联电携手意法半导体开发65奈米BSI CMOS制程

联电(2303-TW)(UMC-US)今(6)日宣布，与意法半导体合作65奈米CMOS影像感测器背面照度BSI技术。双方先前已顺利于联电新加坡Fab 12i厂产出意法半导体的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功经验，此次合作将更进一步扩展两家公司的夥伴关系。

此1.1um像素间距的BSI制程，将于联华电子新加坡Fab 12i厂展开研发，并将以开放式平台模式供客户采用，以协助客户迎接高解析度与高画质(千万像素以上)尖端智慧手机世代的来临。


联电负责12寸营运的资深副总颜博文表示，很高兴与意法半导体携手研发此次的专案，扩展与这位长期夥伴的合作关系。此次协议贯彻了联电开放式平台的合作策略，以提供客户导向晶圆专工解决方案，来因应日益攀升的市场需求。联电期待藉着增加此CIS BSI制程，在未来更进一步地强化全方位的技术组合。

联电在CIS领域的优异实力，包含现有的8寸与12寸CIS制造解决方案，以满足多元化的市场需求。此次新开发的65奈米CIS技术，将具有BSI制程足以因应长期需求的优势，除了可用于现今应用产品之外，预期未来也可应用于车用电子与工业领域。

65奈米BSI制程系针对快速兴起的应用产品所推出，诸如智慧手机、平板电脑、高阶监视器、以及消费型数位相机/数位单眼相机等，都将可在取得意法半导体的授权后采用。