美光对NAND未来充满乐观 挺進1x-nm有望
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在日前的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上，人们普遍对该产业的前途感到悲观。
有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，还包括了一个普遍的认知：NAND的芯片尺寸微缩已接近尾声。
不过，在这一片惨淡气氛中，美光科技(Micron Technology)的内存部门副总裁Brian Shirley提出了他对内存产业未来的不同见解。
Shirley提出的四点看法包括：1. 产业正在复苏；2. NAND仍持续微缩；3. NAND在新兴市场正逐步扩展；4. 与普遍的认知恰好相反，企业用户将采用NAND闪存──这是由于美光正准备推出称之为eNAND的全新产品线。
从商业环境角度来看，内存市场的衰退情况已有所改善。“有些人认为内存场在2009年就会完蛋，但现在看来情况还不算坏，”Shirley表示。
首先，在DRAM方面，由于服务器与其它市场展现出了令人意外的需求，造成了DDR3 SDRAM的短缺。而DDR3的短缺又导致OEM争相下单DDR2内存。“DDR3一直相当吃紧，DDR2亦然，”他说。
NAND内存的价格与需求也正在改善中。Gartner分析师Joseph Unsworth在一份报告中指出，稍早前，“几乎所有密度的NAND现货价格都上升了，不过这主要集中8Gb的SLC型产品，这部份展现了最大幅度的价格上涨。32Gb的MLC产品价格则轻微下滑，这部份主要是回跌7月底的涨价。”预期返校季节的需求将持续提升，而这对消费者支出和信心将发挥重要作用。
无论任何时候，NAND都会有新的应用，但NAND市场并没有所谓一体化产品，导致制造商必须针对‘特殊市场’开发产品，Shirley说。
尽管NAND已经是一种通用型商品了。不过，厂商们仍针对嵌入式、行动与相关市场制定不同产品。美光也透露了该公司专为企业用户开发的eNAND产品，据称可为企业提供所需的可靠度与纠错能力。
除了市场需求与新兴应用等资料，以及根据美光表示仍持续微缩NAND外，目前有关NAND市场并没有进一步的详细情况。部份业界人士相信，NAND将在2x-nm世代达到极限，且业界将出现对于所谓‘通用型内存’(universal memory)的需求。
目前，美光与其NAND合作伙伴──英特尔(Intel)已开始出货34nm的NAND。这两家公司稍早前推出了每单元线3位(3bit-per-cell line)的34nm NAND闪存。
“说NAND已经死亡太夸张了，”Shirley说。“在20nm范围内，我们仍看到了令人难以置信的微缩。”
事实上，美光、英特尔计划在今年年底推出2x-nm NAND的组件。该组件介于25nm到30nm之间。在实验室内，两家公司已经开发了20nm以下的组件，他补充道，1x-nm的产品是可行的。
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