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SI/PI仿真避坑指南：DDR5内存条设计中，如何通过S参数反演解决信号反射问题
当DDR5数据速率突破6400MT/s，信号反射从理论问题变成了设计噩梦。本文将揭示如何利用S参数反演技术，精准定位阻抗不连续点，彻底解决DDR5设计中的反射难题。
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DDR5/DDR6内存设计：从堆叠到等长绕线的信号完整性仿真全流程
在DDR5/DDR6内存设计迈向6400MT/s甚至更高频率的进程中，信号完整性（SI）仿真已成为突破物理极限的核心工具。本文以实际工程案例为蓝本，解析从PCB叠层设计到等长绕线优化的完整仿真流程，揭示如何通过SI仿真实现纳秒级信号的精准控制。
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DDR5高速PCB设计实战：等长约束与信号完整性仿真的深度解析
在DDR5高速PCB设计领域，等长约束与信号完整性仿真已成为保障系统稳定性的核心环节。本文结合实际工程案例，从等长约束规则设置、蛇形走线优化、信号完整性仿真流程三个维度展开分析，为工程师提供可直接落地的操作指南。
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DDR5价格闪崩！市场逆转还是假摔
或许是受谷歌最新发布的TurboQuant内存压缩技术影响，近日亚马逊和新蛋(Newegg)等美国主流电商平台DDR5内存条价格普遍大幅下降，降幅最高可达29%。
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摩根士丹利预测：内存暴涨重创安卓 苹果将成今年最大的赢家
3月24日消息，近日，摩根士丹利发布的最新智能手机市场研究报告指出，2026年安卓手机出货量同比降幅或将达到15%，而iPhone出货量降幅仅约2%受影响较小。
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内存涨价缺货停不下来！巨头狂撒币锁单
3月23日消息，据韩国媒体报道，三星正与谷歌、微软等科技巨头签订多年期内存长期合约，以锁定未来产能。
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SI/PI联合仿真：DDR5内存条设计中的串扰抑制与阻抗匹配实操
在DDR5内存子系统迈向4800MT/s乃至更高频率的征途中，信号完整性（SI）与电源完整性（PI）不再是可有可无的点缀，而是决定设计成败的“生死线”。当信号周期缩短至0.208ns，任何微小的阻抗波动或串扰都可能引发误码。因此，深度耦合的SI/PI联合仿真，成为打破高速设计瓶颈的bi由之路。
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是德科技推出Infiniium XR8示波器，加速高速数字验证与一致性测试
新一代架构实现更快速分析、更清晰洞察与紧凑设计，将数日的数字验证缩短至数小时
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DDR5高速PCB设计实战：从堆叠规划到等长绕线的“避坑”全流程解析
在DDR5时代，PCB设计已从“功能实现”跃升为“极限性能博弈”。当信号速率突破6400MT/s，每1ps的时序偏差都可能引发数据采样错误。本文结合多个实战案例，深度解析DDR5 PCB设计的全流程避坑策略。
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内存大涨价 日本要动摇韩国国本：重金补贴三星、SK海力士赴日建厂
2月23日消息，半导体是韩国的支柱产业，尤其是内存及闪存芯片领域是世界第一大，堪称韩国的国本，而日本现在要挖韩国墙角，拉拢三星、SK海力士去日本建厂生产。
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内存市场彻底乱套！DDR3主板销量疯涨2-3倍
1月15日消息，硬件市场正在上演一场荒诞的“文艺复兴”，由于DDR5与DDR4内存价格持续飙升，原本早已淡出主流视线的DDR3平台竟然翻红。
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韩国内存价格彻底疯狂！16GB DDR5要价1900元
1月13日消息，随着近期全球内存市场价格的飙涨，坐拥三星和SK海力士的韩国内存价格却近乎有些疯狂。
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技嘉于 CES 2026 发布CQDIMM 技术 实现 256GB 满载 DDR5-7200 极限性能
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内存市场进入超级牛市 价格已超2018年历史高点
1月7日消息，今日，市场研究机构Counterpoint Research发布最新行业报告指出，内存市场已进入“超级牛市”阶段，当前行情甚至已超越2018年的历史高点。
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DDR4内存价格本季再涨90%：已比DDR5还猛
1月6日消息，由于内存价格不断上涨，整个2026年预期都是连续上涨的情况，导致DIY市场已经开始被迫调整，DDR4主板、RTX 3060等旧型号纷纷复活。
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供不应求！专家：内存不可能降价 短缺只会更严重
1月5日消息，自2025年秋季以来，PC内存价格大幅上涨，整个行业风声鹤唳。
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长鑫科技IPO招股书披露：2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元，2022年至2024 年主营业务收入复合增长率超70%
长鑫科技IPO招股书披露：2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元，2022年至2024 年主营业务收入复合增长率超70%
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DDR5暴涨：AMD AM4 CPU销量突然大增
12月24日消息，在PC硬件市场，“买新不买旧”是不少人的准则，但近期这一规律正被暴涨的内存价格打破。
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内存仨月涨价3倍！AMD AM4老平台枯木逢春
12月16日消息，内存、硬盘价格一路飙升，全世界都一样。
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瑞银最新报告：DDR库存仅能维持9周！价格还要再涨
12月12日消息，瑞银集团近日发布最新报告指出，受AI需求激增和存储产能调整等影响，预计今年第四季度DRAM和NAND闪存的合约价涨幅均超出此前预期。
