晶体管
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推挽电路中上管 NPN 集电极电源的核心作用与工作机制解析
在电子电路系统中，推挽电路因高效的功率放大、信号驱动能力，被广泛应用于开关电源、音频放大器、电机驱动等领域。作为推挽电路的核心组成部分，上管 NPN 晶体管的集电极电源并非简单的 “供电接口”，而是决定电路性能、输出质量与工作稳定性的关键要素。本文将从电路结构、工作原理、核心作用及实际应用等维度，深入解析这一电源的功能与意义，帮助读者全面理解其在推挽电路中的核心价值。
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IGBT 损坏机理分析及保护电路设计原理
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心器件，融合了 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降优势，在新能源汽车、轨道交通、工业变频器、光伏逆变器等中高压、大电流场景中广泛应用。其工作原理基于 MOS 栅极控制 PN 结导通与关断，实现电能的高效转换，但在复杂工况下，器件易受多种因素影响发生损坏，因此深入分析损坏机理并设计可靠的保护电路至关重要。
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学子专区论坛- ADALM2000实验：Peltz振荡器
不同于采用单个晶体管的Clapp、Colpitts和Hartley振荡器，Peltz配置使用两个晶体管。观察图1，注意晶体管Q1配置为共基极放大器级。由L1和C1组成的谐振电路提供集电极负载。集电极的输出馈送到晶体管Q2的基极。Q2配置为射极跟随器（共集电极）级。当射极跟随器（Q2发射极）的输出连接回Q1发射极处的共基极级输入时，形成振荡所需的正反馈。共基极放大器级的电压增益在LC谐振电路的并联谐振频率处达到最大值，此时其阻抗接近无穷大。射极跟随器的增益总是略小于1。环路周围的组合增益在谐振时将远大于1，以维持振荡。
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英飞凌推出首款100V车规级晶体管，推动汽车领域氮化镓(GaN)技术创新
【2025年11月5日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布推出其首款符合汽车电子委员会(AEC)汽车应用标准的氮化镓(GaN)晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。
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功率循环测试：赋能车用 IGBT 性能跃升的关键引擎
在新能源汽车向高续航、高功率、高安全性迈进的过程中，车用 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为电力电子系统的 “心脏”，其性能直接决定了整车的动力输出、能源效率与运行可靠性。然而，车用 IGBT 长期处于高低温交替、电流冲击频繁的严苛工况下，极易出现封装老化、热疲劳失效等问题。在此背景下，功率循环测试作为模拟实际工况、暴露潜在缺陷、优化产品设计的核心手段，正成为推动车用 IGBT 性能持续提升的关键支撑。
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光电耦合器在隔离 IGBT 模块中的应用
在现代电力电子技术领域，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)凭借其卓越的性能，如高耐压、大电流处理能力、低导通电阻以及良好的开关速度，被广泛应用于众多高功率应用场景，像工业逆变器、电机驱动系统、开关电源、不间断电源(UPS)等。在这些应用中，IGBT 模块的可靠运行至关重要，而光电耦合器作为 IGBT 驱动电路中的关键组成部分，发挥着不可或缺的作用。
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英飞凌与零极创新签署谅解备忘录，共同开发用于轻型电动车的高性能氮化镓（GaN）逆变器
【2025年9月9日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布与九号公司（Ninebot）旗下子公司零极创新科技有限公司签署谅解备忘录，双方将进一步推动氮化镓（GaN）技术在轻型电动车（LEV）领域的应用。英飞凌将提供优质的GaN产品，帮助零极创新基于英飞凌新一代CoolGaN™ G5功率晶体管开发高性能电动两轮车逆变器系统，实现能效和性能的双提升。
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什么是电子管收音机？有哪些优点？
由于科技不断地发展，晶体管的出现，上世纪六、七十年代电子管被晶体管的强大洪流冲走
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Nexperia将铜夹片(CFP)封装的优势引入双极性晶体管
CFP15B封装为DPAK封装的MJD系列提供更紧凑、更具成本效益的替代方案
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如何减少电路晶体管故障的发生？
晶体管，作为现代电子技术的核心元件，其工作原理、分类及失效模式对于理解电子设备运行至关重要。
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高温IC设计必懂基础知识：高结温带来的5大挑战
随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路（IC）的需求持续攀升。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题。本文致力于探讨高温对集成电路的影响，介绍高结温带来的挑战，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。
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一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构是什么样的
绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
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英飞凌推出650 V CoolGaN™ G5双向开关，提升功率系统的效率和可靠性
【2025年5月26日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管（GIT）技术和CoolGaN™技术的单片双向开关，能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。
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MOS 管导通条件深度解析：从原理到应用
在现代电子技术领域，MOS 管(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管)作为一种关键的半导体器件，广泛应用于各类电路中。从智能手机到计算机主板，从电源管理到功率放大，MOS 管都扮演着不可或缺的角色。然而，对于许多电子技术初学者甚至部分从业者来说，MOS 管的导通条件始终是一个令人困惑的问题。本文将深入探讨 MOS 管的导通条件，揭开其神秘的面纱。
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了解两级功放的基本结构和工作原理
两级功放通常由驱动级和末级组成。驱动级的作用是将输入信号进行初步放大，为末级功放提供足够的激励信号;末级功放则负责将驱动级送来的信号进一步放大，以输出足够的功率驱动负载。不同类型的功放，如 A 类、B 类、AB 类等，其工作原理和性能特点有所不同。例如，A 类功放的晶体管在整个信号周期内均导通，具有良好的线性度，但效率较低;B 类功放的晶体管仅在半个信号周期内导通，效率较高，但存在交越失真;AB 类功放则结合了 A 类和 B 类的优点，在一定程度上兼顾了线性度和效率。了解这些基本原理，有助于在测试中分析和判断驱动级可能出现的问题及其对测试结果的影响。
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英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK™ CoolGaN™ 功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
【2025年5月15日, 德国慕尼黑讯】随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。
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FlexEnable FlexiOM™ 有机薄膜晶体管材料荣获 信息显示学会颁发“2025 年度最佳显示组件奖”
开发和生产用于有源光学和显示器的柔性有机电子产品领先企业 FlexEnable宣布，其 FlexiOM™ 有机薄膜晶体管(OTFT)材料荣获国际信息显示学会(Society of Information Display, SID)颁发的 “2025年度最佳显示组件奖”。该奖项旨在表彰上一年度投放市场的最佳显示器、组件和应用。
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基于PIC18F2550，设计自己的编程工具
这是PIC编程系列的第4个教程，今天我们将制作我们自己的PICKIT 2克隆版本。因为原来的PIC套件太贵了，由于它的保护系统和沉重的硬件。是时候设计一个克隆PIC套件版本2了。这是一个开源项目，已经在市场上可用。你也可以从亚马逊的链接上买到。但是关于正确的引导加载程序和硬件的信息非常混乱，没有人在互联网上给出适当的信息。我将提供所有的硬件文件，软件链接和引导程序文件在同一地方，使其更容易理解和DIY。有很多网站在网上卖这个，也有一些高级的选择。
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贸泽与Analog Devices和 Amphenol携手推出全新电子书 探索电动汽车和航空业未来发展
2025年4月22日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 携手Analog Devices, Inc. (ADI)和Amphenol推出了一本电子书，探讨先进连接和半导体器件在推动航空业发展方面所发挥的主要作用。
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英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
【2025年4月22日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。
