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台积电前采购经理跳槽大陆晶圆厂，判赔250万新台币

钜亨网消息，晶圆代工龙头台积电采购处薛姓前经理，离职后5个月，就到大陆某半导体企业担任采购副总裁，遭指控违反竞业禁止条款，台湾地区高等法院今(20)日二审判决出炉，该男子须赔偿台积电250万元(新台币，含返还补偿金)。台积电起诉指出，该经理自1999年进入公司，2011年7月升任采购处经理，接触许多营业秘密及商业机密，包括台积电与供应商的原物料规格、成本、数量，以及订单合约所写资讯等内容，甚至还知道生产时程、产能与新厂建置规划。薛姓男子在任职台积电期间，曾签署竞业禁止条款，约定离职后18 个月内，不得受雇于半导体晶圆制造等相关服务的竞争对手，也不可以任何形式为竞争对手提供服务。 2016年5月间，薛男因接受厂商招待，违反从业道德规范，协商后于同年7月间自请离职，台积电给予特别补偿金117万余元新台币。不过，薛姓男子却在该年12月间，赴中国大陆某晶圆厂担任采购副总裁。台积电主张，薛男违反竞业禁止条款，须赔偿离职前24个月内自公司内所受领的一切给付总额，总计求偿1557万946元新台币。桃园当地法院一审判决，薛男须赔偿250 万元(含返还补偿金)，案经上诉，二审高院审理后，认为18个月限制时间不长，并非漫无对象限制，补偿应属合理，双方协议合法有效，且其加入的半导体企业确实为台积电的竞争对手，因此，公司得请求返还其任职大陆半导体企业期间的竞业禁止补偿金。违约金方面，高院认为，求偿离职前24个月受领的给付总额比例过高，由于薛男违约期间不到一年，因此予以酌减，经综合计算后，认定一审判赔金额无误，薛姓男子总计须赔偿台积电250万元新台币。全案可上诉。近期严查陆资企业挖角日前，有台湾地区媒体报道，中国大陆近年来不断挖角台湾地区半导体人才，竹北台元科技园区内常有“假台资、真陆资”传闻。 3月31日，台湾“经济部长”王美花表示，将加强台元科技园区实地清查，也会跨部会执行联合访视，杜绝“违法”行为，王美花并透露，近期已移送20多家公司。报道中以 “比特大陆”（BITMAIN）为例，称该大陆半导体公司涉嫌掩饰中资身分，未经经济部投资审议委员会许可，在2017年透过子公司在台湾成立“智鈊” 、“芯道”两家公司，且高薪挖角大批台湾研发人才，为中国母公司研发AI芯片，3年就挖走200多人，不少人来自联发科、台积电等知名企业。王美花说，陆资藉由外资或国内公司身分在台挖角，现阶段需要请调查局协助查处，2018年由“经济部”移送的家数为40家，近期透过实地查察、业界检举等方式移送了20多家公司，包括疑涉“假外资、真陆资”的芯道互联，以及核心团队被挖角至中国大陆的瀚薪科技。 “法务部检察司长”林锦村也指出，“法务部”订定「防制大陆挖角台高科技人才专案计划」，由调查局成立专组全力侦办，至今已侦办移送违反营业秘密法案件共142案。王美花说，2013年至2021年2月底为止，"地检署"侦结营业秘密案件总计有863案、起诉及缓起诉234案，另2020年判决有罪的定罪率为81.4％，并无定罪率过低问题。

时间：2021-04-21 关键词：台积电晶圆比特大陆
安世快讯 | Nexperia 计划提高全球产量并增加研发支出

近日，基础半导体器件领域的专家 Nexperia 宣布将在 2021 年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。新投资与公司的发展战略相吻合。去年，Nexperia 的母公司闻泰科技承诺投资 120 亿元人民币(18.5 亿美元)在上海临港新建一座 300mm(12英寸)功率半导体晶圆厂。该晶圆厂将于 2022 年投入运营，预计年产 40 万片晶圆。 Nexperia(安世半导体)今年的计划包括提高生产效率，并在其位于德国汉堡和英国曼彻斯特的欧洲晶圆厂实行全新的 200mm 技术。汉堡晶圆厂还会增加对宽带隙半导体制造新技术的投资。公司承诺将研发投资提高至总销售额的 9% 左右，以全力支持新产品的开发。Nexperia(安世半导体)最近在马来西亚槟城和中国上海开设了新的全球研发中心，同时扩大了位于中国香港、汉堡和曼彻斯特的现有研发机构。公司还将加强位于中国广东、马来西亚芙蓉市和菲律宾卡布尧的Nexperia(安世半导体)晶圆厂的测试与组装能力，包括实现先进自动化和系统级封装 (SiP) 技术能力。 Nexperia 首席运营官 Achim Kempe 表示：“不断增加的汽车电气化、5G 通信、工业 4.0 以及基于GaN的主流设计正渐入佳境，都将推动 2021 年及未来功率半导体的需求增长。Nexperia(安世半导体)每年交付 900 多亿件产品，是出货量最大的半导体制造商。新增全球投资将确保我们继续提供大批量交付产品所需的技术和制造能力，以满足未来的增长需求。” 闻泰科技和 Nexperia 的首席执行官张学政补充道：“自闻泰科技 2019 年收购 Nexperia 以来，我们一直致力于持续投资以支持宏伟的增长计划，并充分利用两家企业的协同效应。继去年宣布新建 300mm 晶圆厂并在槟城和上海开设设计中心之后，我们将继续进行投资，以支持我们在全球范围内的增长，扩大我们的业务范围和市场份额。”

时间：2021-04-20 关键词：半导体晶圆
台积电工厂突发停电，逾3万片晶圆或报废，损失将超10亿台币

4月14日上午，台积电位于南科的FAB14 P7工厂突发停电事故，传出40／45纳米等成熟制程生产受影响，至少数千至上万片晶圆面临报废，最严重影响逾3-4万片晶圆生产，损失估计将达10亿元（新台币，下同）。台积电表示，事件发生后，厂区内员工无安全疑虑亦无人员疏散，已在当天傍晚恢复正常供电，实际影响仍待盘点后再说明。据了解，此次意外主因纬创集团旗下网通大厂启碁在进行南科厂扩建工程中，承包商不慎挖断台电161KV地下电缆，导致南科—三福线线路跳脱。半导体行业人士表示，台积电这次面临的是中度压降冲击，通常晶圆制程中最关键的炉管及黄光设备，都会有不断电系统，避免最核心的曝光显影受到波及；至于后续的蚀刻、研磨等都采批次作业，评估影响得看有多少机台连结不断电系统。（资料图）由于当下全球晶圆代工产能吃紧，台积电全球晶圆代工市占超过五成，此次事件让全球半导体行业神经紧绷。而业界对事件影响评估程度不一，单就生产线来看，有部分人士推估影响不到1万片12吋晶圆生产，以每片晶圆均价1,600美元估算，生产线上的晶圆损失约5亿元以内。不过，台积受到其他厂商施工影响短期电力供应，主要影响不在线上生产晶圆，而是后续排程的晶圆出货时程，因为实际恢复正常供电时间约3-4个小时，相关潜在影响排程晶圆出货片数则约3万至4万片不等，损失将逾10亿元。另外，在产品线方面，P7厂可能主要生产图像传感器芯片，也有说法指该厂生产车用芯片；不过，无论是图像传感器，还是车用芯片，都是目前市场供给最吃紧的芯片产品。在停电导致生产受阻下，可能影响客户交期，恐使目前相关芯片缺货情况更雪上加霜。由于芯片生产周期通常约10-20周，车用芯片产能更是要提前12个月做规划。去年受疫情影响，许多车厂大量下修订单，导致芯片库存不足，晶圆代工厂也相继将车用芯片产能转为其他消费性产品芯片。从去年第四季度起，车用需求明显回温，加上对汽车电子需求也持续成长，导致今年第一季度起开始出现车用芯片大缺货情况，许多车厂也因无法取得足够芯片，不得不减产因应；就连英特尔也承诺拨出部分产能转做车用芯片，目标6-9个月内开始生产，显见车用芯片缺货问题短期内仍难解。晶圆竞拍后轮到芯片竞拍此前网通与笔电关键芯片大缺货，全球网通芯片龙头博通交期最长高达一年。如今业界传出，下游PC与代工厂全力顾料，主动要求网通与音频芯片厂以竞标方式，让出价高的客户能取得多一点芯片。这是IC设计业首度出现“竞标制”。此前，已有晶圆代工厂破天荒将部分产能以竞标方式，让客户投标，采加价幅度无上限、价高者得方式分配，0.13微米8吋产能竞标得标价，每片高达1,000美元，不仅较已调涨后的价格高出40%，更是近十年来新高价。如今竞标潮蔓延至IC设计业，芯片厂也出现历来首次竞标状况，凸显半导体市场供不应求盛况。

