晶体管

运算放大器和达林顿晶体管的恒流源电路图

电路由于采用达林顿晶体管BSY86后输出电流较大。输出电流最大值由电阻R=150欧限制，输出电流的大小由电位器RP1调节，并且与负载电阻Rl无关而保持常数。图中电位器RP1采用10k欧，电流可在5uA～40mA范围内调节。运算放

分享晶体管的检测经验

　(一)晶体管材料与极性的判别　　1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料

追随离职上司跳槽？

段时间以来，由于中国区总裁周鸿的离职，被阿里巴巴收购的雅虎中国流传着副总裁齐向东与田健将追随周离职的消息。近日雅虎中国副总裁、3721总经理齐向东正式辞去在雅虎中国的所有职务，他证实说，自己不会追随周鸿炜

晶体管混频器电路03

晶体管混频器电路02

晶体管混频器电路01

采用达林顿晶体管的红外发送电路

追随离职上司跳槽？

追随离职上司跳槽？

夏普支付1.985亿美元和解TFT晶体管诉讼案

北京时间7月10日，据国外媒体报道，日本液晶面板供应商夏普已同意向戴尔及另外两家公司支付1.985亿美元，就该公司在北美及欧洲地区的TFT(薄膜场效应晶体管)业务诉讼案达成和解。目前尚不清楚诉讼涉及哪些公司。但据推

夏普支付巨资和解TFT晶体管诉讼案

据国外媒体报道，日本液晶面板供应商夏普已同意向戴尔及另外两家公司支付1.985亿美元，就该公司在北美及欧洲地区的TFT(薄膜场效应晶体管)业务诉讼案达成和解。目前尚不清楚诉讼涉及哪些公司。但据推断指控涉及东芝、

28nm到14nm工艺代沟，全耗尽硅技术如何弥补？

今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程，不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山——这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出，

28nm到14nm工艺代沟，全耗尽硅技术如何弥补？

今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程，不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山——这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出，

晶体管的相关知识介绍

　(一)晶体管材料与极性的判别　　1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料

SoC低电压SRAM技术介绍

东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑

具有助推晶体管的12W低噪音音频放大器电路

晶体管驱动电路图

晶体管的相关知识介绍

　(一)晶体管材料与极性的判别　　1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料

台联电购IBM 3D晶体管技术 代工前景依然乐观

近日，台湾芯片代工企业台联电宣布，其已经获得IBM 20nm COMS处理器的专利授权，另外还包括FinFET 3D晶体管技术专利，得以进行20nm以及3D芯片的开发研制。在3D晶体管这一CPU新兴热点上，台联电获迈出了重要的一步，这

IBM授权联电业界第二家使用3D晶体管工艺

据国外媒体报道，台湾芯片代工大厂联电（UMC）上周末与IBM签署了一项协议，前者将在后者帮助下研发并推出20nm CMOS制程工艺，并引入FinFET即3D晶体管技术。 联电官方表态称，IBM将其20nm制程工艺整套设计和FinFET

控制基极的晶体管电子继电器电路图

如图所示。图a为NPN型晶体管利用+Ec电源控制的电子继电器。 图b为NPN型晶体管接地控制电路。 图c为PNP型晶体管利用-Ec控制的电子继电器。 图d是有自生偏压的电子继电器。