CMOS
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中芯国际将45纳米工艺延伸至40纳米及55纳米
中芯国际(NYSE：SMI)日前宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其
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0.18 µm CMOS制造工艺（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米(µm) CMOS工艺技术。这ONC18工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(ASIC)的极佳平台，用
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基于ARM的便携式系统的功耗管理
arm微处理器因其高性能和低功耗的特性，特别适合于便携式系统的应用。而系统级的问题对于有效的功耗管理也是非常重要的。本文主要对硬件及系统的功耗管理作一些介绍。 功耗管理电路能尽可能地降低便携式系统的
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基于ARM的便携式系统的功耗管理
基于ARM的便携式系统的功耗管理
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采用0.18µm CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路
本文采用0.18µm CMOS工艺设计了用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路。该电路采用数模混合的方法进行设计，第一级用数字电路实现16:4的复用，第二级用模拟电路实现4:1的复用，从而实现16:1的复用器。该电路采用SMIC 0.18µm工艺模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具进行了仿真。仿真结果表明，当电源电压为1.8V，温度范围为0～70℃时，电路可以工作在2.5b/s，功耗约为6mW。
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CMOS升压型DC/DC控制器（SII）
S-8365/8366系列是精工电子有限公司(SII)开发的一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、时钟闩锁式短路保护电路、PWM控制电路(S-8365系列)、PWM / PFM切换控制电路(S-8366系列)等构成的CMOS升压
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新兴公司推出首款用于3G的CMOS功率放大器
无晶圆厂半导体公司Black Sand Technologies（德克萨斯/奥斯汀）宣布推出全球第一款用于3G通信的CMOS射频功率放大器。 该公司表示，通过采用专利的PA架构，改进了器件的性能、成本、电池寿命和可靠性。Black Sand所推
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中芯国际在65纳米和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP嵌入式非挥发性内存硅智财解决方案
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">2009年9月25日，嵌入式非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）的领先供货商 -- Kilopass 科技公司 (Kilopass Technology
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CMOS射频接收机系统与电路
CMOS技术作为设计射频接收机电路的一种主要技术，正在得到广泛研究。本文首先总结了当前射频接收机的几种常用结构和主要的工作特性、参数，然后介绍了三种最新的不同结构形式的CMOS射频前端电路。
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胶囊医疗微型机器人获得突破性进展
通过吞咽，可在人肠道内以螺旋方式行走的胶囊医疗微型机器人的研究有了突破性进展。我国科学家目前已研制出样机，并在离体猪肠中取得良好的实验效果。 体内介入检查与治疗具有安全、微创等优点，并迅速成为医学工程
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高性能CMOS集成电压比较器设计
电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路，其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号)，并以输出比较得到的二进制信号。其在A／D转换器、数据传输器、切换功率调节器等设备中有着广泛的应用。在
