CMOS
-
IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术
IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD-ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程
-
两种高频CMOS压控振荡器的设计与研究
锁相环在通讯技术中具有重要的地位，在调制、解调、时钟恢复、频率合成中都扮演着不可替代的角色。可控振荡器是锁相环的核心部分。最近，鉴于对集成电路低功耗和高集成度的追求，越来越多的研究人员投人到基于CMOS工
-
Nanotech发布GEPON用纯CMOS TIA
12/11/2009，针对光通信应用的CMOS模拟和混合信号IC开发商Nanotech半导体公司推出NT24L55高灵敏度低功耗纯CMOS工艺的针对GEPON应用的1.25Gbps 跨阻抗放大器TIA芯片NT24L55。该芯片的典型灵敏度-32dBm（误码率10-12）
-
东大等验证7μm的极薄晶圆也不会影响CMOS元件
东京大学研究生院工学系研究专业附属综合研究机构与日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同开发出了可将300mm晶圆（硅底板）打薄至7μm的技术。如果采用该技术层叠100层16GB的内存芯片
-
采用CMOS门电路的两级相移振荡器电路图
620)this.width=620;" />
-
10~37 GHz CMOS四分频器的设计
1 引言 随着通信技术的迅猛发展，人们对通信系统中单元电路的研究也越来越多。而分频器广泛应用于光纤通信和射频通信系统中，因此，高速分频器的研究也日益受到关注。分频器按实现方式可分为模拟和数字两种。模
-
英商Semefab斥资百万英镑建CMOS晶圆厂
在苏格兰工商委员会(Scottish Enterprise)与英国政府的资金协助下，总部位于苏格兰的英国公司Semefab已经斥资600万英磅(约1,100万美元)，开始兴建 CMOS3晶圆厂，以提供先进的MEMS生产；该晶圆厂将采用0.5微米节点制程
-
高性能片内集成CMOS线性稳压器设计
0 引言 电源管理技术近几年已大量应用于便携式和手提电源中。电源管理系统包括线性稳压器、开关稳压器和控制逻辑等子系统。本文主要针对低压差线性稳压器进行研究。低压差线性稳压器是电源管理系统中的一个基
-
Luxtera SC09展示40G低功耗主动光缆产品
11/16/2009，CMOS光子器件开发商Luxtera公司在波特兰举办的3C09超级计算大会上宣布推出一款低功耗40Gbps主动光缆产品Blazar。Luxtera宣称这一产品是业界最低功耗的主动光缆产品，其功耗比竞争对手产品低30%以上。Bla
-
采用0.18µm CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路
采用0.18µm CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路
-
ST发布500万像素CMOS影像传感器开发蓝图
意法半导体（ST）发布在照相手机中的标准四分之一英寸光学格式500万像素CMOS影像传感器开发蓝图的细节。意法半导体最新的先进传感器提供多种功能，是500万像素级别中功能最丰富的传感器。 意法半导体的新传感器产品为
-
中芯国际将45纳米工艺延伸至40纳米及55纳米
中芯国际(NYSE：SMI)日前宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其
-
0.18 µm CMOS制造工艺（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米(µm) CMOS工艺技术。这ONC18工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(ASIC)的极佳平台，用
-
基于ARM的便携式系统的功耗管理
基于ARM的便携式系统的功耗管理
