晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等),它具有检测、整流、放大、开关、稳压和信号调制等多种功能。作为交流断路器,晶体管可以根据输入电压控制输出电流。
【2024年4月10日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了业界首款-48 V宽输入电压数字热插拔控制器XDP700-002,扩展了其XDP™数字功率保护控制器系列。这款控制器具有专为电信基础设施设计的可编程安全工作区域(SOA)控制功能,以及不超过±0.7%的超低电流报告误差,能提高系统故障检测和报告的准确性。此外,该产品还采用升压模式控制技术,可在非最佳SOA系统中更安全地开启场效应晶体管(FET)。这一XDP™产品系列的新成员专为各种电信应用量身定制,包括远程无线电头端电源、基站配电、有源和无源天线系统、5G小型蜂窝基站电源,和电信 UPS 系统。
恒流源电路作为电子技术中的一个重要组成部分,其稳定性和可靠性对电路的性能和设备的运行具有至关重要的作用。随着科技的不断发展,恒流源电路的形式和应用领域也在不断拓展和深化。本文将详细探讨恒流源电路的几种主要形式及其主要应用,以期为读者提供深入的理解和全面的认识。
随着信息技术的飞速发展,数字电路已成为现代电子设备不可或缺的核心组成部分。在数字电路中,数字晶体管作为一种重要的开关元件,发挥着至关重要的作用。本文将详细探讨数字晶体管的基本概念、工作原理、主要类型、应用领域以及未来发展趋势,以期对读者深入理解数字晶体管的作用提供有益的参考。
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能
【2024年1月25日,德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX /OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新应用中心。该创新应用中心全面投入运营之后,将为开发能够减少二氧化碳排放的高能效充电解决方案铺平道路,从而推动低碳化进程。
IGBT模块在电力电子领域中扮演着重要的角色,它是一种基于绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的功率模块。IGBT模块的作用是将电能进行转换和控制,广泛应用于电机驱动、电网电源、风电、光伏、电动汽车等多个领域。
业内消息,近日台积电在IEDM 2023会议上制定了提供包含1万亿个晶体管的芯片封装路线,来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合,与此同时台积电也在开发单个芯片2000亿晶体管,该战略和英特尔类似。
毋庸置疑的是,与“摩尔定律”紧密相关单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进正在迎来一个“奇点时刻”。与此同时,终端应用的高算力需求依然在不断推高单芯片Die尺寸,在光罩墙的物理性制约之下,众多芯片设计厂商在芯片工艺与良率的流片成本以及严苛的上市时间的平衡度上正在遭遇越来越严峻的挑战。
在今年9月,英特尔宣布率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板,并计划在未来几年内向市场提供完整的解决方案,从而使单个封装内的晶体管数量不断增加,继续推动摩尔定律,满足以数据为中心的应用的算力需求。
业内消息,上周北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队研究出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管,该技术可使碳纳米晶体管工艺高度集成,并在该基础上探索将碳基晶体管进一步缩减到 10nm 节点的可能性。
2023 年 9 月 6 日,中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器,可在宽范围工作电压(9 V至23 V)中分别提供50 W、65 W和高达100 W的功率。我们还推出了EVLVIPGAN100PD,这是我们首款用于USB-PD应用的VIPERGAN100评估板。VIPerGaN器件使用650V氮化镓(GaN)晶体管,这意味着在自适应突发模式开启时,待机模式下的功耗低于30 mW。QFN 5 mmx6 mm封装也使其在业内同等功率输出中拥有较小的封装尺寸。
据业内信息报道,昨天在美国旧金山举行的数据中心与人工智能技术发布会上,AMD 正式发布了新一代的面向 AI 及 HPC 领域的 GPU 产品 Instinct MI 300 系列,欲在 AI 芯片领域单杀英伟达。
众所周知,光刻机作为芯片生产过程中的最主要的设备之一,其重要性不言而喻。先进的制程工艺完全依赖于先进的光刻机设备,比如现阶段台积电最先进的第二代 3nm 工艺,离不开 EUV 光刻机。然而,前不久麻省理工学院(MIT)华裔研究生朱家迪突破了常温条件下由二维(2D)材料制造成功的原子晶体管,每个晶体管只有 3 个原子的厚度,堆叠起来制成的芯片工艺将轻松突破 1nm。
2023 年 5 月 24 日,中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
此次合作将为芯片设计者们带来 Arm 内核与英特尔埃米时代的制程工艺技术的强大组合
因为工艺问题在产品上受挫后,Intel在新CEO帕特基辛格带领下,提出了IDM 2.0战略,不仅修订了制程路线图,目标四年五个节点,还开放IFS代工服务,竞争台积电、三星等。
随着世界各国都在努力降低碳排量,电动汽车(EV)的市场容量正不断扩大。推动这一增长的关键因素将是最大限度地减少电动汽车动力系统的开关损耗,并通过使用更小、续航时间更长的电池来实现显著的效率提升。正因如此,VisIC Technologies公司倡导采用氮化镓(GaN)功率晶体管,并使用泰克强大的测试设备来确保实现杰出的性能。
宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307,完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列,提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器,以及电机驱动器。