时间：2021-04-15 关键词：芯片台积电晶圆
SEMI：中国大陆首次成为全球最大的半导体设备市场

4月13日，国际半导体产业协会（SEMI）发布了《全球半导体设备市场统计（WWSEMS）报告》。该报告指出，2020年全球半导体设备销售额相比2019年的598亿美元激增19%，达到712亿美元，创历史新高。从国家/地区的排名来看，中国大陆首次成为全球最大的半导体设备市场，销售额同比大增39%，达到187.2亿美元；中国台湾地区排名第二，销售额为171.5亿美元；排名第三的是韩国，其保持了61％的增长，达到160.8亿美元；而排名第四的日本，年度支出也增加了21％；再往下则是欧洲和北美。各地区的年度账单（以十亿美元计），同比变化率（数据源自SEMI）从细分市场来看，2020年全球晶圆加工设备的销售额增长了19％，而其他前端细分市场的销售额增长了4％。封装在所有地区均显示强劲增长，2020年市场增长34％，测试设备总销售额增长20％。根据SEMI和日本半导体设备协会（SEAJ）成员提交的数据，该报告总结了全球半导体设备行业每月的帐单数字。设备类别包括晶圆加工、封装、测试，以及其他前端设备，包括掩模/标线片制造、晶圆制造和fab设施。

时间：2021-04-15 关键词：半导体晶圆
没有芯片的诸多原因

编排 | strongerHuang 来源 | 硬件十万个为什么芯片短缺问题从去年逐渐就开始出现了，包括台积电这种晶圆大厂也出现了一些“缺芯问题” 嵌入式专栏 1 导致没有芯片的诸多原因 1、天灾今年2月，美国德州遭遇超级寒流袭击，导致严重能源供应短缺与电力中断，包括Samsung、NXP与Infineon三家半导体业者位于奥斯汀的晶圆厂因此停摆。还有瑞萨失火！！！ 2、人祸全球半导体严重短缺的开端是美国政府对中国企业的制裁，尤其是对中芯国际的制裁。中芯国际拥有成熟的28nm芯片生产线，原本可极大地弥补产能，然而受美国制裁影响，目前其14nm生产线产能仅仅达到1.5万片/月。报道指出，订单集中涌向台湾企业等，再加上全球汽车半导体等各行业的需求快速复苏，供应短缺迹象加强。同样的观点，也出现在近期法国广播公司的一篇报道中，他们指出特朗普对中国发起的“科技战”是当下芯片短缺问题的间接推手。 3、囤货晶圆厂和封测厂属于超级大的资金密集型的行业，需要维持生产线24小时运转以最大化营利，产能的增加将是几十亿为单位的量级。 “一方面扩大产能需要时间，另一方面，芯片原厂相比去年产能已经大幅提升，但依然无法满足日益增长的市场需求。” 芯片短缺和涨价带来的不确定性导致市场恐慌性囤货，各环节订单激增。台积电高管在最近两次财报电话会议上表示，客户为了应对不确定性的风险开始囤积芯片。晶圆代工厂产能在手机、笔记本、服务器等需求已经满载，安防芯片难以插队。而另一关键环节封测也呈现相同的趋势，据工商时报报道称，受上游晶圆代工产能持续爆满的影响，今年上半年半导体封测产能仍严重吃紧。订单的持续涌入，诸如日月光这类大厂的投控产能已经排满到今年下半年，其他公司如华泰、菱生、超丰的打线封装订单同样爆满。晶圆代工紧缺之下，2021年全球各大晶圆代工厂、IDM大厂、IC设计厂均纷纷宣布于年初涨价。晶圆代工价格涨价10%至20%，封装测试涨价10%至20%。高级芯片的需求全面增加，尖端晶圆厂和封测厂等会优先考虑高端产品。嵌入式专栏 2 缺芯对汽车行业的影响虽然在去年12月初大众中国被曝出“因芯片短缺导致停产”时予以了否认，但从目前情况来看，芯片短缺的问题远没有解决。近日，因为芯片短缺而不得不减产的汽车厂商正在持续增加，几乎冲击了全行业。由此可见，半导体芯片短缺对全球汽车市场的影响并不小。今年三月份，大众汽车发布公告称1-2月因缺少芯片已减产10万余辆。本田汽车也宣布，墨西哥工厂将于3月18日起全部停产；通用汽车宣布暂时关闭其位于密歇根州兰辛的工厂，该工厂生产雪佛兰科迈罗以及凯迪拉克 CT4 和 CT5，预计今年 4 月份之前不会重新开工。3月26日，蔚来汽车宣布，因芯片短缺，决定从3月29日起将合肥江淮汽车工厂的生产暂停5天。至此，蔚来成为国内首家因受芯片产量波动影响而减产甚至停产的新势力车企。日本汽车制造商铃木汽车首次因为芯片供应问题而宣布停产。铃木汽车宣布，由于芯片短缺，其位于静冈县的两座工厂将暂停生产。本次停产的分别为Sagara工厂，以及Kosai工厂内三条生产线中的一条。铃木汽车表示，暂时没有削减产量的计划，公司将在假日期间维持工厂的运营，以弥补产量损失。另外，韩国现代汽车也计划使其牙山第三工厂从4月7日至4月9日停产三天时间，并在4月12日至4月15日仅运营一半生产线。值得注意的是，蔚山第三工厂可能也将在4月10日暂停生产，该厂生产Avante轿车。现在的行情：今天同事跟我说：年前几块钱的STM32，现在报价是一百多！！！！国产替代还有诸多问题需要解决，而且也没有库存！前两天客户问我，量大是不是可以优惠？答复是：“不涨价就是兄弟价！” 没有芯片供应，你怎么办？免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2021-04-13 关键词：芯片芯片短缺晶圆
Vicor 任命首席财务官

