CMOS
-
高清监控与一体化 网络高速球技术分析
高清网络高速球是在传统模拟高速球的基础上发展而来，在其基础上，增加高清一体化机芯、视音频编码模块、网络接入模块，即可构成一个基本的网络型高速球，实现高清影音数据和控制数据通过网络这一介质进行可靠传输。
-
基于单片机CMOS汽车电子调节器
基于单片机CMOS汽车电子调节器引言汽车电子化程度现已成为国际衡量汽车先进水平的重要标准，也正是由于这个原因推动和刺激当前汽车电子这一行业不断向前发展，各国都竞相发展，不断应用高新技术，提高汽车电气化性能
-
拚FinFET联电可能抢先台积电
在晶圆代工领域一直居于台积电(TSMC)之后的联电(UMC)，可望藉由率先采用FinFET制程技术，领先其竞争对手一步。尽管十年前，台积电是最初发起FinFET构想的主要企业之一。但依照联电与IBM签署的授权协议，最快在2014年
-
拚FinFET 联电可能抢先台积电
在晶圆代工领域一直居于台积电(TSMC)之后的联电(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技术，领先其竞争对手一步。 尽管十年前，台积电是最初发起 FinFET 构想的主要企业之一。但依照联电与 IBM 签署的授权协议，最快
-
主板常见故障分析及维修24例
主板常见故障分析及维修24例
-
亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计（二）
3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下：主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而
-
亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计
1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一，其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关，随着IC工艺技术的进一步发展，特征尺寸越来越小，管子的栅氧层厚度越来越
-
手机摄像头的发展历程和技术制约下的极限
手机摄像头最早出现在日系的手机上，诺基亚7650是最早把手机摄像头带到全世界面前的产品。早期手机摄像头只是玩具，记录生活都是不够格的，外出旅游数码相机还是必须要带的。但是随着技术的发展，和摩尔定律的必然
-
手机摄像头的发展历程和技术制约下的极限
手机摄像头最早出现在日系的手机上，诺基亚7650是最早把手机摄像头带到全世界面前的产品。早期手机摄像头只是玩具，记录生活都是不够格的，外出旅游数码相机还是必须要带的。但是随着技术的发展，和摩尔定律的必然
-
网络监控大潮并不能撼动模拟监控固有地位
相对于CCD传感器的精细与昂贵，CMOS很好的解决了成本以及高清图像的处理问题。因此，CMOS在网络监控的大规模应用也就变得不足为奇了。不过，难道"未来之星"的出现，就真的意味着CCD传感器的退休吗?难道在未来的网络监
-
0.35μmCMOS光接收机前置放大器设计
近年来，随着社会信息化程度不断提高，信息交换量呈爆炸性增长，光纤通信干线系统以其高速、大容量的优点被广泛应用于电信网、计算机网络。2．5 Gb/s超高速光纤通信系统已经投入使用。作为光纤通信系统中光接收机的关
-
Yole：2017年3D TSV将占总半导体市场9%
市调机构Yole Developpement稍早前发布了一份针对3DIC与矽穿孔 ( TSV )的调查报告，指出过去一年来，所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像感测器、环境光感测器、功率放大器、射频和惯性MEMS元件)等
-
Yole：2017年3D TSV将占总半导体市场9%
市调机构Yole Developpement稍早前发布了一份针对3DIC与矽穿孔 ( TSV )的调查报告，指出过去一年来，所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像感测器、环境光感测器、功率放大器、射频和惯性MEMS元件)等
-
Yole：2017年3D TSV将占总半导体市场9%
市调机构YoleDeveloppement稍早前发布了一份针对3DIC与矽穿孔(TSV)的调查报告，指出过去一年来，所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像感测器、环境光感测器、功率放大器、射频和惯性MEMS元件)等产品产值
-
拼FinFET 联电可能抢先台积电
在晶圆代工领域一直居于台积电 ( TSMC )之后的联电 ( UMC )，可望藉由率先采用FinFET制程技术，领先其竞争对手一步。 尽管十年前，台积电是最初发起FinFET 构想的主要企业之一。但依照联电与IBM 签署的授权协议，最
-
CMOS PK CCD 图像传感器竞争也“疯狂”
图像传感器包括CCD与CMOS两种。其中，CCD是“电荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的简称，CMOS是“互补金属氧化物半导体”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的简称。CCD是1970年美国
-
浅析CMOS与CCD在内部结构与原理的差异
标签：CMOS CCD无论任何产品，品质的好坏主要取决于性能的优劣，而性能优劣的关键跟产品结构和工作原理又有着较大的关系，CCD和CMOS也既如此。基本组成CCD是在MOS晶体管的基础上发展起来的，其基本结构是MOS(金属&m
-
CMOS数字隔离器在智能电表中的应用
未来几年由于消费者对传统机电式电表的更新换代，智能电表市场预计将以每年两位数的速度增长。智能电表使用最新的集成电路(IC)技术进行精确测量并报告消耗的电量，智能电表比机电式电表复杂，但更加注重测量数据的完
-
基于CMOS电路的IDDQ测试电路设计
引言 测试CMOS电路的方法有很多种，测试逻辑故障的一般方法是采用逻辑响应测试，即通常所说的功能测试。功能测试可诊断出逻辑错误，但不能检查出晶体管常开故障、晶体管常闭故障、晶体管栅氧化层短路，互连桥短路
-
采用静态CMOS和单相能量回收电路的乘法器电路设计
O 引言 电路中的功率消耗源主要有以下几种：由逻辑转换引起的逻辑门对负载电容充、放电引起的功率消耗;由逻辑门中瞬时短路电流引起的功率消耗;由器件的漏电流引起的消耗，并且每引进一次新的制造技术会导致漏电流
1094956558
kingun
hxx001
跃迁
shilingdao2005
ankerd
寻梦者在路上
555ter4yrthtr0
落叶行健ywm
赛元MCU3
6551130
flyleopard
sxhhhjicbb
shyan2812
williamfang
woody96
hanfly
酷洵软件
LONGXIA
tjwhl
