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英飞凌OptiMOS™ 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准
【2025年5月16日, 德国慕尼黑讯】随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其采用紧凑型5x6 mm² 双面散热（DSC）封装的OptiMOS™ 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家领先处理器制造商AI服务器平台的 IBC级。应用测试表明，其效率较之前使用的解决方案提高约 0.4%，相当于每kW负载节省约4.3 W。如果能扩展到系统层面，如服务器机架或整个数据中心，则将带来显著的节能效果。
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英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET
【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。