马萨诸塞州安多弗讯 — Vicor 公司日前宣布任命 James F. Schmidt 为首席财务官，2021 年 6 月 1 日起生效。Schmidt 先生将进入 Vicor 董事会，担任公司财务主管兼秘书。加入Vicor 前，Schmidt 先生于 Analog Devices (ADI) 任职 35 年。他的职业生涯始于晶圆厂，工作经验丰富，涉及财务、工程、运营和销售等领导职位。他先后毕业于辛辛那提大学 (University of Cincinnati) 和北卡罗来纳大学格林斯博罗分校 (the University of North Carolina at Greensboro)，分别获得化学工程学士学位和工商管理硕士学位。 Vicor 首席执行官 Patrizio Vinciarelli 表示：“我们非常高兴 Jim 在公司扩大业务范围，进入高增长市场之际加入我们团队。Jim 多样的背景和丰富的经验使他完全有能力帮助我们实现卓越运营、利润增长、强大的盈利能力。从而体现我们支持电源系统技术发展的价值。”

时间：2021-04-06 关键词：首席财务官 Vicor 晶圆
噩耗！MCU继续大缺货，多家原厂暂停接单、涨价

晶圆代工与封测产能不足的影响还在持续。据台媒报道，包括义隆、盛群、凌通等在内的 MCU厂商又掀起了新一轮的涨价潮，除再次涨价外，还传出了要求先收订金才能下单，甚至暂停接单的消息。盛群：订单看多到2022年盛群总经理高国栋于23日表示，客户对MCU需求相当强劲，整体订单已看至2022年，部分产品甚至停止接单。高国栋表示，去年中开始，晶圆代工、封测成本陆续上扬，盛群多自行吸收，直至去年10 月才针对部分低毛利产品进行调涨，不过由于生产供应链成本持续增加，今年4 月将一次性向客户反映，调涨15%。展望全年，高国栋看好，今年整体订单能见度相当高，已看至2022 年，尤其安防、BLDC (无刷马达) 等产品成长力道强劲，今年营收将年增双位数，获利可成长，双双挑战历史新高。盛群也因应客户需求，向代工协力厂增加产能，今年取得的晶圆产能较去年增加17%，但仍无法满足客户需求，目前有多样产品停止接单，包括电动自行车充电器芯片、健康量测芯片等。凌通：二次涨价，10%起据悉，凌通去年底针对部分产品价格调涨后，客户需求持续强劲，整体订单能见度直透上半年，加上晶圆代工、封测产能受车用芯片复苏排挤，加剧供需吃紧情况，为反映成本，凌通已启动二次价格调涨，累计涨幅10%起。供应链指出，凌通多媒体产品线因布局行车记录仪、外接镜头两大应用，受惠车用市场复苏、远距商机发酵，客户拉货力道较去年底更强，同时也是去年率先涨价的产品线之一，此次再次调涨，也将实现较合理的获利水平。展望全年，凌通指出，目前由于客户需求强劲，取得产能仍无法满足全部客户需求，且客户、分销商库存水位皆偏低，短期并无库存调整疑虑，全年营运乐观。义隆：年后MCU 产品全面暂停接单义隆董事长叶仪晧在23日召开的法说会上指出，由于MCU 需求强劲，公司自今年1 月1 日起正式调涨价格，近期也因考量公司产品规划，年后MCU 产品全面暂停接单，累计价格涨幅至少1 成起跳。叶仪晧表示，尽管义隆今年取得产能较去年提升20%，但仍无法满足所有客户，同时由于MCU 并非公司主力产品，虽说可以竞争，但相比公司笔电产品，获利表现约在平均值，因此将产能挪去承接对公司获利表现较有利的产品。除此之外，近日市面上还有宣布涨价的元器件厂商有士兰微电子和德普微电子。士兰微电子2月23日发布调价函称，由于受原辅材料及封装价格上涨的影响，我司相关产品的成本不断上升，为了保证产品的供应，保持良好的业务关系，经公司慎重研究决定，从2021年3月1日起，我司对部分分立器件产品价格进行调整(所有MS类产品、IGBT、SBD、FRD、功率对管等)，具体调价幅度我司销售人员与贵司沟通。德普微电子于2月20日向客户发布了产品调价通知函。德普微电子表示，由于上游MOS原材料供应商再次大幅上调价格，导致供应再次持续紧张，为确保产品持续供应，经公司慎重研究决定：对涉及MOS产品型号做相应价格调整，具体请与我司业务确认。涨价执行日期从2021年2月21号开始。免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2021-02-25 关键词： MCU 晶圆
Nexperia计划提高全球产量并增加研发支出

奈梅亨，2021年2月9日：基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。新投资与公司的发展战略相吻合。去年，Nexperia的母公司闻泰科技承诺投资120亿元人民币(18.5亿美元)在上海临港新建一座300mm(12英寸)功率半导体晶圆厂。该晶圆厂将于2022年投入运营，预计年产40万片晶圆。 Nexperia今年的计划包括提高生产效率，并在其位于德国汉堡和英国曼彻斯特的欧洲晶圆厂试试全新的200mm技术。汉堡晶圆厂还会增加对宽带隙半导体制造新技术的投资。公司承诺将研发投资提高至总销售额的9%左右，以全力支持新产品的开发。Nexperia最近在马来西亚槟城和中国上海开设了新的全球研发中心，同时扩大了位于中国香港、汉堡和曼彻斯特的现有研发机构。公司还将加强位于中国广东、马来西亚芙蓉市和菲律宾卡布尧的Nexperia晶圆厂的测试与组装能力，包括实现先进自动化和系统级封装(SIP)技术能力。 Nexperia首席运营官Achim Kempe表示：“不断增加的汽车电气化、5G通信、工业4.0以及基于GaN的主流设计正渐入佳境，都将推动2021年及未来功率半导体的需求增长。Nexperia每年交付900多亿件产品，是出货量最大的半导体制造商。新增全球投资将确保我们继续提供大批量交付产品所需的技术和制造能力，以满足未来的增长需求。” 闻泰科技和Nexperia的首席执行官张学政补充道：“自闻泰科技2019年收购Nexperia以来，我们一直致力于持续投资以支持宏伟的增长计划，并充分利用两家企业的协同效应。继去年宣布新建300mm晶圆厂并在槟城和上海开设设计中心之后，我们将继续进行投资，以支持我们在全球范围内的增长，扩大我们的业务范围和市场份额。”

时间：2021-02-09 关键词：功率半导体 Nexperia 晶圆
什么是晶圆代工?晶圆后道制作工艺是怎样的?

