晶体管
-
简易晶体管水位自动控制电路_1
-
电接点压力表触点控制晶体管的水位自动控制电路
-
四回路晶体管脉冲电源电路
-
四回路晶体管脉冲电源低压主电路
-
静电蓄能式晶体管脉冲电路
-
晶体管自激多谐振荡器电路
-
晶体管触发电路
-
高低压复合晶体管脉冲电源电路
-
等脉冲晶体管马车电源原理图电路
-
从属型晶体管脉冲电源原理图电路
-
JF-40A晶体管脉冲电源前置放大器原理图电路
-
采用三只晶体管的调幅电路
-
可伸缩石墨烯晶体管 克传统半导体缺陷
据美国物理学家组织网报道，韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质，新型晶体管克服了由传统半导体材料制成的晶体管面临的很多问题。相关研究
-
半导体制程再微缩 经济效益惨淡
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-YiChiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达7nm节点;但在7nm节点以下
-
半导体制程再微缩 经济效益惨淡
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7nm节点;但在 7nm节点
-
半导体制程再微缩 经济效益惨淡
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7nm节点;但在 7nm节点
-
十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7纳米节点；但在 7纳米
-
十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-YiChiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达7纳米节点；但在7纳米节
-
十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7纳米节点，但在 7
-
十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7纳米节点，但在 7纳米
