晶体管

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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。

IBM再创奇迹！碳纳米管迈出取代硅第一步

蓝色巨人IBM的科学家们再次展示了他们雄厚的科研实力：历史上第一次，使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确地放置在了一颗芯片内，并通过了可行性测试。多年来，人们一直期望找到一种新

消费电子
2012-10-30

IBM 碳纳米管晶体管
IBM芯片技术研发获新突破:碳纳米管体积小

IBM芯片技术研发获新突破:碳纳米管体积小

嵌入式动态
2012-10-29

芯片技术 IBM 碳纳米管晶体管
晶体管测光表电路图

当太阳能电池受到光照时，产生的电压使VT6导通。VT6的导通程度和光照强度成正比。VT6的导通电流在R1上产生压降，VT1~VT5基极得到正向电压，但由于信号的大小不同和VD1~VD4的降压作用(0.6V)，会使VT1~VT5各基极所得正

基础实用电路
2012-10-23

电路图电压 WIDTH 晶体管
串联型晶体管振荡电路

串联型晶体管振荡电路

基础实用电路
2012-10-21

振荡电路串联型 GIF 晶体管
并联型晶体管振荡电路的等效电路

并联型晶体管振荡电路的等效电路

基础实用电路
2012-10-21

振荡电路并联型等效电路晶体管
并联型晶体管振荡电路

并联型晶体管振荡电路

基础实用电路
2012-10-21

振荡电路并联型 GIF 晶体管
摩尔定律何时会失效？

北京时间10月16日消息，据国外媒体报道，1965年，英特尔联合创始人戈登·摩尔(GordonMoore)预测，计算机芯片的处理能力每两年就会翻一番。尽管已经过去40多年，摩尔定律仍然有效。多年来，英特尔科技和制造集团副总裁

模拟
2012-10-17

英特尔摩尔定律石墨烯晶体管
彩电开关电源的分析

目前在电器中使用最多的电源就是开关稳压电源，彩电、平板电视、显示器、D V D 等等，开关电源的故障率也是很高的，工作在大电流、高电压、大功率状态。一、开关电源使用率

消费电子
2012-10-11

开关电源光耦 BSP 晶体管
宜普公司开发板采用德州仪器公司专为驱动增强型氮化镓晶体管而设的栅极驱动器

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9003及EPC9006开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转用氮化镓技术

厂商动态
2012-10-11

开发板德州仪器公司栅极驱动器晶体管
格罗方德跟台积电有拚

晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries）来台呛声，全球营销暨业务执行副总裁Michael Noonen表示，已正式推出结合14纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程的14nm-XM技术，协助客户加快行动装置芯片上市时间。格罗方德指出

模拟
2012-10-01

台积电格罗方德 FINFET 晶体管
格罗方德：「3D鳍式晶体管」技术领先台积电

晶圆代工大厂格罗方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鳍式晶体管（FinFET）导入的14纳米元件，预计2013年试产，2014年量产，「已可直接与英特尔竞争」，技术层次更领先台积电半个世代。格罗方德由微处

模拟
2012-09-29

晶圆代工台积电格罗方德晶体管
阅报秘书／3D鳍式晶体管

3D鳍式晶体管（FinFET）是1种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管，能让芯片技术发展到10纳米以下，晶圆代工业者若能拥有此技术，更能凸显其优势与竞争力。传统晶体管若要控制电流通过闸门，只能选择在闸门的一

模拟
2012-09-29

半导体闸门 CMOS 晶体管
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备FinFET晶体管架构

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图

电子设计自动化
2012-09-24

移动设备 FINFET GLOBALFOUNDRIES 晶体管
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备的FinFET晶体管架构

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路

消费电子
2012-09-24

移动设备 FINFET GLOBALFOUNDRIES 晶体管
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备的FinFET晶体管架构

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路

消费电子
2012-09-24

移动设备 FINFET GLOBALFOUNDRIES 晶体管
GF推出用于下一代移动设备晶体管架构

中国上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技术将为客户展现三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势，不仅风

模拟
2012-09-24

移动设备 FINFET GLOBALFOUNDRIES 晶体管
英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后

英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。在旧金山举行的英特尔信息技术峰会，公司高级研究员MarkBohr表示技术路标展示了因特尔在

消费电子
2012-09-19

英特尔处理器制程技术晶体管
英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后

英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。在旧金山举行的英特尔信息技术峰会，公司高级研究员MarkBohr表示技术路标展示了因特尔在

消费电子
2012-09-19

英特尔处理器制程技术晶体管
英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后

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2012-09-19

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英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后

英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。在旧金山举行的英特尔信息技术峰会，公司高级研究员MarkBohr表示技术路标展示了因特尔在

模拟
2012-09-18

英特尔处理器制程技术晶体管

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