晶圆是诸多电子设备中不可或缺的元件，在前两篇文章中，小编对晶圆级封装、晶圆级CSP返修工艺有所介绍。为增进大家对晶圆的了解，本文将基于两点对晶圆予以介绍：1.晶圆代工，2.晶圆后道制作工艺介绍。如果你对晶圆，抑或是晶圆相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。一、晶圆代工现在的CPU和GPU等等的芯片什么的都是从晶圆片上切出来的，一大片晶圆可以切成很多的芯片越靠近圆中心的理论上质量越好质量较差的就做成型号较低的。什么是晶圆代工呢?用最简单的话讲，就是专门帮别人生产晶圆片。目前，大家熟知的晶圆代工厂大概有台积电、格芯、联电、中芯国际、三星、英特尔等;其中有些是专做代工，比如台积电、联电、格芯、中芯国际;有些是集芯片设计、芯片制造、芯片封测等多个产业链环节于一身，比如三星、英特尔，这些企业既可以自己生产晶圆，同时也可以为其他Fabless提供晶圆代工服务。我们是熟悉加工坊的，它使用各种设备把客户送过去需要加工的小麦、水稻加工成为需要的面粉、大米等。这样就没有必要每个需要加工粮食的人都来建造加工坊。我们现在的晶圆代工厂就像是一个加工坊。晶圆代工就是向专业的集成电路设计公司或电子厂商提供专门的制造服务。这种经营模式使得集成电路设计公司不需要自己承担造价昂贵的厂房，就能生产。这就意味着，台积电等晶圆代工商将庞大的建厂风险分摊到广大的客户群以及多样化的产品上，从而集中开发更先进的制造流程。随着半导体技术的发展，晶圆代工所需投资也越来越大，现在最普遍采用的8英寸生产线，投资建成一条就需要10亿美元。尽管如此，很多晶圆代工厂还是投进去很多资金、采购了很多设备。这足以说明晶圆代工将在不久的未来取得很大发展，占全球半导体产业的比重也将与日俱增。二、晶圆后道制作过程 1、封装工序Packaging 将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(IntegratedCircuit;简称IC)。 2、测试工序InitialTestandFinalTest 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂，而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定为降级品或废品。以上便是此次小编带来的“晶圆”相关内容，通过本文，希望大家对晶圆代工以及晶圆后道制作工艺具备一定的了解。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2021-01-25 关键词：代工指数晶圆
拓展晶圆认知宽度，晶圆级封装简要介绍

晶圆是重要元件，其实晶圆的原材料很简单，在现实生活中随处可见，也就是硅。上篇文章中，小编对晶圆级的CSP返修工艺有所介绍。为增进大家对晶圆的了解，本文将对将晶圆级封装产业予以阐述。如果你对晶圆，抑或是晶圆相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。一、晶圆级封装(Wafer Level Packaging)简介晶圆级封装(WLP，Wafer Level Package) 的一般定义为直接在晶圆上进行大多数或是全部的封装测试程序，之后再进行切割(singulation)制成单颗组件。而重新分配(redistribution)与凸块(bumping)技术为其I/O绕线的一般选择。WLP封装具有较小封装尺寸(CSP)与较佳电性表现的优势，目前多用于低脚数消费性IC的封装应用(轻薄短小)。晶圆级封装(WLP)简介常见的WLP封装绕线方式如下：1. Redistribution (Thin film), 2. Encapsulated Glass substrate, 3. Gold stud/Copper post, 4. Flex Tape等。此外，传统的WLP封装多采用Fan-in 型态，但是伴随IC信号输出pin数目增加，对ball pitch的要求趋于严格，加上部分组件对于封装后尺寸以及信号输出脚位位置的调整需求，因此变化衍生出Fan-out 与Fan-in + Fan-out 等各式新型WLP封装型态，其制程概念甚至跳脱传统WLP封装。二、WLP的主要应用领域整体而言，WLP的主要应用范围为Analog IC(累比IC)、PA/RF(手机放大器与前端模块)与CIS(CMOS Image Sensor)等各式半导体产品，其需求主要来自于可携式产品(iPod, iPhone)对轻薄短小的特性需求，而部分NOR Flash/SRAM也采用WLP封装。此外，基于电气性能考虑，DDR III考虑采用WLP或FC封装，惟目前JEDEC仍未制定最终规格(注：至目前为止， Hynix, Samsung与 Elpida已发表DDR III产品仍采FBGA封装)，至于SiP应用则属于长期发展目标。此外，采用塑料封装型态(如PBGA)因其molding compound 会对MEMS组件的可动部份与光学传感器(optical sensors)造成损害，因此MEMS组件也多采用WLP封装。而随着Nintendo Wii与APPLE iPhone与iPod Touch等新兴消费电子产品采用加速传感器与陀螺仪等MEMS组件的加温，成为WLP封装的成长动能来源。 WLP的主要应用领域各种封装型态的比较三、WLP的优点与挑战 1.组件缩小化伴随制程微缩的组件缩小化(footprint change)，对WL-CSP的设计造成挑战，特别是Fan-in型态的WL-CSP的Ball diameter与ball pitch的技术难度提升，甚至造成封装良率的提升瓶颈，进而导致成本上升，此议题必须妥善因应，否则WLP的应用将局限于小尺寸与低脚数组件，市场规模也将受限。 2.价格 WLP必须与传统封装如TSOP接近甚至更低，而其设计架构、使用材料与制造流程将对最终生产良率扮演最重要的价格因素，更是WLP封测厂商能否成功的关键要素。 3.可靠度晶粒与基板之间的thermal mismatch随尺次越大越加严重，其所造成的solder ball fatigue(锡铅球热疲劳)导致WLP 输出脚数多局限于输出脚数小于60的产品，而随着半导体组件输出信号脚数的增加，加强bumping 连结强度的重要性日趋提高。 4.测试方法(Wafer level testing and burn-in) KGD(Known Good Die)的价格必须与TSOP相近，而WLP对于高密度接触点与接触点共平面性/压力的要求相当严格，成本不易压低。而WLP相关治具套件的开发与规模经济成为WLP cost-down以及市场成长的重要关键，毕竟最终价格效能(C/P ratio)还是封装型态选择的关键要素。 WL-CSP的优点最后，小编对晶圆的性能参数予以简单介绍。硅晶圆和硅太阳能电池分别是半导体材料和半导体器件的典型代表。半导体特性参数衡量和表征材料及其器件的性能。由于载流子是半导体材料及器件的功能载体，载流子移动形成电流及电场，同时载流子具有发光、热辐射等特性，因此载流子参数是表征半导体材料及器件载流子输运特性的基础，即载流子参数是硅晶圆和硅太阳能电池特性参数的重要组成部分。当硅晶圆经过加工、制造形成硅太阳能电池后，由于 pn 结和费米能级的差异，导致载流子分离形成电压，进而有饱和电流、填充因子和光电转化效率等电性能参数直观反映并影响太阳能电池伏安特性。综上分析，硅晶圆的主要特性参数包括载流子参数。以上便是此次小编带来的“晶圆”相关内容，通过本文，希望大家对晶圆级封装具备一定的了解。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2021-01-25 关键词：封装指数晶圆
扫清晶圆盲点，晶圆级CSP返修工艺介绍

