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台积电明年开始风险生产3nm工艺
台积电作为全球最大的代工合同制造商，台积电的主要客户包括苹果，高通和华为。预估计，台积电明年开始风险生产3nm工艺节点。今年，苹果和华为将分别交付其最先进的芯片，分别为A14 Bionic和HiSilicon Kirin 1020。
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台积电宣布3nm工艺将在2021年实现风险量产
在7月16日举行的台积电第二季度业绩说明会上，台积电宣布，预计将于2021年上半年进行3nm的风险量产，2022年正式量产。
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Intel 5年内量产纳米线/纳米带晶体管！搭档3nm？
Intel这几年虽然在制造工艺上步伐慢了很多，但是说起半导体前沿技术研究和储备，Intel的实力仍是行业数一数二的。 在近日的国际超大规模集成电路会议上，Intel首席技术官、Intel实验室总监Mi
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台积电研发费用去年增长4% 研发组人数增5%达6534人
6月28日消息，据台湾媒体报道，台积电近日发布报告，公布了该公司去年研发方面的相关数据。 台积电 台积电去年全年研发费用为29亿5,900万美元，较前一年增长约4%，约占总营收8.5%。 台积电研发
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中芯国际会研发出7/5nm以下工艺吗？分析师表态：不会有了
作为国内最大也是最重要的晶圆代工厂，中芯国际SMIC回归A股只用了18天就过会了，创造了国内最快纪录，由此可见他们是多么地受重视，毕竟他们是唯一一家量产了14nm工艺的国产晶圆厂。 与台积电、三星等公
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华为再次受限后 台积电将下调2020年资本支出？
据台湾电子时报报道，由于美国对华为实施了新的贸易制裁，台积电2020年的业务表现面临越来越多的不确定性，由此引发了市场猜测，这家代工巨头是否会下调其2020年甚至是2021年的资本支出。 在今年4月的
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台积电2020年开支最多160亿美元 扩增7/5/3nm工艺
1月16日，台积电公司在2019年度Q4季度说法会上表示，Q4季度营收为103.9亿美元，季增10.6%，年增10.6%，全年营收达346.32亿美元，年增3.7%，税后纯了利润为111.75亿美元，
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取代FinFET：三星计划首发3nm GAA工艺芯片、性能约提高30%
北京时间1月2日晚间消息，据韩国媒体报道，三星电子事实上的领导人李在镕（Lee Jae-yong）今日讨论了三星利用全球首个3纳米工艺制造芯片的战略计划。 该报道称，李在镕今日参观了三星电子位于京畿道
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美国封杀GAA半导体技术出口 中国突破3nm工艺要靠自己
由于众所周知的原因，美国正在收紧高科技的出口，日前美国政府制定了一份新的高科技出口禁令，包括量子计算机、3D打印及GAA晶体管技术等在内，这其中GAA晶体管技术是半导体行业的新一代技术关键。 大家都知
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台积电3nm工艺进展顺利 2nm工艺2024年量产
随着高通骁龙865使用台积电N7+工艺量产，台积电的7nm工艺又多了一个大客户，尽管三星也抢走了一部分7nm EUV订单，不过整体来看台积电在7nm节点上依然是抢占了最多的客户订单，远超三星。 接下来
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台积电：2022年量产3nm工艺 提前一年
虽然半导体工艺提升越来越困难，但是被誉为天字一号代工厂的台积电，这几年却仿佛打了鸡血，进展神速，让Intel、三星都望尘莫及。 现在，台积电7mm工艺已经大范围普及，几乎成为旗舰乃至主流芯片的标配，率
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拿下30万平土地：台积电年底开建3nm晶圆工厂
在三星上周纸面预览了其3nm工艺后，台积电也毫不示弱，业内人士称，台积电年底前会敲定南部科技园的30公顷土地（30万平米），随后启动3nm晶圆厂的建设。 目前，台积电的12寸超大晶圆厂有六座，分别是总
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三星明年完成3nm GAA工艺开发 性能大涨35%
尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm工艺明年就完成开发了。 三星在10n
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全球最先进3nm晶圆厂尘埃落定 4000亿投资
随着三星加快7nm EUV工艺量产，台积电领先了一年的7nm先进工艺今年会迎来激烈竞争，IBM、NVIDIA以及高通都要加入三星的7nm EUV阵营了。 在先进工艺路线图上，台积电的7nm去年量产，7
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无惧日本制裁 三星将如期展示3nm GAA工艺最新进展
本月4日起，日本宣布管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这三种重要原材料，此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机，三星等公司更是急于获得稳定的原料来源，否则旗下的存储芯片、面板生产都会停产
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台积电：3nm工艺进展顺利 已有客户参与
如今在半导体工艺上，台积电一直十分激进，7nm EUV工艺已经量产，5nm马上就来，3nm也不远了。 台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露，台积电的N3 3nm工
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台积电：3nm EUV工艺进展顺利 已开始接触早期客户
尽管 10 nm 以下芯片制造工艺的突破已经愈加艰难，但以台积电为代表的业内领先企业，并没有因此而放缓研发的步伐。该公司上周表示，其 3nm 工艺的开发进展顺利。目前看来，台积电已经摸清了道路，且已经开始接触早期客户。在面向投资者和金融分析师的电话会议上，台积电首席执行官兼联合主席 CC Wei 宣布了这一消息。
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三星计划2021年推GAA技术3纳米制程
在先进制程的发展上，台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然，台积电已经宣布将在 2020 年正式量产 5 纳米制程。不过，三星也不甘示弱，预计透过新技术的研发，在 2021 年推出 3 纳米制程的产品。根据三星表示，其将推出的 3 纳米制程产品将比当前的 7 纳米制程产品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，而且芯片的面积也再减少 45%。
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三星2021年将量产3nm芯片，路线图已公布！
导语：近日，三星在Samsung Foundry Forum大会上，宣布了一个重磅炸弹，那就是其3nm Gate-All-Around（GAA）工艺已经在开发中了，与7nm技术相比，三星的3GAE工艺将减少45％
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强化代工业务，三星下半年量产7nm EUV工艺，2021年推3nm GAA工艺
为了弥补存储芯片降价周期带来的影响，三星早就开始强化代工业务了，要赶超台积电，而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说，他们今年下半年会量产7nm EUV工艺，2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。
