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联华电子连续第五年列名道琼永续性指数成分股
联华电子日前(14日)宣布，连续第五年同时列名于道琼永续性指数(Dow Jones Sustainability Indexes, DJSI)之「世界指数(DJSI-World)」及「亚太指数(DJSI-Asia Pacific)」为成份股之一。2012年道琼永续性世界指数由全球
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联电创办人曹兴诚：台厂拼转型冲硬体软实力
联电荣誉董事长曹兴诚说，台湾近期一直谈台日企业联盟，但科技界发展的趋势已经改变，具有创意、设计与服务的硬体产品才有卖点，日本在此却是处于弱势，台湾企业应该放弃追求营收成长，改做有专精性的产品，才能把饼
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曹兴诚：台厂拚转型 冲硬体软实力
联电荣誉董事长曹兴诚说，台湾近期一直谈台日企业联盟，但科技界发展的趋势已经改变，具有创意、设计与服务的硬体产品才有卖点，日本在此却是处于弱势，台湾企业应该放弃追求营收成长，改做有专精性的产品，才能把饼
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曹兴诚：台厂拚转型 冲硬体软实力
联电荣誉董事长曹兴诚说，台湾近期一直谈台日企业联盟，但科技界发展的趋势已经改变，具有创意、设计与服务的硬体产品才有卖点，日本在此却是处于弱势，台湾企业应该放弃追求营收成长，改做有专精性的产品，才能把饼
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赶搭3D IC热潮联电TSV制程明年量产
联电矽穿孔(TSV)制程将于2013年出炉。为争食2.5D/三维晶片(3D IC)商机大饼，联电加紧研发逻辑与记忆体晶片立体堆叠技术，将采Via-Middle方式，在晶圆完成后旋即穿孔，再交由封测厂依Wide I/O、混合记忆体立方体(HMC)
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赶搭3D IC热潮联电TSV制程明年量产
联电矽穿孔(TSV)制程将于2013年出炉。为争食2.5D/三维晶片(3D IC)商机大饼，联电加紧研发逻辑与记忆体晶片立体堆叠技术，将采Via-Middle方式，在晶圆完成后旋即穿孔，再交由封测厂依Wide I/O、混合记忆体立方体(HMC)
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赶搭3D IC热潮联电TSV制程明年量产
联电矽穿孔(TSV)制程将于2013年出炉。为争食2.5D/三维晶片(3DIC)商机大饼，联电加紧研发逻辑与记忆体晶片立体堆叠技术，将采Via-Middle方式，在晶圆完成后旋即穿孔，再交由封测厂依WideI/O、混合记忆体立方体(HMC)等
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争食2.5D/3D IC商机大饼 联电TSV制程明年量产
联电矽穿孔(TSV)制程将于2013年出炉。为争食2.5D/三维晶片(3DIC)商机大饼，联电加紧研发逻辑与记忆体晶片立体堆叠技术，将采Via-Middle方式，在晶圆完成后旋即穿孔，再交由封测厂依WideI/O、混合记忆体立方体(HMC)等
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联电/意法携手开发65nm CMOS BSI制程技术
联电6日宣布与意法半导体合作65nm CMOS影像感测器背面照度BSI技术。事实上，双方先前已顺利于联电新加坡Fab 12i厂产出意法半导体的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功经验，此次合作将更进一步扩展两家公司的伙伴关
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联电/意法携手开发65nm CMOS BSI制程技术
联电6日宣布与意法半导体合作65nm CMOS影像感测器背面照度BSI技术。事实上，双方先前已顺利于联电新加坡Fab 12i厂产出意法半导体的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功经验，此次合作将更进一步扩展两家公司的伙伴关
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联电3D IC年底产品级封测
联电(2303-TW)(UMC-US)于SEMICON台湾展会期间发表3D IC 技术趋势与进展。联电企业行销总监黄克勤表示，联电克服开发初期制程问题，今年年底3D IC将进行产品级封装与测试。他说明了联电在3D IC方面的最新进展。联电3D
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赶搭3D IC热潮联电TSV制程明年量产
联电矽穿孔(TSV)制程将于2013年出炉。为争食2.5D/三维晶片(3D IC)商机大饼，联电加紧研发逻辑与记忆体晶片立体堆叠技术，将采Via-Middle方式，在晶圆完成后旋即穿孔，再交由封测厂依Wide I/O、混合记忆体立方体(HMC)
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野村：移动装置扮动能 联电Q4营收季减5-10%
联电(2303)公布8月营收，微幅月增1.93%、来到97.99亿元，年增19.49%，创下近20个月以来新高。而联电目前第3季累积营收已达194.12亿元，也已达第2季营收的7成。野村(NOMURA)即出具最新报告指出，联电第3季财测达阵的机
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野村：手持装置扮动能联电Q4营收季减5-10%
联电 (2303)公布8月营收，微幅月增1.93%、来到97.99亿元，年增19.49%，创下近20个月以来新高。而联电目前第3季累积营收已达194.12亿元，也已达第2季营收的7成。野村( NOMURA )即出具最新报告指出，联电第3季财测达阵
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8月营收／联电连六升 攀近两年高点
半导体景气转缓，但晶圆代工厂联电（2303）在通讯应用的急单帮助下，昨（7 ）日公布8月营收来到97.98亿元，不但是今年连续第6个月成长，也创下近20个月来新高。 据了解，半导体景气下半年趋缓，客户下单前置作业期
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联电8月营收连6月成长逼近100亿元大关月增1.93%
联电(2303-TW)(UMC-US)今(7)日公告8月自结营收97.99亿元，来到近20个月高点位阶，并为今年连续6个月的成长；月增1.93 %，续逼进100亿元，并较去年同期增19.49%。 联电第2季营收为276.1亿元、业绩已呈现逐月攀高走势
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联电8月营收微增1.9%，近20个月新高
联电 (2303)公布8月营收，微幅月增1.93%来到97.99亿元，年增19.49%，创下近20个月以来新高。而联电目前7月及8月合计营收194.12亿元，已达第2季营收的7成，可望达成先前联电执行长孙世伟于法说会上所提出，第3季受益于
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联电/意法携手开发65奈米CMOS BSI制程技术
联电 (2303)于今(6日)宣布，与意法半导体合作65 奈米 CMOS影像感测器背面照度BSI技术。事实上，双方先前已顺利于联电新加坡Fab 12i厂产出意法半导体的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功经验，此次合作将更进一步扩
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联电、意法携手开发65奈米影像感测器制程
记者杨伶雯／台北报导 联电6日宣布与意法半导体合作65奈米CMOS影像感测器背面照度BSI技术。双方先前已顺利在联电新加坡Fab 12i厂产出意法半导体的前面照度式FSI制程，这次合作将更进一步扩展两家公司的夥伴关系。
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联电携手意法半导体开发65奈米BSI CMOS制程
联电(2303-TW)(UMC-US)今(6)日宣布，与意法半导体合作65奈米CMOS影像感测器背面照度BSI技术。双方先前已顺利于联电新加坡Fab 12i厂产出意法半导体的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功经验，此次合作将更进一步扩展
一路向北lm
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