晶圆在现实生活中具有重要应用，缺少晶圆，我们的手机、电脑等将无法制成。而且，高质量晶圆必将为我们制造的产品带来更高的性能。为增进大家对晶圆的了解，本文将对晶圆级CSP的返修工艺予以介绍。如果你对晶圆，抑或是晶圆相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。一、晶圆晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。在了解了什么是晶圆后，下面我们将对晶圆级CSP的返修工艺加以阐述。二、晶圆级CSP的返修工艺经底部填充的CSP装配，其稳健的机械连接强度得到很大的提升。在二级装配中，由于底部填充，其抵御由于扭转、振动和热疲劳应力的能力得以加强。但经过底部填充的CSP如何进行返修成了我们面临的问题。由于设计的变更，制造过程中的缺陷或产品在使用过程中的失效，有时需要对CSP装配进行返修，而应用传统的底部填充材料是不可以进行返修的，原因是无法将己经固化的填充材料从PCB上清除掉。目前市场上己经有一些可以重工的底部填充材，应用种类材料，便可以实现返修。尽管如此，返修工艺还是面临是如何将失效的CSP移除，以及如何重新整理焊盘，将上面残留的底部填充材料和焊料清除的问题。经过底部填充的CSP返修工艺和未经底部填充的返修工艺很相似，主要区别在于前者元件被移除后，PCB上会流有底部填充材料，这就要求在焊盘整理过程中，不光要清理掉焊盘上的残余的焊料，还必须清理掉残留的底部填充材料。其返修工艺包括以下几个步骤： ·设置元件移除和重新装配温度曲线; ·移除失效元件; ·焊盘重新整理，清除残留的填充材料和焊料; ·添加锡膏或助焊剂; ·元件重新装配。元件的移除和焊盘的重新整理过程不同于未做底部填充的CSP装配。在元件移除过程中，需要更高的温度，并且需要机械的扭转动作来克服填充材料对元件的黏着力，只用真空吸取不能将元件移除。焊盘重新整理变成了两个步骤，首先清除PCB上残留的填充材料，然后清除残留在焊盘上的焊料，以获得清洁平整的表面。由于返修工艺是对PCB局部加热，往往会导致PCB上局部温度过高，而造成元器件受损，基板及附近元件受损，金属间化合物过度生长，基板因局部受热翘曲变形等。这就要求除了精心设置元件移除和贴装温度曲线，优化控制整个返修工艺外，还必须考虑返修设各的性退缩。对返修设备的要求： ·加热系统可以精确控制，必须能够动态监控板上的温度。 ·板底和板面加热可以单独控制，板上临近区域温度以及元件上的温度应尽可能的低，以降低损坏的可能性。 ·加热喷嘴热效率高，热量分布均匀，可以有效降低加热系统的工作温度。同一元件上不同的焊点温度差不能超过10℃。 ·影像视觉系统对元件对位要精确。 ·对于大小板，都应该有全板且足够平整的支撑，基板的夹持系统不应使板在返修过程中发生翘曲变形。以上便是此次小编带来的“晶圆”相关内容，通过本文，希望大家对晶圆级CSP返修工艺具备一定的认知。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2021-01-25 关键词：指数 CSP 晶圆
制造晶圆难吗?晶圆制造业有哪些特点?

晶圆的重要性不言而喻，因此我们需要对晶圆具备一定的认识。前两篇文章中，小编对晶圆到CPU的转换过程、晶圆和硅片的区别有所探讨。为增进大家对晶圆的了解程度，本文将对晶圆制造业的特点予以阐述。如果你对晶圆具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。一、基本原料硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%)，接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。硅片广泛用于集成电路(IC)基板、半导体封装衬底材料，硅片划切质量直接影响芯片的良品率及制造成本。硅片划片方法主要有金刚石砂轮划片、激光划片。激光划片是利用高能激光束聚焦产生的高温使照射局部范围内的硅材料瞬间气化，完成硅片分离，但高温会使切缝周围产生热应力，导致硅片边缘崩裂，且只适合薄晶圆的划片。超薄金刚石砂轮划片，由于划切产生的切削力小，且划切成本低，是应用最广泛的划片工艺。由于硅片的脆硬特性，划片过程容易产生崩边、微裂纹、分层等缺陷，直接影响硅片的机械性能。同时，由于硅片硬度高、韧性低、导热系数低，划片过程产生的摩擦热难于快速传导出去，易造成刀片中的金刚石颗粒碳化及热破裂，使刀具磨损严重，严重影响划切质量。二、晶圆制造单晶硅棒的直径是由籽晶拉出的速度和旋转速度决定的，一般来说，上拉速率越慢，生长的单晶硅棒直径越大。而切出的晶圆片的厚度与直径有关，虽然半导体器件的制备只在晶圆的顶部几微米的范围内完成，但是晶圆的厚度一般要达到1 mm，才能保证足够的机械应力支撑，因此晶圆的厚度会随直径的增长而增长。晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。三、晶圆制造业的特点晶圆及芯片制造业是一个高度技术密集、资金密集的产业、其生产对环境要求非常严格，例如对电力、水源、燃气的供应，不仅有很高质量要求，还必须采用双回路，甚至三回路，从而保证在任何时候都能充足、及时供给。另外对空气环境、地表微震、厂址地质条件也都有严格要求。至于其厂区内部，由于工艺条件所决定，许多工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成，室内环境的各项参数均自动调节，以保证随时处于最佳状况，因此，不仅厂房造价相当高，生产、控制设备也异常先进、昂贵。因此，一般兴建一个两线(即有两条生产线)8时晶圆厂(指生产的晶圆直径为8时，即约203mm)，需投入人民币十几亿至数十亿，其占地面积也有十几万平方米，员工可以达数千人。另外，要保证其正常生产还需要很多相关的原材料和配套产品生产厂。所以一个晶圆厂建成后，不仅其生产值能达到几十甚至几百亿，同时还能带动一大批相关企业、产业。并且由于其工厂拥有众多的员工(其中高级技术、管理人员占很大比重)。在厂区周过还能形成一个完整的社区，其对第三产业的需求也将带来许多就业机会，因此，其对当地的经济发展具有相当大的推动作用。以上便是此次小编带来的“晶圆”相关内容，通过本文，希望大家对晶圆、晶圆制造业的特点具备一定的了解。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2020-12-25 关键词：芯片指数晶圆
你足够了解晶圆吗?晶圆和硅片有何区别?

晶圆是当代重要的器件之一，对于晶圆，电子等相关专业的朋友通常较为熟悉。前文中，小编介绍了晶圆是如何变成CPU的。为增进大家对晶圆的了解，本文中，小编将对晶圆、硅片以及晶圆和硅片的区别予以介绍。如果你对晶圆具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。一、晶圆 (一)概念晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。 (二)晶圆的制造过程晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合，剩下硅)，得到纯度约为98%的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%，成为电子级硅。接下来是单晶硅生长，最常用的方法叫直拉法。如下图所示，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约1400℃，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向：坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的，在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。用直拉法生长后，单晶棒将按适当的尺寸进行切割，然后进行研磨，将凹凸的切痕磨掉，再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜，晶圆片制造就完成了。单晶硅棒的直径是由籽晶拉出的速度和旋转速度决定的，一般来说，上拉速率越慢，生长的单晶硅棒直径越大。而切出的晶圆片的厚度与直径有关，虽然半导体器件的制备只在晶圆的顶部几微米的范围内完成，但是晶圆的厚度一般要达到1mm，才能保证足够的机械应力支撑，因此晶圆的厚度会随直径的增长而增长。晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。 (三)晶圆的基本原料硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%)，接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。二、硅片 (一)定义硅片是制作晶体管和集成电路的原料。一般是单晶硅的切片。硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片(集成电路)这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。 (二)硅片的规格硅片规格有多种分类方法，可以按照硅片直径、单晶生长方法、掺杂类型等参量和用途来划分种类。 1.按硅片直径划分硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm)，目前已发展到18英寸(450mm)等规格。直径越大，在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多，每个芯片的成本也就越低。因此，更大直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大，对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。 2.按单晶生长方法划分直拉法制各的单晶硅，称为CZ硅(片);磁控直拉法制各的单晶硅，称为MCZ硅(片);悬浮区熔法制各的单晶硅，称为FZ硅(片);用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层，称为外延(硅片)。三、硅片和晶圆的区别未切割的单晶硅材料是一种薄型圆片叫晶圆片，是半导体行业的原材料，割后叫硅片，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。以上便是此次小编带来的“晶圆”相关内容，通过本文，希望大家对晶圆、硅片以及二者之间的区别具备一定的了解。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2020-12-25 关键词：硅片指数晶圆
好一场晶圆变身戏法，晶圆72变CPU

