2月28日消息,由日本政府以及8家日本企业共同发起成立的晶圆厂Rapidus于当地时间周二宣布,将在日本北部岛屿北海道的千岁市建造一座2nm晶圆代工厂。
台积电今天上午正式宣布3nm工艺量产,这是当前全球最先进的半导体工艺,明年开始贡献营收。
据报道,为了攻克2nm先进工艺,日本已经制定复兴计划,联手欧洲IMEC之后又确定联手IBM。
在全球先进半导体工艺中,台积电、三星都有2nm工艺计划,美国也能靠Intel实现2nm及以下的工艺,日本作为曾经的半导体第一已经没有了先进工艺生产能力,这也是他们要努力补上的,现在要联手美国实现目标。
10月3日,三星电子在美国加州硅谷举办“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”。论坛上三星芯片代工部门表示,将于2025年开始生产2nm制程工艺芯片,然后在2027年开始生产1.4nm工艺芯片。据了解,此前台积电也曾规划在2025年量产2nm芯片。
近日,在加利福尼亚州圣何塞举行的三星代工论坛上,三星电子公布了其芯片制造业务的未来技术路线图,宣布在2025年开始大规模量产2nm工艺,更先进的1.4nm工艺则预计会在2027年投产,主要面向高性能计算和人工智能等应用。
台积电已经多次明确指出,3nm制程将于下半年规模投产。台积电的3nm制程依旧延续FinFET(鳍式场效应)电晶体结构,而非三星那套难度更高的GAA(闸极全环)电晶体。然而,台积电明显道行更深,知道当前制程节点命名混乱,谁的良率高显然更能占得先机。
台积电已经多次明确,3nm将在下半年规模投产。
Intel的制程工艺一直备受关注。今天早些时候,荷兰光刻机巨头ASML(阿斯麦)放出一张路线图,赫然罗列了Intel 7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm等工艺节点,尤其是最后这个将在2029年
先进工艺发展到今天,要拼的东西越来越多,尤其是5nm之后,不论是设备、材料、成本甚至是工艺本身都将发生质的飞跃。 例如在推进摩尔定律发展的过程中,EUV制造设备显得格外重要; FinFET逐渐失效之后