-
美光或收购Numonyx Intel脱离NAND市场？
根据国外媒体爆料，NAND闪存芯片制造商以及英特尔的合作伙伴美光科技可能会收购英特尔投资的NOR闪存制造商Numonyx。这将使得英特尔能够摆脱掉Numonyx，而美光则可以藉此进入NOR闪存业务，并获得Numonyx的phase-chang
-
美光：NAND尺寸持续微缩，有望挺进10纳米级
在日前的快闪内存高峰会(Flash Memory Summit)上，人们普遍对该产业的前途感到悲观。有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，
-
美光：TMC模式不会成功
随著TMC股东和班底逐渐浮上台面，美光(Micron)和台塑集团将加速送出整合计画书，美光在台代表暨华亚科执行副总勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不会成功，即使成功亦不会解决台湾DRAM产业问题，但台系DRAM厂并不
-
美光：NAND尺寸持续微缩，挺进10纳米级有望
在日前的快闪内存高峰会(Flash Memory Summit)上，人们普遍对该产业的前途感到悲观。有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，
-
美光对NAND未来充满乐观 挺進1x-nm有望
在日前的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上，人们普遍对该产业的前途感到悲观。 有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，还
-
美光新加坡厂年底导入40纳米 为明年大战暖身
2009、2010年对美光而言，最大的挑战是从目前的68纳米和华亚科的70纳米制程，大量转进50纳米制程，就技术角度而言相当艰钜，且同时也需要庞大的资金挹注，才能完成整个转换过程。 美光分析，在50纳米制程上，预计每
-
美光新加坡厂年底导入40纳米 为明年大战暖身
三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40纳米制程开始试产，尔必达(Elpida)也考虑在2010年直接从65纳米跳至40纳米制程，美光计划年底在新加坡12寸厂率先导入40纳米制程，将成为美光旗下第1个导入40纳米制程
-
DRAM市场触底，Q3出货成长有望超过30%
市场研究机构DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海啸冲击下，终端消费市场需求快速萎缩，造成DRAM现货市场报价在这半年间下跌幅度超过50%，连带使得原本就亏损累累、财务体质日渐恶化的DRAM制造厂商营运
-
英特尔、美光合力3bps技术，推出业界最高效NAND产品
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品
-
英特尔联手美光推34纳米工艺NAND芯片
8月12日消息，据国外媒体报道，英特尔和美光科技今天宣布，双方已将当今最小的NAND芯片应用于消费存储设备。 新NAND闪存芯片采用34纳米生产工艺，每单元可储存3比特。新产品由两家公司合资企业IM Flash Technology公
-
英特尔和美光利用34纳米工艺开发32Gb 3bpc NAND芯片
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品。这