晶圆是非常重要的物件之一，缺少晶圆，目前的大多电子设备都无法使用。在往期文章中，小编对晶圆的结构、单晶晶圆等均有所介绍。本文中，为增进大家对晶圆的了解，小编将阐述晶圆是如何变成CPU的。如果你对晶圆相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。一、晶圆晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。二、CPU的工艺要素 1)晶圆尺寸硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。硅晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心，300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的2.25倍，出产的处理器个数却是后者的2.385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆来得高多少，因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯片生产商所喜欢的。然而，硅晶圆具有的一个特性却限制了生产商随意增加硅晶圆的尺寸，那就是在晶圆生产过程中，离晶圆中心越远就越容易出现坏点。因此从硅晶圆中心向外扩展，坏点数呈上升趋势，这样我们就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。 (2)蚀刻尺寸蚀刻尺寸是制造设备在一个硅晶圆上所能蚀刻的一个最小尺寸，是CPU核心制造的关键技术参数。在制造工艺相同时，晶体管越多处理器内核尺寸就越大，一块硅晶圆所能生产的芯片的数量就越少，每颗CPU的成本就要随之提高。反之，如果更先进的制造工艺，意味着所能蚀刻的尺寸越小，一块晶圆所能生产的芯片就越多，成本也就随之降低。 (3)金属互连层在前面的第5节“重复、分层”中，我们知道了不同CPU的内部互连层数是不同的。这和厂商的设计是有关的，但它也可以间接说明CPU制造工艺的水平。这种设计没有什么好说的了，Intel在这方面已经落后了，当他们在0.13微米制程上使用6层技术时，其他厂商已经使用7层技术了;而当Intel准备好使用7层时，IBM已经开始了8层技术;当Intel在Prescott中引人7层带有Lowk绝缘层的铜连接时，AMD已经用上9层技术了。更多的互连层可以在生产上亿个晶体管的CPU(比如Prescott)时提供更高的灵活性。我们知道当晶体管的尺寸不断减小而处理器上集成的晶体管又越来越多的时候，连接这些晶体管的金属线路就更加重要了。特别是金属线路的容量直接影响信息传送的速度。在90纳米制程上，Intel推出了新的绝缘含碳的二氧化硅来取代氟化硅酸盐玻璃，并同时表示这可以增加18%的内部互连效率。三、CPU生产流程 (1)硅提纯生产CPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。 (2)切割晶圆硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。 (3)影印(Photolithography) 在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。 (4)蚀刻(Etching) 这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。 (5)重复、分层为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。Intel的Pentium4处理器有7层，而AMD的Athlon64则达到了9层。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电流大小。 (6)封装这时的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。 (7)多次测试测试是一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤(如果可能的话)。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。由于SRAM(静态随机存储器，CPU中缓存的基本组成)结构复杂、密度高，所以缓存是CPU中容易出问题的部分，对缓存的测试也是CPU测试中的重要部分。每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率;而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron等低端产品。当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率和缓存的不同，它们被放进不同的包装，销往世界各地。四、晶圆如何变成cpu 早在2010年欧盟赞助了一项由德国海森堡大学发起的项目，名字叫BrainScaleS(Brain-inspiredmultiscalecomputationinneuromorphichybridsystems)，其实和最近很火的IBMTureNorth处理器有点类似，都是模拟大脑物理结构的东西。不过他们模拟的是老鼠的大脑结构，具体步骤是先将老鼠的大脑用液氮冰冻，然后一层一层用机器磨掉，每磨掉一层就进行一次拍照，然后根据全部的照片去研究老鼠的大脑结构(没错，和山寨手机仿造电路板用的方法一模一样)。然后根据这个使用180nmCMOS工艺，在一整片的8英寸晶圆去复现了老鼠的大脑结构，有20万个神经元、5000万个突触。因为大脑是一个3D状的网络结构，所以实际的CPU是把它平铺到1个2D平面上的，所以在晶圆上有一个个的区域，不同的区域之间使用了专门开发的结构去进行互联。至于为什么使用如此“古董“的工艺，其原因在于这是一个数模混合芯片，我们知道模拟电路由于自身的特征(低噪声和高驱动能力等)而无法使用线宽太小的半导体工艺(否则要么达不到设计指标，要么干脆就烧掉啦)，而数字电路则不用考虑这些。所以在CPU工艺已经进步到14nm的今天，模拟电路使用的主流工艺还是130-180nm。实际的系统已经在2013年上线了，不过效果貌似没有预期那么好，这个项目已经于去年停止了。以上便是此次小编带来的“晶圆”相关内容，通过本文，希望大家对晶圆是如何变成CPU具备一定的了解。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2020-12-25 关键词： CPU 指数晶圆
500亿元！中芯国际超级项目启动！

中芯国际作为中国芯近期被关注最多的公司之一，三番五次被美国打压。不过最近中芯国际持续加大投入，联合亦庄国际投资和国家集成电路产业投资基金投资500亿元建厂，振奋了行业的决心。据企查查信息显示，日前中芯国际正式成立了中芯京城集成电路制造（北京）有限公司，这个企业就是12月4日中芯国际公告的50亿美金投资的公司。当时的公告称中芯控股、国家集成电路基金II和亦庄国投将共同成立合资企业，注册资本50亿美元，准备投资76亿美元，大概折合500亿人民币巨额资金生产12寸集成电路晶圆及集成电路封装系列等。信息显示，中芯京城集成电路制造（北京）有限公司成立于12月7日，法定代表人为姜镭，注册资本为500000万（50亿）美元。股东方面，第一大股东为中芯国际控股有限公司，持股比例51%；北京亦庄国际投资发展有限公司为第二大股东，持股24.51%；国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司为第三大股东，持股24.49%。营业范围主要涉及制造12英寸集成电路圆片、集成电路封装系列，技术检测，与集成电路有关的技术开发、技术服务、设计服务；销售自产产品等。公开资料显示，国家集成电路基金II于2019年10月注册成立，透过股权投资，主要投资于集成电路产业的价值链，其中以集成电路芯片生产、芯片设计、封装测试以及设备及材料为主。亦庄国投创立于2009年2月，为北京经济技术开发区财政审计局全资附属公司。作为一家就北京经济技术开发区产业转型升级而成立的国有投资公司，亦庄国投可提供创新金融服务以满足当地企业发展需要。中芯国际表示，据董事作出一切合理查询后所深知、全悉及确信，基于本公告披露的理由及除亦庄国投于中芯北方的5.75%股权外，除国家集成电路基金II外，亦庄国投和其最终实益拥有人均为独立于本公司和本公司关联（连）人士的第三方。科创板日报报道称，中芯国际第二代FinFET已进入小量试产。去年11月消息称，中芯国际已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产，且计划2019年年底前进行12nm FinFET的风险试产。12nm工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。前不久，中芯国际被美国盯上。12月4日，美国国防部官网公示，依据修订的《1999财政年度国防授权法》第1237条的法定要求，正式将中芯国际（SMIC）、中国建设科技集团（CCTC）、中国国际工程咨询公司（CIECC）、中海油（CNOOC）四家中国企业加入“与军事活动有联系”的企业清单。消息发出后，中芯国际立即在其公众号内回应表示，被列入该名单对公司没有重大影响，并重申公司是独立营运的国际性企业。在互动平台上，中芯国际也表示目前公司正常运营，公司和美国相关政府部门等进行了积极交流与沟通。公司客户需求强劲，订单饱满，第三季度产能利用率接近满载。展望2020年全年，公司的收入目标上修为24%至26%的年增长。全年毛利率目标高于去年。

