瑞萨科技解决方案研讨会中,ITDM(Integrated Technology& Device Manufacturer,半导体专业生产商)瑞萨发布了专门为中国半导体用户提供的系统封装芯片模组SiP升级版——SIP(Solution Integrated Produ
11 BGA封装激光重熔钎料凸点制作技术 11.1 激光重熔钎料合金凸点的特点 BGA/CSP封装,Flip chip封装时需要在基板或者芯片上制作钎料合金凸点,钎料合金凸点的制作方法有:钎料溅射/蒸镀-重熔方法、放置钎料球-重熔方
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所谓“CPU封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。以CPU为例,我们实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌,而是CPU内核等元件经过封装后的产品。 CPU封装对于芯片来说是必须的