时间：2020-12-11 关键词：中芯国际晶圆
史密斯英特康发布Volta 180系列探针头提升晶圆测试方案性能

信息时代的迅猛发展催生了对消费和商业电子产品巨大的需求。如何在有限的应用空间增加更多的功能并兼具成本效益，这一需求促进了晶圆级封装和已知良好芯片测试的巨大增长。 Volta 产品系列是史密斯英特康增强的解决方案，可以对最小引脚间距180um 的晶圆尺寸封装及晶圆级封装进行快速而可靠的测试，以确保芯片性能是否符合要求，从而满足终端产品的应用。全新的Volta180系列引脚最小间距（PITCH）降至180um，是的增强的晶圆级别测试解决方案，具备如下性能优势： Volta 180可以满足在750，000次寿命测试下仍保持低且稳定的电阻，从而提供高精度的测量。卓越的针头共面性可满足64 个工位，5000根探针同时进行测试，以提高生产效率模组化的针头设计能确保维护时可进行快速更换，停机时间几乎为零。全探针阵列设计允许现场根据不同产品配置探针位置，使得单个Volta 180探针头可测试多个产品。史密斯英特康总裁 Paul Harris说，“技术性的挑战和封装成本的上升推动了晶圆级封装和已知合格芯片（KGD）测试需求的增长。史密斯英特康的 Volta180 系列兼具高性能和高性价比满足市场需求，会助力我们的合作伙伴大大提升测试效率和测试量率，从而增强市场竞争力。”

时间：2020-12-07 关键词：史密斯晶圆
联手国家队，中芯国际斥资500亿用于12英寸晶圆制造

12月4日晚间，中芯国际发布公告，公司全资附属公司中芯控股、国家集成电路基金II和亦庄国投已订立合资合同，以共同成立合资企业中芯京城集成电路制造(北京)有限公司，注册资本为50亿美元，总投资额为76亿美元(约500亿人民币)，业务范围包括生产12吋集成电路晶圆及集成电路封装系列等。公告显示，于2020年12月4日(交易时段后)，中芯控股、国家集成电路基金II和亦庄国投订立合资合同以共同成立合资企业。合资企业的注册资本为50亿美元，中芯控股、国家集成电路基金II和亦庄国投各自同意出资25.5亿美元、12.245亿美元和12.255亿美元，分别占合资企业注册资本51%、24.49%和24.51%。合资企业的业务范围包括生产12吋集成电路晶圆及集成电路封装系列;技术测试;集成电路相关技术开发、技术服务及设计服务;销售自产产品(对须根据相关法律审批的项目，将按照相关机构核定的审批内容开展业务活动)(受限于市场监管机关最终审批及备案的内容)。 21IC家注意到，国家集成电路基金II于2019年10月注册成立，透过股权投资，主要投资于集成电路产业的价值链，其中以集成电路芯片生产、芯片设计、封装测试以及设备及材料为主。亦庄国投创立于2009年2月，为北京经济技术开发区财政审计局全资附属公司。作为一家就北京经济技术开发区产业转型升级而成立的国有投资公司，亦庄国投可提供创新金融服务以满足当地企业发展需要。通过长周期战略投资，同时搭建全流程的母基金体系，并依靠其市场实力，发展多元化的产业投资及金融服务，旨在促进集成电路发展，以创造智能产业集群。针对美国政府最近将中芯国际列为制裁名单中，中芯国际在公告中也对此做出回应。公告表示，公司是独立营运的国际性企业，投资人、客户等利益相关方遍及全球。本公司一直坚持合法合规经营，并遵守经营地的相关法律法规，其服务和产品从未涉及任何军事用途，皆用于民用及商用。公司强烈反对美国国防部的决定，此举反映了美国国防部对本公司业务与技术最终用途的根本误解。公司会继续与美国政府相关部门保持积极的交流沟通。

时间：2020-12-07 关键词：中芯国际晶圆
8英寸代工涨价?中芯国际最新回应来了

11月26日消息，在上证e互动平台上，有投资者提问：“中芯四季度8吋晶圆代工是否进行调价?相关生产是否有收到美国商务部限制影响?”等问题。中芯国际回复称，现有客户订单将按已签订合同进行，新客户、新项目则由双方协商确定价格，公司也会通过优化产品组合来提升平均晶圆价格。中芯国际表示，目前公司正常运营，针对该出口限制，公司和美国相关政府部门等进行了积极交流与沟通，对于具体细节，公司不方便透露。北京新厂项目仍处于筹备阶段，如有实质性进展，会按照相关法律法规及时公告。 21ic家注意到，今年以来，受疫情等因素影响，大批人员选择远程上班、在家上学等，对笔记本电脑、平板等产品的需求也出货量大增。而这类产品中的电源管理芯片和显示驱动芯片主要由8英寸晶圆厂制造，使得二季度和三季度8英寸晶圆产能吃紧，部分代工大厂已开始涨价，预计涨价会持续到明年一季度。

时间：2020-11-27 关键词：中芯国际代工晶圆
Soitec发布2021上半财年报告，销售额达2.54亿欧元，维持健康发展态势

作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于11月18日公布了2021上半财年业绩(截止至2020年9月30日)。该财务报表4于11月18日获董事会批准。 Soitec首席执行官Paul Boudre评论道：“2021上半财年，凭借稳定的收入和略高于30%的电子产品业务EBITDA，我们有望实现全财年财测的目标。同时，我们强劲的经营性现金流进一步巩固了我们稳定的财务状况，并使我们能够继续投资生产设施，推动进一步的增长。” Paul Boudre继续补充道：“近期，我们签署了几项战略性的供应协议，其中一项是为高通公司的新一代射频滤波器供应POI衬底。另一项是与格芯公司达成RF-SOI晶圆供应协议，助力打造用于新一代手机的先进射频前端解决方案。新的合作有力地证明了我们市场定位的成功，通过更为精准的定位，我们引领5G市场的发展并捕获新的机遇。得益于我们创新性优化衬底的采用持续增长，以及我们的团队在Covid-19期间仍发扬着爱岗敬业的精神，Soitec得以不断加速产能扩充计划，力争在2022财年以及未来实现进一步增长。” 营收和EBITDA利润率维持稳定 2021年上半财年的综合销售额达到2.544亿欧元，较2020年同期下降1.6%。这主要是一系列因素影响的结果：按固定汇率和边界计0.4%的下降，汇率波动-1.3%负面影响，以及2019年5月收购EpiGaN带来的+ 0.1%的范围效应。 - 150/200-mm晶圆销售额达到1.384亿欧元，占总销售额的57%。按报告的基础计算增长14%，按固定汇率计增长15%。用于智能手机射频应用的200-mm RF-SOI晶圆销售额的持续走高。受Covid-19影响，汽车市场的疲软导致使Power-SOI的销售额下降，但该部分下降仍被RF-SOI的增长所抵消。销售额的增长反映了更优的产品组合。此外，用于射频滤波器的150-mm POI(压电衬底)经历了初期阶段的销量爬坡，因而销售量的小幅增长也推动了150/200-mm晶圆销售额的攀升。 - 300-mm晶圆销售额为1.051亿欧元，按报告的基础计算下降了16%，按固定汇率计下降了15%。销售额下降反映了销售量的下降。 300-mm RF-SOI晶圆的销售额维持在高位，并继续受到仍在增长的4G市场以及第一代5G智能手机的部署的支持。与此同时，尽管针对5G、边缘计算和汽车市场的设计和流片都很活跃，但FD-SOI晶圆的销售量却明显低于上年。其他300-mm产品(用于智能手机3D应用的Imager-SOI和用于数据中心的Photonics-SOI晶圆)的销售表现强劲。 - 特许权使用费及其他营业收入从2020上半财年的1,170万欧元降至2021上半财年的1,080万欧元，其中包括Frec|n|sys、Dolphin Design和EpiGaN产生的850万欧元销售额。毛利润从2020财年上半年的8,740万欧元降至2021财年上半年的7,740万欧元，毛利率从33.8%下降至30.4%。这主要是由于较高的折旧费用，以及Bernin III 厂150-mm产线不断扩大建设。此外，为客户大宗采购而提供的优惠价格也带来了部分影响。当前营业收入从2020上半财年的5,130万欧元(占销售额的19.9%)下降至2021上半财年的3,720万欧元(占销售额的14.6%)。除毛利润下降之外，该项下降还直接归因于研发投入的增加，以及为支持未来规模扩张而进行的员工扩招。运营现金流大幅增长持续经营业务(电子业务)EBITDA2几近稳定(-1%)在7,730万欧元。 2021上半财年的运营所需营运资金减少了3,120万欧元，应收账款减少了6,000万欧元，部分抵消了为应对下半年销售增长而增加的2,420万欧元库存，以及抵消了1,020万欧元的其他负债。总体而言，得益于运营和融资活动产生的大量现金，尽管进行了持续的投资活动，Soitec的现金头寸在2021上半财年增加了1.003亿欧元，到2020年9月30日达到2.913亿欧元。财务状况进一步加强由于2021上半财年可观的现金流量，Soitec保持了健康的资产平衡。得益于2021上半财年所产生的净利润，股东权益在此期间增长了2,480万欧元，达到5.765亿欧元。净债务状况5大幅好转，从2020年3月31日的5,370万欧元下降至2020年9月30日的520万欧元。 2021财年展望按固定汇率计，2021财年销售额预计保持稳定，电子产品业务税息折旧及摊销前(EBITDA)2利润率3预期增长约30%。 Soitec预计，相较于此前宣布的“至少为1亿欧元”，电子产品业务调整后的与资本开支相关的净现金支出将在2021财年达到1.35亿欧元。该项增长反映了与POI产品相关的产能投资的加速增长。此外，根据1.13欧元/美元的汇率，目前Soitec预计其2022财年的销售额将达到9亿美元以上，即8亿欧元以上。注释： 1. 按固定汇率和可比的合并范围;范围效应涉及2019年5月收购EpiGaN(在2020年6月更名为Soitec Belgium N.V.);该项收入包含在特许权使用费和其他营业收入中。 2. EBITDA是指未计折旧、摊销、与股份支付相关的非货币项、流动资产拨备变动以及风险和应急事项拨备变动前(不包括资产处置收入)的当期经营收入(EBIT)。这种替代业绩指标是非IFRS量化指标，用于衡量公司从其经营活动中产生现金的能力。EBITDA不是由IFRS标准定义的，不得视为任何其他财务指标的替代方案。 3. 电子产品业务的EBITDA利润率=来自持续经营/销售的EBITDA。 4. 半年度账目由审计师审查。 5. 净债务状况表示金融债务减去现金和现金等价物。

时间：2020-11-25 关键词： Soitec 晶圆
如何测试晶圆?晶圆形状变化：从圆到不圆

晶圆对于科技来说属于重要组成之一，缺少晶圆，先进的科技将停步不前。那么，当晶圆被制造出来后，如何确定晶圆成品的好坏呢?本文中，小编将对大家介绍晶圆的测试方法，并且将对晶圆的形状变化进行探讨。如果你对晶圆具有兴趣，抑或本文即将要介绍的内容具有兴趣，都不妨继续往下阅读哦。一、晶圆材质硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%)，接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。二、晶圆测试方法晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针，与晶粒上的接点接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当晶片依晶粒为单位切割成独立的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被淘汰，不再进行下一个制程，以免徒增制造成本。在晶圆制造完成之后，晶圆测试是一步非常重要的测试。这步测试是晶圆生产过程的成绩单。在测试过程中，每一个芯片的电性能力和电路机能都被检测到。晶圆测试也就是芯片测试或晶圆电测。在测试时，晶圆被固定在真空吸力的卡盘上，并与很薄的探针电测器对准，同时探针与芯片的每一个焊接垫相接触(图4.18)。电测器在电源的驱动下测试电路并记录下结果。测试的数量、顺序和类型由计算机程序控制。测试机是自动化的，所以在探针电测器与第一片晶圆对准后(人工对准或使用自动视觉系统)的测试工作无须操作员的辅助。测试是为了以下三个目标。第一，在晶圆送到封装工厂之前，鉴别出合格的芯片。第二，器件/电路的电性参数进行特性评估。工程师们需要监测参数的分布状态来保持工艺的质量水平。第三，芯片的合格品与不良品的核算会给晶圆生产人员提供全面业绩的反馈。合格芯片与不良品在晶圆上的位置在计算机上以晶圆图的形式记录下来。从前的旧式技术在不良品芯片上涂下一墨点。晶圆测试是主要的芯片良品率统计方法之一。随着芯片的面积增大和密度提高使得晶圆测试的费用越来越大。这样一来，芯片需要更长的测试时间以及更加精密复杂的电源、机械装置和计算机系统来执行测试工作和监控测试结果。视觉检查系统也是随着芯片尺寸扩大而更加精密和昂贵。芯片的设计人员被要求将测试模式引入存储阵列。测试的设计人员在探索如何将测试流程更加简化而有效，例如在芯片参数评估合格后使用简化的测试程序，另外也可以隔行测试晶圆上的芯片，或者同时进行多个芯片的测试。三、晶圆形状变化 1.为什么晶圆是圆形的? 因为制作工艺决定了它是圆形的。因为提纯过后的高纯度多晶硅是在一个子晶(seed)上旋转生长出来的。多晶硅被融化后放入一个坩埚(Quartz Crucible)中，再将子晶放入坩埚中匀速转动并且向上提拉，则熔融的硅会沿着子晶向长成一个圆柱体的硅锭(ingot)。这种方法就是现在一直在用的CZ法(Czochralski)，也叫单晶直拉法。如下图：然后硅锭在经过金刚线切割变成硅片：在经过打磨等等处理后就可以进行后续的工序了(CPU制造的那些事之一：i7和i5其实是孪生兄弟!?) 单晶直拉法工艺中的旋转提拉决定了硅锭的圆柱型，从而决定晶圆是圆形的。 2.为什么后来又不圆了呢? 那为啥后来又不圆了呢?其实这个中间有个过程掠过了，那就是Flat/Notch Grinning。它在硅锭做出来后就要进行了。在200mm以下的硅锭上是切割一个平角，叫做Flat。在200mm(含)以上硅锭上，为了减少浪费，只裁剪个圆形小口，叫做Notch。在切片后晶圆就变成了这样：晶圆其实是有缺一个小豁口的。为什么要这样做呢?这不是浪费吗?其实，这个小豁口因为太靠近边缘而且很小，在制作Die时是注定没有用的，这样做可以帮助后续工序确定Wafer摆放位置，为了定位，也标明了单晶生长的晶向。定位设备可以是这样：这样切割啊，测试啊都比较方便。以上便是此次小编带来的“晶圆”相关内容，通过本文，希望大家对晶圆的测试方法以及晶圆的形状变化具备一定的了解。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!

时间：2020-11-12 关键词：指数形状晶圆